手动引线键合设备夹持台解决方案

引线键合是半导体器件最早使用的一种互联方法,多年来一直在努力克服可靠性、可制造性及成本方面存在的缺点。因为手动键合器件的多样性,夹持台是手动键合设备中变化最为多样的部件。介绍了手动键合设备针对不同器件的夹持台解决方案。     

一种全新的在线激光标记系统

一种全新的在线激光标记系统,完全解决了在规模化生产线上对不同型号产品连续在线全自动标记的问题,产品标记一致性和生产效率都得到极大的提高和保证。     

化学机械抛光中的硅片夹持技术

目前半导体制造技术已经进入0.1 3μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势.     

螺旋线行波管的夹持技术研究

主要介绍了螺旋线行波管螺旋线的两种夹持方法:金属管壳三角变形夹持法和绑扎金属管壳热膨胀夹持法,并对两种方法的优缺点做了比较。     

VCD视盘机松下机芯结构机理分析

本文主要阐述ＶＣＤ视盘机松下机芯机械传动原理，并对其结构进行了分析。     

海底光缆拉伸试验中有关问题的探讨

介绍了海底光缆拉伸试验中光纤应变性能的测量方法。对两种光缆夹持装置进行了比较,并对其试验结果进行了分析。提出了防止光纤纵向滑移的措施。     

基于ADAMS的夹持机构仿真及其优化

运用三维建模软件Pro/E对夹持机构进行三维建模,然后将模型导入运动学仿真软件ADAMS中。利用ADAMS软件对模型进行驱动和约束的添加,得到夹持机构的虚拟样机,并进行仿真,得到夹持机构中夹持装置的运动范围。在此基础上,针对夹持装置的运动范围利用ADAMS中的DS（设计研究）、DOE（试验设计）对其进行了分析和优化设计。     

形杆夹持翼片加载螺旋线的色散特性

Ｖ形杆夹持、翼片加载的螺旋线慢波结构很适合于宽频带行波管应用。本文对不同的翼片加载结构的色散特性进行了计算，计算数据与实验测量结果一致性较好。最后讨论了Ｖ形杆与圆形杆夹持时的介质负载和色散特性。     

两种夹持梁在电场作用下的解析解

压电梁在高精度位移控制和微机电等领域有广泛而重要的用途。该文对两种构型的压电夹持梁采用平剖面假设进行了简化，得到了夹持梁在电场作用下挠度和转角的解析解。并采用数值法对其进行了检验和比较，结果显示二者符合良好。     

Ge／Pt／Au,Ge／Au／Ni／Au—n型GaAs欧姆接触的对比研究

对用快速热合金方法（RTP）形成Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au-n型GaAs欧姆接触进行了对比研究。实验结果表明，在合金形貌和欧姆接触特性兼顾的情况下，Ge/Pt/Au和Ge/Au/Ni/Au有不同的“温度－时间”窗口的接触电阻率。合金后，Auger能谱分析表明，Ge/Au/Ni/Au金属系统扩散进GaAs体内的净施主Ge浓度较高，因而接触电阻率较低。两种欧姆接触金属系统经高温存贮一定时间后，发现其接触电阻率都有所降低。     

分析铝电解容器内部接触不良因素

分析了影响ｔｇδ值和螺纹嵌件盖板铝电解电容器内部接触不良的因素，阐述了内部接触不良对产品性能的影响。通过采取有效措施后，解决了该产品内部接触不良的问题。     

n-GaN 基 Ti／AI／Ni／Au的欧姆接触高温特性

研究了在高温工作环境下Ti／A1／Ni／Au（15nm／220nm／40nm／50nm）四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性，退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性；接触电阻率随测量温度的增加而增大，且增加幅度与掺杂浓度有密切关系，掺杂浓度越高，其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢；重掺杂样品的Ti／A1／Ni／Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性；当样品被施加500℃，1h的热应力后，其接触电阻率表现出不可恢复性增加。     

电接触与接触故障的预防

供电线路中的电路连接点.是供电回路中的重要组成部分。在运行中如果出现问题.将会影响安全供电.甚至烧毁设备造成大面积停电。本文对电路连接接触的一些基本知识进行介绍.并提出了搞好电路接触.防范接触故障的措施和应注意的问题。希望能给从事供电运行、维护、检修人员了解掌握电接触的一些基本知识原理提供参考和帮助。     

金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征

基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接 触电阻率和电流-电压(I-V)特性曲线,分析 对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性。实验结果发现,由于金 属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实 现低的比接触电阻率;而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×10¹⁸ cm－3时,并且经过退火,比接 触电阻率能达到4.0×10－7 Ω·cm²;Al与n型Ge和n型Si接 触电极相比,后者可形成良好的 欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n⁺Si接触 电阻率能达到5.21×10－5 Ω·cm²,达到了制作高性能Ge 光电器件的要求。     

高功率半导体激光器的欧姆接触

欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值电流，提高量子效率和延长寿命。为此，在进行了大量的实验后，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６Ω的最低电阻。     

GaN上的欧姆接触

主要描述在ｎ型和ｐ型ＧａＮ上制备欧姆接触的方法，分析了欧姆接触的特性及其形成机理，并讨论了该领域未来的研究趋势。     

介质透镜夹持装置的设计与改进

透镜夹持装置是某工程中透镜设备的重要组成部分，在对透镜进行加工及运输过程中，依靠夹持装置在其上设不同的多个吊挂点，协助其到达不同的角度位置。本文就透镜夹持装置在设计过程中所遇到的一些问题给予分析并进行了设计改进。     

磁光盘定位技术与盘毂安装

讨论了磁光盘在驱动器中的夹持定位技术物为实施磁夹技术需要的秀毂安装技术。详细论述了盘毂超声波焊接原理，通过模式识别寻找盘片中心及盘毂中心的技术，最后通过动态径向偏摆摆测试说明磁夹持满足定位精度要求，超声波焊接满足盘毂安装的产业化要求。     

V形杆夹持翼片加载螺旋线的色散特性

Ｖ形杆夹持、翼片加载的螺旋线但波结构很适合于宽频带行波管应用。本文对不同的翼片加载结构的色散特性进行了计算，计算数据与实验测量结果一致性较好。最后讨论了Ｖ形杆与圆形杆夹待时的介质负载和色散特性。