光折变晶体中的盘式三维全息存储

利用空间-角度复用和球面参考波技术在盘式光折变铌酸锂晶体中存储了2000 幅高分辨率图像,并获得满意的再现。给出了选取盘面旋转角度等主要参数的基本依据和存储器达到的主要性能指标。研究表明,实验结果与理论分析符合得很好,证实了全息光盘在大容量信息存储方面的可行性。     

LiNbO3:Ce:Cu晶体中全息图像的双色复用记录

采用365 nm的门光束和633 nm的记录光,在双掺杂LiNbO3:Ce:Cu晶体中实现了全息图像的双色记录和无损读出.探讨了双色存储全息图的图像保真度,采用信噪比(SNR)损失描述双色固定过程对全息图像的像质影响.利用角度寻址器件,采用等时曝光时序,实现了50幅全息图像的双色复用记录和固定,并对其噪声的特点进行了初步分析.结果表明,固定后50幅全息图像的信噪比损失平均值为1.14;50幅全息图像的衍射效率基本相等,平均衍射效率达7.64×10-6.     

利用双色存储中的振荡阶段实现等时曝光复用记录

研究了在双掺杂LiNbO3∶Fe∶Cu晶体中进行双色全息存储时记录初始阶段振荡现象的形成过程,认为敏化后的晶体深浅能级的电子分布达到了一种动态平衡状态,在记录开始时引入调制红光照射晶体导致了浅能级大量电子被激发,使深浅能级的电子数目向一种新的平衡状态转化。理论分析了利用振荡阶段浅能级电子数密度随记录时间递减的特点进行等时曝光,实现等衍射效率的全息复用的可行性,并在实验上在双掺杂LiNbO3∶Fe∶Cu晶体中利用100 s等时曝光实现了15幅全息光栅的等衍射效率复用。结果表明,利用双色存储中的振荡阶段浅能级电子数目逐渐减小的特点,采用等时曝光就可以实现小规模的等衍射效率全息复用记录。     

LiNbO3：Fe：Cu晶体全息时间常数的理论研究

根据双中心全息存储的理论模型,采用Runge-Kutta数值方法拟合了双中心全息存储的记录过程和紫外光擦除过程的时间常数,研究了双掺杂LiNbO3：Fe：Cu晶体的浅能级掺杂浓度、深能级掺杂浓度和光束比IR/IUV对记录时间常数和紫外光擦除时间常数的影响。结果表明,在双掺杂LiNbO3晶体的全息复用中,为了同时得到小的记录时间常数和大的紫外光擦除时间常数,可选用深能级掺杂浓度较小的晶体,采用大的光束比进行复用存储。     

光纤耦合波长复用的全息光盘存储记录

详细描述了用光纤耦合、波长复用的全息光盘仔储光路．指出在全息光盘驱动器即将市场化的今天．由于其光路简单、光学元件较少、性价比高．很有可能成为新的全息光盘驱动器的核心技术之一。由于短波长单模光纤及其双波长光纤分束器件的要求比较高．而用多模光纤进行准单模输出调整．以及用分光棱镜进行光束的分光．同时用对双波长敏感的光致聚合物材料进行存储．其光谱灵敏度均匀．光谱范围互不重叠。实验结果表明．光路结构合理．存储效果良好。     

多重频谱滤波法改进体全息存储图像相关识别

采用体全息存储器建立图像数据库，存储器件是立方形掺铁铌酸锂(Fe：LiNbO3)晶体，1020幅汉字图像通过水平和垂直的角度复用技术以及顺序曝光法记录在晶体的同一点中，可以实现并行相关运算。提出了多重频谱滤波方法，有效地抑制直流分量和噪声，使相关峰陡峭，自相关峰值与背景平均值之比约为4．2，极大地提高了体全息存储相关器的识别精度。     

基于数字微镜器件的高分辨率计算全息显示

针对基于数字微镜器件的全息显示分辨率受限的问题,提出了一种大尺寸、高分辨率计算全息显示方法.本文利用计算机渲染或相关变换方法生成高分辨率输入图像,利用菲涅尔衍射算法和傅立叶变换并行计算提升全息图的分辨率,根据数字微镜器件特性进行衍射图像的时空复用与动态融合,有效提升计算全息显示的分辨率与动态效率.实验结果表明,该方法可...     

光伏电场对大容量体全息存储的影响与抑制

Fe∶LiNbO3 晶体有很强的光伏效应。通过理论分析和实验验证 ,在全息存储过程中 ,光伏效应会在晶体表面产生非均匀的光伏直流电场 ,它不仅降低了材料的动态范围 ,并且引起了Bragg失配 ,使得再现图像失真。消除光伏直流电场的方法是使用电解质溶液短路晶体表面电荷。采用这种方法 ,在晶体一个公共区域内 ,可存储 1 0 0 0幅能够清晰再现的全息图像     

体全息存储图像的信噪比研究

根据全息存储二值图像的特性,提出了评价重构图像信噪比的方法,并对掺铁铌酸锂晶体中角度复用全息存储图像的信噪比作了详尽的定量研究,包括存储过程中图像信噪比的动态演变,以及页内和页间串扰对重构图像信噪比的影响。测量结果表明,串扰噪声引起的信噪比下降趋势与理论分析一致,图像信噪比的恶化主要是由于相干光学噪声和测量仪器的噪声;实验结果还表明即使在较小的衍射效率下也可获得较好的存储图像信噪比,从而为存储容量和图像质量之间的最佳均衡创造了条件     

高速高精度体全息光学相关器

体全息光学相关器基于体光栅的布拉格选择性,在记录介质的共同体积中利用角度复用存储多幅图像。相关计算时,输入一幅图像可以并行输出所有的相关点,每个相关点的强度代表输入图像与对应库图像之间的内积值。分析了提高体全息光学相关器运算精度和速度的关键技术。总结了近年来采用散斑调制技术降低相关通道串扰,采用二维随机交错方法消除图案依赖行为,采用多样本并行估计方法提高并行运算精度,采用读写分离结构实观系统小型化集成等体全息光学相关器技术方面的研究进展。目前体全息光学相关器已经实现超过7500通道的并行运算能力,运算速度达到138GHz。系统在遥感图像匹配、指纹识别等领域的成功应用证明了其高速高精度运算能力。     

用熔体外延法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶

用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有不同于液相外延等常规晶体生长方法的创新生长工艺.红外傅里叶光谱测量证明InAsSb材料的截止波长超过10μm.X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构,且与InAs衬底取向一致,均为(100)方向.霍尔测量结果给出295K下,InAsSb的电子迁移率为4.75×104cm2/Vs,截流子浓度为3.61×1016cm-3;77K下电子迁移率为2.86×104cm2/Vs,载流子浓度为1.50×1016cm-3.数据显示这种材料具有研制新型探测器的良好前景.     

A synthetic aperture at optical frequencies

Synthetic aperture radar principles are employed to resolve targets within the beam of a helium-neon laser. Reflections from closely spaced targets moving simultaneously through a laser beam are detected in the presence of a reference beam. The resulting signals are stored on film and subsequently processed to reconstruct the target images.     

激光等离子体中的靶电压测量

观测并分析了不同功率密度下,由于激光等离子体的空间电荷分离效应而产生的靶电压。100微微秒的1.06微米激光垂直入射到平面铝靶上,功率密度在2×10~(14)～8×10~(14)瓦/厘米~2范围内,测得几千伏的靶电压,持续时间等于或小于毫微秒量级。     

Ho∶YLF激光泵浦的长波红外ZnGeP2光参量振荡器

以2.05μm Ho∶YLF激光器作为光源,泵浦了长波ZnGeP₂光参量振荡器,实现了高效率、高重复频率的长波激光输出。激光器输出的峰值波长为8.1μm,最大输出功率为3.2 W@10 kHz,泵浦激光到长波激光的光光转换效率为12%,斜效率为19.3%,激光单脉冲宽度为27.11 ns,单脉冲能量为0.32 mJ,单脉冲峰值功率为11.8 kW,X方向的光束质量因子为4.5,Y方向的光束质量因子为4.2。     

快速凝固Al-8.8 Fe-3Ti中亚稳相空间群的会聚束(CBED)确定

用会聚束电子衍射(CBED)对快速凝固(RS)Al-8.8wt％Fe-3wt％Ti合金中成分为85.6Ti-11.5Al-2.9Fe(wt％)的块状亚稳相的分析表明:它属于面心立方晶系,空间群为Fm3m,点阵常数α=0.426nm。作者认为这种块状相是在快凝合金中产生的一种新的三元亚稳相。     

Radiation effect on the optical and electrical properties of CdSe(In)/p-Si heteroj unction photovoltaic solar cells

The efficiency and radiation resistance of solar cells are graded.They are then fabricated in the form of n-CdeSe（In）/p-Si heterojunction cells by electron beam evaporation of a stoichiomteric mixture of CdSe and In to make a thin film on a p-Si single crystal wafer with a thickness of 100μm and a resistivity of～1.5Ω·cm at a temperature of 473 K.The short-circuit current density(j_sc),open-circuit voltage(V_oc),fill factor（ff） and conversion efficiency（η） under 100 mW/cm²（AMI） intensity,are 20 mA/cm²,0.49 V,0.71 and 6%respectively. The cells were exposed to different electron doses（electron beam accelerator of energy 1.5 MeV,and beam intensity 25 mA）.The cell performance parameters are measured and discussed before and after gamma and electron beam irradiation.     

周期极化近化学计量掺镁铌酸锂晶体倍频研究

采用气相输运平衡技术,对不同掺镁浓度的铌酸锂进行了近化学计量处理,并检验了其抗光折变性能。实验结果表明,掺摩尔分数为2%的镁的近化学计量铌酸锂晶体,光折变阈值比同成分晶体提高了4个量级。通过施加4.5kV/mm的脉冲电场,在上述1.0mm厚z切晶体上制备出了周期为6.8μm的均匀畴结构。采用声光调Q Nd:YAG激光器作抽运光源,基频光波波长为1.064μm,平均输入功率为230mW,在室温条件下,得到波长为0.532μm,输出功率为2.8mW的倍频绿光输出,倍频转换效率为1.22%。。     

An 87 fJ/conversion-step 12 b 10 MS/s SAR ADC using a minimum number of unit capacitors

This work proposes a 12 b 10 MS/s 0.11 μm CMOS successive-approximation register ADC based on a C-R hybrid DAC for low-power sensor applications. The proposed C-R DAC employs a 2-step split-capacitor array of upper seven bits and lower five bits to optimize power consumption and chip area at the target speed and resolution. A V_CM-based switching method for the most significant bit and reference voltage segments from an insensitive R-string for the last two least significant bits minimize the number of unit capacitors required in the C-R hybrid DAC. The comparator accuracy is improved by an open-loop offset cancellation technique in the first-stage pre-amp. The prototype ADC in a 0.11 μm CMOS process demonstrates the measured differential nonlinearity and integral nonlinearity within 1.18 LSB and 1.42 LSB, respectively. The ADC shows a maximum signal-to-noise-and-distortion ratio of 63.9 dB and a maximum spurious-free dynamic range of 77.6 dB at 10 MS/s. The ADC with an active die area of 0.34 mm² consumes 1.1 mW at 1.0 V and 10 MS/s, corresponding to a figure-of-merit of 87 fJ/conversion-step.     

双光栅结构薄膜太阳能电池的优化

为了提高单晶硅薄膜太阳能电池短路电流密度和转换效率, 采用在单晶硅薄膜太阳能电池正背面分别集成硅介质光栅和铝金属光栅的方法, 并利用有限时域差分法软件仿真研究了两种光栅的周期、厚度、占空比对单晶硅薄膜太阳能电池短路电流密度和光转换效率的影响。结果表明, 通过优化可得当正背面光栅都处于最优值时(介质光栅占空比F=0.8、介质光栅周期P=0.632μm、介质光栅厚度h_g=0.42μm; 金属光栅占空比F₁=0.9、金属光栅周期P=0.632μm、金属光栅厚度h_m=0.005μm), 短路电流密度可达35.15mA/cm2, 转换效率为43.35%;将最优光栅单晶硅薄膜太阳能电池与传统单晶硅薄膜太阳能电池对比, 无论是光程路径还是吸收效率, 光栅单晶硅薄膜太阳能电池都有显著的提高。这为以后制备高性能薄膜太阳能电池提供了理论指导。