真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。     

金刚石薄膜场发射四极管的计算机模拟

采用广泛使用的粒子模拟程序MAGIC模拟了以金刚石薄膜作为发射体的真空微电子三极管和四极管的特性，得出了电子运动的轨迹图，从中可以看出上栅极对电子的会聚作用。研究了发射特性与栅极电压、发射体表面积大小等参量的关系，还讨论了电子在阳极、栅极间的分配情况。     

圆锥形阴极真空微三极管的计算机模拟

利用有限元法对圆锥形场致发射阴极的真空微三极管进行了计算机模拟。改变真空微三极管的各项结构参数及阳极和栅极电压 ,得到一系列模拟数据。然后对模拟结果进行分析讨论 ,总结出圆锥形阴极有效发射、阳极电流与真空微三极管的结构尺寸、阳极电压和栅极电压之间的关系 ,对于真空微三极管的实际设计和制作有一定的参考价值     

圆锥形阴极真空微三极管的计算机模拟

利用有限元法对圆锥形场致发射阴极的真空微三极管进行了计算机模拟。改变真空微三极管的各项结构参数及阳极和栅极电压,得到一系列模拟数据。然后对模拟结果进行分析讨论,总结出圆锥形阴极有效发射、阳极电流与真空微三极管的结构尺寸、阳极电压和栅极电压之间的关系,对于真空微三极管的实际设计和制作有一定的参考价值。     

自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在U≤5V条件下，对Mo锥和Ti锥分别获得3．7μA每尖锥和9．5μA每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流-电压特性间的关系，影响场发射特性的各种因素进行了分析讨论。     

自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在Ｕ≤５Ｖ条件下，对Ｍｏ锥和Ｔｉ锥分别获得３．７μＡ每尖锥和９．５μＡ每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流－电压特性间的关系，影     

真空微电子管特性的计算机模拟

应用FORTRAN77语言，编制了模拟计算真空微电子管特性的有限元程序，在计算机上模拟真空微电子管各参数变化时尖端场分布和尖端发射电流的影响。     

真空微电子管特性的计算机模拟

应用ＦＯＲＴＲＡＮ７７语言，编制了模拟计算真空微电子管特性的有限元程序，在计算机上模拟真空微电子管各参数变化对尖端场分布和尖端发射电流的影响。     

台阶阵列阴极真空微电子压力传感器研究

本文提出并研究了一种新型台阶阵列阴极真空微电子压力传感器。与平面阵列阴极真空微电子压力传感器相比，该传感器在扩展量程和提高灵敏度方面较大的潜力，作者展示了计算机模拟计算结果和部分实验结果。     

真空技术是现代电子工业的基础

大规模集成电路的出现和发展使电子工业进入了微电子技术时代，推动了工业各部门向现代化发展。微电子技术是多学科综合应用的一门崭新的技术。其中，包括了真空科学领域内的表面与界面学、薄膜技术、材料学以及同真空技术有关的微加工技术（包括设备）和测量技术，工艺过程的绝尘技术。 随着微电子技术的发展，电子元器件、电路的尺寸越来越小，集成度越来越高，加工线宽达亚微米或更细。由于物理效应的限制，集成度达到一定程度就不能再提高，因而提出研制三维电路、光电路和生物计算机。这就需要相应的手段和技术。真空技术是基础，当今超大规模电路的制造工艺过程中有７０％的工序要在真空环境中进行，不但工艺设备要求高品质的真空条件，而且传统的超净生产环境也将为真空传输机构所代替。所以说真空技术是微电子技术发展的根本保证。如果不重视真空应用技术的研究，微电子技术方将裹足不前。 本文简述了电子材料、电子元器件、电路制造工艺过程与真空技术的关系。用真空传输系统联接芯片制造的工艺设备，使芯片制造全过程处于真空环境中替代大型的超净场房，将会进一步提高生产环境的洁净度（真正达到绝尘），控制了有害气体，并降低了超净间造价，减少了超净环境对工作人员超常损害。     

高频逆变真空电弧蒸发电源

高频逆变真空电弧蒸发电源是现代电力电子技术与微电子技术的综合产物，因其具有高效节能、形小体轻、真空电弧稳定等特点，势必发展成为新一代电弧蒸发电源。本文就其主要工作原理、设计计算、实验数据等进行了分析研讨，并举电路实例供参照     

高频逆变真空电弧蒸发电源

高频逆变真空电弧蒸发电源是现代电力电子技术与微电子技术的综合产物，因其具有高效节能、形小体轻、真空电弧稳定等特点，势必发展成为新一代电弧蒸发电源。本文就其主要工作原理、设计计算、实验数据等进行了分析研讨，并举电路实例供参照     

高频逆变真空电弧蒸发电源

高频逆变真空电弧蒸发电源是现代电力电子技术与微电子技术的综合产物，因其具有高效节能、形小体轻、真空电弧稳定等特点，势必发展成为新一代电弧蒸发电源。本文就其主要工作原理、设计计算、实验数据等进行了分析研讨，并举电路实例供参照     

真空冷却过程中气体温度变化特性的研究

为了研究真空冷却过程中真空室内气体温度的变化特性，以水为实验对象，在真空室内布置了压力及多个温度测点，进行多组真空冷却实验，从而测得在抽真空和复压过程中真空室内的压力和各点的气体温度值。研究表明，当真空室内压力发生变化时，真空室内气体温度的变化具有某些特征，并且气体温度还受容器壁温、水温等的影响，本文针对这些特征进行了相关实验及理论分析，并得到了相似的变化规律。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光平板显示器件的场发射特性，并获得了结果。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光平板显示器件的场发射特性，并获得了结果。     

真空钎焊系统内材料出气对压升率的影响研究

随着微电子封装向小型化、高密度化、高可靠性的方向发展,各行业对钎焊技术提出了高钎透率、高钎焊接头质量、材料具备高净化度等需求。高真空钎焊技术也随之日益普及、加速发展。该技术通过保障真空室的洁净度及焊接真空度,进而保障元器件的焊接质量及寿命。高真空钎焊技术要求真空钎焊炉具备高真空度、低压升率。高温下材料出气是高真空状态下炉体内的主要气源,直接影响着保真空时间。针对已组装完成的真空钎焊炉,本文进行了炉体材料表面放气、炉体压升率的理论研究计算;实际测试了真空钎焊炉所能达到的真空度及压升率;详细分析了高温下炉体材料表面出气特性;分析了不同温度对材料放气的影响;建立了一种材料放气-压升率模型,以期更好地指导真空钎焊炉设计。     

电子器件的第二次变革

本文分析了电子器件发展的两次变革，比较了真空电子器件，微电子器件和纳电子器件的结构与特性，给出了它们的理论，材料和技术上的主要差别，提出了纳电子器件的基础结构是纳米点双隧道结构成的单电子管（ＳＥＴ），纳米功能单元的超高密度集成电纳电子器件的主要特征。     

面向21世纪的真空微电子学

本文概述了真空微电子学的研究领域、基本特点、冷阴极发射源、真空微电子器件与电路、真空微电子学的应用前景及发展趋势。     

纳米电子器件呼唤真空化学研究

纳米电子器件是微电子器件发展的下一代，现有微电子器件的主要材料是极纯的硅、锗和镓砷等晶体地体。纳米电子器件有可能是以有机或有机／无机复合本薄膜为主材料，要求纯度更高，结构更完善。真空制备的清洁环境，有希望加工组装出纳米电子器件所要求的结构。故本建议开展真空化学研究。