20MeV／u^40Ar离子与^238U相互作用中的靶余核

采用核化学技术测定了２０ＭｅＶ／ｕ＾４０Ａｒ离子与＾２３８Ｕ靶相互作用靶余核的生成截面，由此得到了该反应了电荷分布和质量分布。     

新重丰中子核素^239Pa的观测

以５０ＭｅＶ／ｕ丰中子炮弹＾１８Ｏ轰击天然铀靶，通过奇异的多核子转移反应产生了＾２３９Ｐａ用放射化学分离方法从复杂的反应产物中分离出Ｐａ活性，借助于＾２３９Ｐａ及其子体＾２３９Ｕ衰变的观察，鉴别了新重丰中子核素＾２３９Ｐａ，并测定其半期为１０６±３０ｍｉｎｌ同时，还发现了能量为５２２．０，５６２．０，６３８．５，６８１．０ｋｅＶ的＾２３９Ｐａ的四条衰变γ射线。     

8—24MeV／u^40Ar离子和^197Au相互作用中靶余核的研究

用核化学技术研究了８．２、１２．１、１６．２、２０．０和２４．２ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ离子和１９７Ａｕ相互作用中，反应余核的激发函数和碎片的反冲性质。根据反冲性质讨论了各种反应余核可能的生成机制。指出裂变产物截面和重靶余核生成截面与４０Ａｒ离子能量依赖关系     

菠菜参考物质中40种元素的中子活化分析

采用仪器中子活化分析和放射化学中子活化分析测定了菠菜参数物质（ＮＩＳＴ－１５７０ａ）中的４０种元素。其中纯仪器分析测定了Ａｇ、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｒ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｋ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｒｂ、Ｒｅ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｅ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｈ、Ｖ、Ｚｎ和Ｚｒ等３１种元素；采用三个简单的放射化学流程测定了另外９种元素：通过除去主要干扰核素＾８２Ｂｒ测定了Ｃｄ     

用双屏栅电离室测量快中子（n,α）反应的双微分截面

双用屏栅电离室和多参数数据获取系统建立了一套测量（ｎ，ｐ）、（ｎ，α）快中子诱发带电粒子反应双微分截面的装置。在北京大学４．５ＭＶ静电加速器上测量了４ＭｅＶ和５ＭｅＶ中子的＾４０Ｃａ（ｎ，α）＾３７Ａｒ反应的能谱和角分布以及５ＭｅＶ中子的微分截面。实验结果表明整个系统工作正常，用于研究（ｎ，ｐ）、（ｎ，α）反应是合适的。     

25MeV／A^40Ar＋Se反应制备多种示踪剂

利用离线γ能谱法，在由２５ＭｅＶ／Ａ ＾４０Ａｒ＋Ｓｅ反应制备的多种示踪剂中共鉴别了２４种元素的４７种放射性核素。其中寿命最长的核素是＾２２Ｎａ（Ｔ１／２＝２２７８０ｈ），寿命最短的核素是＾８１Ｒｂ（Ｔ１／２＝４．５８ｈ）。     

中能^12C离子同厚铋靶反应近靶产物的产额测定

用放射化学分离及γ谱学技术测量了入射能量为４７ＭｅＶ／ｕ＾１２Ｃ离子轰击厚靶反应产物的平均产额，获得了近１００个核素的平均生成截面。基于这些数据并借助于电荷分布母子体关系的修正，从许多累积及部分累积产额获得了独立产额同时得到了比靶核少３、４、５个电荷数的产物的同位素分布曲线，由此得到了中能较轻重离子引起的溶部非弹转移反应产生丰中子同位素的有效产额。     

丰中子核素238Th的分离和鉴别

用６０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击天然铀靶,通过多核子转移反应产生重丰中子新核素＾２３８Ｔｈ。采用放射化学分离方法从铀和反应产物中分离钍,用ＨＰＧｅ探测器做γ单谱时间序列谱测量,在测得的Ｔｈ样品的γ谱中观察到了＾２３８Ｔｈ衰变子体＾２３８Ｐａ的１０６０．５ｋｅＶγ射线的生长和衰变。从而鉴别了新丰中子核素＾２３８Ｔｈ,并确定其半衰期为（９．４±２．０）ｍｉｎ。     

^152Sm的22—1019keV能区中子俘获截面的测量

在４．５ＭｅＶ静电加速器上，利用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ和Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ反应作为中子源，在２２－１０１９ｋｅＶ中子能区以＾１９７Ａｕ的中子俘获截面为标准，用活化法测量了＾１５２Ｓｍ的中子俘获截面，其误差小于６．８％。     

三单元探测器望远镜的能量刻度

介绍了３０ＭｅＶ／ｕ＾４０Ａｒ＋＾５８,６４Ｎｉ和＾１１５Ｉｎ反应中测得的部分实验结果,着重讨论了３０μｍＳｉ＋５００μｍＳｉ＋４ｃｍＣｓＩ（Ｔｌ）探测器望远镜的能量刻度,给出了一种可靠性好、可操作性强的能量刻度方法。     

中能^12C离子反应中^7Be的生成

在最高能量为４７ＭｅＶ／ｕ的＾１２Ｃ离子和Ｍｙｌａｒ、天然铜或＾９３Ｎｂ相互作用中，用离线γ能谱法测量了＾７Ｂｅ的放射性活度，观察到的＾７Ｂｅ起源于入射＾１２Ｃ炮弹的碎裂和靶碎裂两种过程。估计＾７Ｂｅ的产额为１．１×１０＾７Ｂｑ／μＡ·ｈ（单位中的μＡ是粒子μＡ），讨论了利用中能重离子反应生产＾７Ｂｅ以及其它放射性核素的可能性。     

新丰中子同位素186 Hf的分离与鉴别

利用入射能量为 ６０ Ｍ ｅ Ｖ／ｕ 的丰中子１８ Ｏ 轰击天然钨样品,通过快速放射化学分离（ Ｂａ Ｈｆ Ｆ６ 沉淀）和 γ谱测量技术首次合成并鉴别了新丰中子核素１８６ Ｈｆ。使用递次衰变分析程度对测得的母子体生长衰变曲线进行拟合,得到了新丰中子同位素１８６ Ｈｆ 的半衰期为（２６±１２） ｍ ｉｎ。本流程中,元素 Ｈｆ的化学产额大于 ６０％ ,对元素 Ｔａ 的去污因子大于 １０２。     

25MeV／u ^40Ar^14＋离子在组织等效气体中能量沉积分布的研究

利用为模拟荷能重离子在组织等效气体中能量沉积分布研究而设计的无壁正比计数器系统对２５ＭｅＶ／ｕ ＾４０Ａｒ＾１４＋离子在组织等效气体中沿其径向及纵向的相对能量沉积分布进行了研究，分别在６．４ｋＰａ及０．５ｋＰａ气压下模拟了细胞核大小及超螺线管大小的分布情况，并讨论了实验结果。     

一种高分辨重离子飞行时间望远镜系统

本文描述了一种用于重离子核反应的高分辨飞行时间望远镜系统，其质量分辨率Ａ／ΔＡ＝８６，电荷分辨率Ｚ／ΔＺ－４８。对２５ＭｅＶ／Ａ＾４０Ａｒ，时间分辨为２８６ｐｓ，能量分辨为０．７８％。     

^18O离子轰击厚靶的中子剂量学参数

用阈探测器活化法测量了每个核子动能（简称单核能）为５０ＭｅＶ＾１８Ｏ离子轰击厚靶（Ｂｅ、Ｃｕ、Ａｕ）时出射中子的能量分布、注量率分布和中子角分布，得到了＾１８Ｏ离子的中子产额、前向中子发射率和中子剂量当量率分布的数据。并与国外报道的单核能在２０ＭｅＶ以下的低能重离子轰击厚靶研究中得到的中子剂量学参数进行了比较和分析。     

5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０＾１１－１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的中子辐照只产生单空位缺陷１０＾１３ｎ／ｃｍ＾３注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷，１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷，产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏     

一个研究聚变中子辐照损伤的蒙特卡罗程序

文章描述计算机模拟聚变中子辐照损伤的蒙特卡罗程序。该程序适用于含轻，重核素的非晶态复合材料及能量低于１５ＭｅＶ的中子和各种能量的离子。文中给出辐照后靶原子Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，Ｃ的ＤＰＡ截面，ＰＫＡ能谱和发射角分布的计算结果，并给出作为混合堆第一壁材料的３１６ｓｓ，钨，石墨，碳化硅化移损伤率的气体产生率。     

重离子加速器实验靶区的中子剂量当量率

用阈探测器中子活化法测量了５０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击Ｂｅ、Ｃｕ、Ａｕ厚靶出射中子的注量率分布,并利用中子注量率对剂量当量率的转移因子,得到了重离子实验靶区的中子剂量当量率分布。     

75MeV／u^16O离子在辐照生物实验区产生的中子角分布

应用Ａｌ为阈探测器对７５ＭｅＶ／ｕ＾１６Ｏ离子在辐照生物研究区产生的Ｅｎ〉６ＭｅＶ中子的角分布进行了实验测量，以了解辐照生物实验区的中子分布情况，为进一步开展的重离子冶癌研究提供辐射防护的实验数据。实验结果表明实验区产生的中子具有明显的前冲分布。     

一种高性能飞行的时间望远镜系统

研制了一种飞行时间望远镜，其组成为Ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｏｒ Ｆｏｉｌ＋ＰＰＡＣ＋ＩＣ＋Ｓｉ，用２５ＭｅＶ／Ａ＾４０Ａｒ束流在线测量，电荷分辨Ｚ／△Ｚ（ＦＷＨＭ）＝４６，质量分辨Ａ／△Ａ（ＦＷＨＭ）＝６７，时间分辨为３４４ｐｓ，能量分辨为０．８％。