CS44系列：薄膜片式电阻

Vishay Intertechnology推出可邦定的薄膜片式电阻CS44系列,电阻的占位仅有40mil×40mil（1mm×1mm）,电阻值高达100MΩ。该系列具有±50ppm,℃的低TCR和±0．5％的容差．     

Vishay新款精密薄膜片式电阻功率等级达2W

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术,具有高功率等级和低至±25ppm/°C的绝对TCR,在-55°C~+125°C宽温条件下,经过激光微调的公差低至±0.1%。PTN电阻的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮水平超过MIL-PRF-55342的极限,使这款器件非常适合军工、航天、电信和工业应用的低噪声、高精度控制系     

低TCR高温薄膜电阻

PLTT精密低TCR高温薄膜电阻现可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸,阻值范围扩大至250Ω～3MΩ,并可提供非标阻值。PLTT电阻的工作温度范围为膜电阻扩大了近100℃。器件±5×10^-6／℃的标准TCR,比传统薄具有低至容差低至±0．02％,噪声低于-35dB,     

退火对不同基底上氧化钒薄膜电阻的影响

采用直流磁控溅射的方法分别在普通玻璃与硅片上制备了氧化钒薄膜,在大气及真空氛围下分别对样品采取了退火处理,测量了退火前后薄膜的电阻,结合样品的XRD图谱进行了分析。结果表明,在普通玻璃和硅片上均得到了V2O5薄膜。经过大气氛围退火处理后,薄膜的结晶度明显增强,硅片上薄膜的电阻明显变小,而玻璃基底上的薄膜电阻变化则不明显。在温度升高的过程中,Si片上薄膜电阻变化范围为56～0.54MΩ。而经过真空退火处理的薄膜其电阻均发生改变,升温过程中,玻璃基底与Si片上薄膜的电阻变化范围分别为52～16MΩ、4.3～0.46MΩ,说明经过退火后硅片上沉积的薄膜具有较好的电学性能。     

Vishay新款精密薄膜片式电阻功率等级达2 W

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2 W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术,具有高功率等级和低至±25 ppm/℃的绝对TCR,在-55~+125℃宽温条件下,经过激光微调的公差低至±0.1%。PTN电阻的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮水平超过MIL-PRF-55342的极限,使这款器件非常适合军工、航天、电信和工     

Vishay推出业内首款可邦定薄膜片式电阻

日前,VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出业内首款可邦定的薄膜片式电阻—CS44系列,电阻的占位仅有40milx40mil（1mmXlmm）,电阻值高达100MΩ。该系列具有±50ppm／℃的低TCR和±0．5％的容差。     

Vishay新款精密薄膜片式电阻功率等级达2W

日前，Vishay Intertechnology,Inc．宣布，将2512外形尺寸的FIN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术，具有高功率等级和低至±25ppm／℃绝对TCR，在-55-＋125℃宽温条件下，经过激光微调的公差低至±0．1％。     

Vishay SMD薄膜电阻E/H系列,具有每1000小时0.001%的“S”级失效率

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,扩充其通过MIL-PRF-55342认证的E/H系列SMD薄膜电阻,具有每1 000h0.001%的"S"级失效率,共有12种外形尺寸可供选择。QPL器件经过认证后的TCR特性为E、H、K、L和M。     

溅射时间对氧化钒薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射法在普通玻璃上制备了氧化钒薄膜,并对薄膜采取了450 ℃真空退火处理,分别测量了退火前后薄膜XRD图谱及电阻,比较了不同溅射时间（120 min、100 min、60 min）对薄膜性能的影响。结果表明,溅射时间增长,薄膜的结晶度也增强,经过退火处理,薄膜的电阻明显减小,且溅射时间越长,薄膜的阻值越小,3块薄膜的电阻分别达到16.0 MΩ、65.0 MΩ、71.5 MΩ,其随温度变化的幅度也越小。     

MCW0406AT：薄膜片式电阻

Vishay将其MCW0406 AT Precision系列宽端子薄膜片式电阻的欧姆值扩展至1Q,电阻具有低欧姆值和±0．1％的精密公差,以及＋25ppm／K的精密TCR。     

Vishay扩大ORN薄膜模压双列直插式电阻网络的阻值范围

日前．Vishay宣布扩大了ORN系列薄膜模压双列直插式表面贴装电阻网络的阻值范围。增强后的器件可提供499Ω～500kΩ范围内的13种标准阻值,使设计者在相同的标准窄体SOIC鸥翼型封装内可使用阻值更高或更低的电阻。     

PHP系列：薄膜贴片电阻

Vishay Intertechnology推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm／℃的绝对TCR,低至±0．1％的容差,在．     

Vishay开启电阻全新应用领域

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出副基准、密封充油的Bulk Metal箔电阻-H和HZ系列,在精度、稳定性和速度上都设定了新的行业基准。新的H和HZ系列具有0．001％（10ppm）的容差,5Ω～1．84MΩ的阻值范围,在至少6年内（未受潮）的工厂寿命稳定率可达2ppm（±0．0002％）,     

新款PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25 ppm/℃的绝对TCR,低至±0.1%的容差,在-55～+125℃的宽温范围内具有1.0～2.5 W的高功率等级。     

Vishay推出通过AEC-Q200认证的新款薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新系列通过AEC-Q200认证的双路在线路薄膜电阻网络———NOMCA系列。该系列具有低至±25 ppm/℃的绝对TCR,5 ppm/℃的TCR跟踪、±0.05%的严格比例容差,在+125℃下工作1 000 h后的长期比例稳定     

Vishay的新款高可靠性栅极电阻具有6.5kW的高功率和+400℃工作温度

正Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5 kW的高功率和+400℃的工作温度,以及稳健的设计,可直接替换竞争的解决方案。发布的栅极电阻在+40℃下的功率为1~6.5 kW,适用于机车、谐波滤波器、可再生能源以及工业系统里的电容器预充电和放电、电阻制动、负载测试、加热器和中性点接地应用。器件的电阻值为0.1~24Ω,公差为±10%,电感为5~40μH。     

Vishay发布新系列高性能薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新系列可在-55℃～+215℃宽温条件下工作的双通道薄膜电阻网络---HTRN系列。该系列电阻网络的工作温度范围比传统薄膜片式电阻扩大了近100℃,绝对TCR低至±25ppm/℃,TCR跟踪为5ppm/℃,以及±0.05%的严格比例容差。     

E系列：MOSFET

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻,以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中     

无源元件

Vishay精密薄膜电阻大幅扩大工作温度范围日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT。与传统薄膜电阻相比,PLTT电阻的工作温度范围几乎扩大了     

HTRN系列：薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology推出可在-55℃-＋215℃宽温条件下工作的双通道薄膜电阻网络HTRN系列。该系列电阻网络的绝对TCR低至±25ppm／℃,TCR跟踪为5ppm／℃,以及±0．05％的严格比例容差。