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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 171 毫秒
1.
激光辐照面阵CCD探测器系统局部的干扰效应   总被引:13,自引:2,他引:11  
王世勇  付有余  郭劲 《半导体光电》2002,23(2):106-108,135
采用脉冲与连续激光实现了对面阵CCD探测器系统的干扰,研究了脉冲与连续激光辐照CCD探测器系统时,CCD探测器系统工作状态的变化,测量了CCD探测器系统的饱和阈值范围,并分析了造成饱和的原因.在实验中观察到了"光饱和串音"现象,采用脉冲激光实现了对面阵CCD探测器的硬破坏.  相似文献   

2.
脉冲激光辐照CCD面阵探测器系统局部的干扰效应研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
王世勇  付有余  郭劲 《应用激光》2001,21(5):317-318
采用脉冲激光对面阵CCD探测器系统进行干扰,研究了脉冲激光辐照CCD系统局部时,系统工作状态的变化,测量了CCD探测器系统的饱和阈值范围,分析了饱和的原因.在实验中观察到"光饱和串音”现象,实验验证了不同干扰频率对CCD探测系统具有不同的效果.  相似文献   

3.
激光干扰CCD系统的实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
为了验证激光辐照CCD系统的干扰效果,进行了视场内和视场外He-Ne激光干扰面阵CCD探测器系统的实验研究,测得了像元饱和阈值和局部受辐照时的CCD饱和功率街度阈值.使用Matlab编程处理了视场内干扰图像,得到了激光入射能量与CCD饱和面积比的关系曲线,并对实验中出现的光饱和串音现象进行了理论分析.对视场外干扰图像进...  相似文献   

4.
为了研究激光对CCD探测器的损伤效应,采用有限元分析的方法进行了激光损伤CCD的理论分析和实验验证。阐述了激光辐照CCD探测器的损伤机理,设计了激光辐照CCD探测器热效应的仿真模型,针对波长为532nm的高功率激光辐照硅基CCD探测器而产生的热效应,利用有限元法进行了仿真计算,得到了CCD探测器受到532nm激光辐照时硅电极的温度曲线以及硅电极损伤时间阈值,并相应计算出损伤CCD探测器所需要的激光能量阈值为220mJ/cm2左右。结果表明,损伤阈值随着激光功率密度的增大而减小,但变化幅度不大;当多脉冲毫秒激光辐照CCD探测器,在一个脉冲结束、下一个脉冲到来之前,探测器温度恢复到环境温度。该模型可以较为准确地对单脉冲激光辐照CCD探测器时产生的热损伤效应进行模拟。  相似文献   

5.
光电探测器中的非线性光学效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
文中报导了激光与光电探测器相互作用瞬间(不考虑温升或未产生温升)可能产生的记忆,光学饱和、混优、受激光散射等一系列非线性光学效应;给出了某些光伏、光导型探测器以及CCD的光学饱和阈值,记忆效应和混优效应对光电探测器工作的影响,受激光散射可能对光电探测器造成的破坏作用等。  相似文献   

6.
针对大功率激光辐照可见光成像探测器损伤机理,开展了1080nm波段大功率连续激光对CCD探测器损伤模型仿真与实验研究。首先,基于CCD典型结构及各层材料特性,建立了连续激光对CCD探测器热效应损伤模型,仿真模拟了CCD各层瞬态温度场和应力场,分析了连续激光损伤CCD多层结构的时间演化规律;其次,开展了连续激光对CCD探测器损伤实验,获取了CCD损伤阈值,并利用金相显微镜、扫描电镜对CCD探测器各层熔融情况进行了分析;最后,对模型仿真与损伤实验结果进行了对比,并分析了损伤阈值存在差异的原因。结果表明,1080nm连续激光辐照可见光CCD探测器400ms时的仿真损伤阈值为145×106W/cm2,实验损伤阈值213×106W/cm2,误差约为319。仿真与实验结果对探究大功率激光辐照CCD探测器损伤机理、评估干扰效果具有一定的参考意义。  相似文献   

7.
激光对远程目标光电探测器的干扰技术分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用"猫眼效应"实现了激光对远程目标光电探测器发现与定位后,分析了远程目标光电探测器受激光干扰的可能性、激光干扰的机理及其影响因素,估算了远程目标光电探测器光敏面所接收的激光能量,并以CCD为例进行了激光对CCD的软损伤机制分析,指出软损伤主要是指对CCD的饱和或"饱和串音".最后还分析了大气效应对激光干扰的影响.  相似文献   

8.
激光辐照CCD图象传感器局部的破坏效应研究   总被引:18,自引:1,他引:17       下载免费PDF全文
刘泽金  陆启生 《激光技术》1994,18(6):344-347
研究了激光辐照CCD图象传感器局部时,CCD工作性能的变化;测量了连续波激光辐照下CCD的饱和阈值(分别对1060nm和632.8nm)及脉冲激光辐照下的破坏阈值;分析了造成饱和及破坏的机理;用一维绝热边界条件热模型计算热饱和阈值.  相似文献   

9.
单脉冲激光辐照CCD探测器热效应仿真研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究实际情况下激光辐照CCD热效应情况,首先介绍了CCD探测器的结构和工作原理并分析了脉冲激光对CCD探测器的热损伤过程。然后利用有限元方法在三维空间上分别对三种波长的脉冲激光(532nm、808nm、1064nm)辐照CCD进行了固体传热仿真,通过仿真得到了在三种不同波长下CCD探测器的损伤能量密度阈值。接下来通过比较损伤能量密度阈值发现当波长为532nm时,CCD探测器的损伤能量密度阈值最小。最后对比已发表的实验结果找到了比较统一的损伤规律。  相似文献   

10.
XeF激光与YAG倍频激光对CCD软破坏效应对比实验研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
为了对比研究XeF(C-A)激光和YAG倍频激光对可见光面阵CCD的软破坏效应,分别建立了XeF(C-A)激光和YAG倍频激光对可见光面阵CCD辐照效应实验研究平台和CCD图像同步采集系统,在此基础上开展了上述两种激光对CCD的辐照效应实验,获得了CCD出现局部饱和、全饱和、串音以及全屏饱和时的激光能量密度阈值和CCD图像,并对实验数据进行了总结分析,采用激光能量密度阈值法和饱和面积法对CCD图像进行了分析处理。结果表明,两种激光对SONY SUPER HAD型CCD具有相同的软破坏效应。  相似文献   

11.
谢云 《光机电信息》2010,27(12):157-161
采用CO2激光分别对PC型和PV型HgCdTe探测器进行干扰实验,得到了不同入射激光功率密度下的响应波形,给出了两种探测器的热效应干扰阈值和饱和阈值,并对实验结果进行了分析。  相似文献   

12.
雷达系统在进行恒虚警处理时,通常采用的参考单元数是有限的。此时若采用理论的检测门限,将使虚警率大大增加。本文中我们通过仿真的方法确定CFAR中的实际门限系数,研究有限的参考单元数对虚警性能的影响。给出邻近单元平均恒虚警,选大恒虚警,选小恒虚警与加权单元平均恒虚警等四种检测器在不同参考单元数下的门限系数值。同时得出了不同恒虚警率下的门限系数。  相似文献   

13.
激光辐照对HgCdTe长波光导探测器性能的影响   总被引:6,自引:2,他引:4  
对HgCdTe长波光导探测器进行了变功率激光辐照,对激光辐照前后的探测器性能进行了测试。结果表明在受到功率高于暂时损伤阈值但低于永久损伤阈值的激光辐照后,探测器性能有较大的下降。  相似文献   

14.
光电探测器的激光破坏(损伤)阈值分析   总被引:10,自引:2,他引:8  
本文系统收集各种光电探测器及其相似材料在受到激光辐照时所导致的软、硬破坏效应(有时称为激光损伤),综合对比分析各种破坏阈值的大小,为激光与光电探测器相互作用的研究提供一个较为全面系统的参考。  相似文献   

15.
激光对光伏探测器真空破坏的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
为了进一步研究激光对光电探测器的损伤破坏特性,以损伤面积和开路电压的变化为判断标准,实验研究了真空环境与大气环境中,脉冲激光辐照对光伏型探测器的破坏特性。选用无覆盖层的2CR 10×2.5四象限硅光电池作为探测器试件,辐照光源为波长1064nm的Nd:YAG脉冲激光器。分析讨论了真空及大气环境下,单脉冲及多脉冲激光打击时,光伏型探测器的破坏阈值及破坏形貌的区别及其成因。实验分析比较了不同环境下的破坏面积异同及其对光伏型探测器的影响。结果表明,真空环境中的破坏阈值明显低于大气环境,在本文中的实验条件下,其实际阈值约为大气中的40%。该研究在光电对抗及有效防护等方面有重要意义。  相似文献   

16.
针对并行分布式检测网络结构局部采用CFAR检测器的情形,提出了一种在融合规则给定时,局部CFAR检测器最优门限的求取方法。给出了在任意融合规则下融合中心的检测概率和虚警概率关于局部门限的一阶导数的数值计算公式,并利用Broyden方法求取最优的局部门限。该方法避免了传统方法需要计算二阶导数的复杂性,并且更容易推广到局部采用多类CFAR检测器的情形。实验分析表明了算法的有效性。  相似文献   

17.
聚合物网络液晶一般有较大的阈值电压和饱和电压,有明显的迟滞效应,所以降低阈值电压与饱和电压,降低迟滞效应和增加对比度是研究的主要目标。表面活性剂的使用可以有效减小聚合物网络与液晶的相互作用,从而降低聚合物网络对液晶分子的锚定能,来达到降低阈值电压与饱和电压的效果。本文通过在聚合物网络液晶里掺入不同比例的表面活性剂(聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯:TWEEN 80),来研究表面活性剂对聚合物网络液晶电光特性的影响。实验结果表明:在聚合物网络液晶里增加该种表面活性剂的比例达到10∶1时,阈值电压可以降低11倍以上,饱和电压降低5倍以上,对比度有一个大的提高,迟滞效应也得到很大的改善。本文结果对提高PNLC的电光特性有重要的指导意义。  相似文献   

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