La掺杂Ni-Zn铁氧体的结构和电磁性能

采用氧化物法制备La掺杂Ni-Zn铁氧体,样品的相组成成分、微结构和电磁性能分别采用X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和振动样品磁强计(VSM)进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5LaxFe2-xO4(x=0.002～0.010)铁氧体的结构和电磁性能。结果表明:x=0.008和0.010时,样品中有LaFeO3第二相出现;随着La3+掺杂量的增加,晶格常数、微晶尺寸和介电常数均呈现先增大后减小,并且都在x=0.006时出现峰值;电阻率和饱和磁化强度均呈现先减小后增大,且均在x=0.006时出现最小值。除了Ni0.5Zn0.5La0.002Fe1.998O4样品外,其他样品的介电损耗角正切均有峰值出现,表现出异常的介电行为。     

Cu离子掺杂Ni—Zn铁氧体的结构和介电性能

用传统的陶瓷制备工艺制备了Ni0.5-xCuXZn0.5Fe2O4铁氧体,其中x=0．12,0．16,0．20,0．24,0．28。对不同Cu掺杂量的Ni—Zn铁氧体样品的结构、微结构和介电性能进行了研究．结果表明：所有的样品均生成子立方尖晶石结构,x=0．24,0．28时,出现了杂相CuO和CuFe2O4;介电常数随频率变化的曲线显示了尖品行结构铁氧体的正常的介电行为,不同频率下介电常数均随cu含量的增加,先减小后增大,在x=0．20时达到最小值;似介电拟耗角正切曲线随频率变化出现异常行为,所有的样品都出现了多个峰值。     

YF3：Nd^3＋纳米带的制备与性质研究

采用静电纺丝法制备了PVP/[Y（NO3）3＋Nd（NO3）3]复合纳米带,将PVP/[Y（NO3）3＋Nd（NO3）3]复合纳米带在700℃焙烧8h,获得了Y2O3：Nd3^＋纳米带。使用NH4HF2为氟化剂,经双坩埚法氟化和脱氨后得到YF3：Nd3^＋纳米带。XRD分析表明,立方相的Y2O3：Nd3^＋氟化后,得到了正交相的YF3：Nd3^＋纳米带,其空间群为Abm2;SEM分析表明,Y2O3：Nd3^＋纳米带和YF3：Nd3^＋纳米带宽度分布分别为3.7±0.9μm和3.7±0.7μm,厚度分别为360nm和330nm。     

掺杂Li＋对荧光粉YBO3：Eu3＋发光性能的影响

采用反应条件温和的水热法制备LI十掺杂的YBO3：Eu3＋荧光粉。通过掺入不同量的L｜＋研究其对荧光粉YBO3：Eu3＋的物相结构、微观形貌及光致发光特性的影响。用X射线衍射（XRD）,场发射扫描电镜（FEsEM）,荧光分光光度计及X射线能量色散谱仪（EDS）等手段表征材料性能。结果表明：Li＋掺杂能够提高荧光粉YBO3：Eu3＋的发光强度,最大能提高近20％。发光增强与Li＋掺杂量的多少有关,同时也可能与Li＋改变YBO3晶体场环境有一定关系。     

热处理对Mn-Zn铁氧体的结构和磁性能的影响

采用氧化共沉淀法制备出Mn-Zn铁氧体前驱粉体,再在空气中和氮气中对前驱粉体进行不同温度的热处理,通过X射线衍射仪（XRD）和振动样品磁强计（VSM）对样品的相和磁性能进行表征。研究结果表明：空气中热处理的样品中均出现了Fe2O3,随热处理的温度升高,Fe2O3的含量减少、样品的饱和磁化强度和初始磁导率增大;600℃氮气中热处理的样品未出现Fe2O3;其饱和磁化强度比空气中同一温度下热处理的要高。     

钴钇掺杂（Ba,Sr）TiO_3基介电陶瓷的制备与性能研究

采用二次固相反应法制备Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷,研究了掺杂钴、钇离子对钛酸锶钡介电性能的影响。结果表明,陶瓷样品Y3＋、Co3＋的最佳掺杂浓度分别为0.04mol%和0.05mol%,最佳烧结温度为1340℃,样品的相对介电常数为4200,介电损耗（tanδ）为0.005。样品的结构为四方晶系,P4mm空间群。获得了高介电常数、低损耗的Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷。     

Co~(2+)/La~(3+)离子掺杂锶铁氧体对介电性能的影响

通过自蔓延燃烧法成功制备了SrFe_(12)O_(19)、Sr_(0.95)La_(0.05)Fe_(12)O_(19)和Sr_(0.95)La_(0.05)Co_(0.2)Fe_(11.8)O_(19)铁氧体,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了材料的结构和形貌,矢量网络分析仪测试了材料的介电性能和反射损耗。结果表明:三种铁氧体粒径均在150nm左右,La~(3+)和Co~(2+)离子的掺杂使锶铁氧体结晶度提高。在2.0~20.0GHz频率范围内,SrFe_(12)O_(19)的反射损耗在0.47dB到-0.12dB之间,Sr_(0.95)La_(0.05)Fe_(12)O_(19)的反射损耗在0.17dB到-0.46dB之间,Sr_(0.95)La_(0.05)Fe_(11.8)Co_(0.2)O_(19)的反射损耗在0.39dB到-0.21dB之间。     

CoO掺杂MgTiO3-CaTiO3介质陶瓷的介电性能

采用了固相反应法制备了CoO掺杂的MgTiO3CaTiO3(MCT)介质陶瓷.研究了CoO掺杂对MCT介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响.结果表明:CoO掺杂能有效地降低MCT陶瓷的烧结温度至1250℃;CoO掺杂能有效地降低MCT陶瓷的介电损耗(～10-5).     

Ni3Si/Zn体系周期层片结构的断面研究

自从在固态反应中发现周期型层片以来,学术界对其形成原因存在许多争论.利用场发射扫描电镜和能谱仪研究了Ni3Si/Zn体系扩散偶于450℃退火4h后的扩散层断面形貌.发现靠近Ni3Si基体的周期性层片对由单相层(γ-NiZn3)和两相层(T-Ni2Zn3Si+γ-NiZn3)组成;靠近Zn基体部分周期性层片变为δ-Ni3Zn22单相层和Ni4Zn12Si3单相层;过渡区的周期性层片对由两个单相层组成,分别是γ-NiZn3和Ni4Zn12Si3.另外,研究中清楚的观察到γ-NiZn3相的析出、长大以及连接成带状的组织演变过程,表明周期性层片组织的形成是由不同元素扩散速率不同引起的相析出和长大造成.     

La~（3＋）/Ce~（4＋）掺杂对TiO_2光催化活性的影响

以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备纯的及掺杂稀土的TiO2,重点考察了退火温度对纳米颗粒晶相转变的影响。通过光催化降解实验,探讨了退火温度、退火时间、稀土离子掺杂浓度等因素对TiO2光催化活性的影响。结果表明,TiO2粉末在400℃下为锐钛矿型,具有很高的光催化活性;掺杂的TiO2纳米样品在短时间内降解均较未掺杂TiO2纳米样品的催化活性高;掺La3＋最佳摩尔分数为0.05,掺Ce4＋最佳摩尔分数为0.20,最佳退火温度为400℃,退火时间为9 h。掺La3＋量相对较少时催化活性高,而掺Ce4＋的纳米粉体在相对较高的浓度下可达到完全降解。     

退火温度及基片晶向对(Zn1-xCox)2-W薄膜结构和磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在Si（100）和Si（111）基片上沉积的六角铁氧体（Zn1-xCox）2W薄膜,利用XRD（X射线衍射仪）物相分析证明Si（111）基片有利于C轴垂直膜面生长,且在950℃退火时,薄膜结构较好。SEM（扫描电镜）分析表明,晶粒尺寸随着温度升高而变大,950℃退火时薄膜出现六角结构,温度过高出现缺陷;而Si（100）基片上的薄膜在950℃退火时则出现大的裂痕,这影响薄膜的磁性能。采用VSM（振动样品磁强计）测量了垂直膜面饱和磁化强度Ms⊥,在950℃退火时,Si（111）基片上的薄膜垂直饱和磁化强度较大。     

稀土La^3＋和Dy^3＋掺杂BaTiO3纳米粉体的结构及介电性能研究

采用sol-gel法制备了掺杂不同浓度的稀土La3+、Dy3+离子的纳米BaTiO3粉体样品.通过XRD表征分析了样品的粒度和晶体结构,并通过电容法研究了样品的介电常数及介电损耗因子.研究结果表明,在900℃焙烧2h制备的稀土掺杂纳米BaTiO3:RE3+(RE=La,Dy),粉体的平均粒径在20～40nm之间,比在相同工艺条件下制备的纯纳米BaTiO3粉体的平均粒径明显变小,室温介电常数明显增高.随着稀土离子浓度的增加,纳米BaTiO3:RE3+粉体粒径减小,晶体结构由四方相向立方相转变,其介电常数也随之提高.     

Li-Ti共掺对Bi2（Zn1／3Nb2／3）2O7陶瓷

采用固相反应法制备（Bi1.975Li0.025）（Zn1/3Nb2/3-x/2Tix/2）2O7陶瓷,研究了当Li^＋的替代量一定时,不同量的Ti^4＋替代Nb^5＋对BLZNT系介质材料介电性能的影响。研究结果表明：在取代的范围内仍然保持单斜焦绿石相;1MHz介电常数的温度系数由225．35×10^-6／℃逐渐增加到416．48×10^-6／℃;在-30℃≤T≤130℃,观察到BLZNT样品出现介电损耗弛豫现象,随着掺杂含量的增加,介电损耗弛豫峰向高温移动。     

Li-Ti共掺对Bi2(Zn1/3 Nb2/3)2O7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备(Bi1.975Li0.025)(Zn1/3Nh2/3-x/2Tix/2)2O7,陶瓷,研究了当Li 的替代量一定时,不同量的Ti4 替代Nb5 对BLXNT系介质材料介电性能的影响.研究结果表明:在取代的范围内仍然保持单斜焦绿石相;1MHz介电常数的温度系数由225.35×10-6/℃逐渐增加到416.48×10-6/℃;在-30℃≤T≤130℃,观察到BLZNT样品出现介电损耗弛豫现象,随着掺杂含量的增加,介电损耗弛豫峰向高温移动.     

Cr掺杂量对Zn1-xCrxO稀磁纳米材料的结构及性能影响

利用水热法制备了Zn1-xCrxO稀磁纳米材料,采用XRD、FESEM、EDS、PL和VSM等方法对样品的结构与性能进行了表征与分析,考察了Cr掺杂量对Zn1-xCrxO样品的结构与性能影响。XRD分析表明Zn1-xCrxO样品为ZnO六方纤锌矿结构,随着Cr掺杂量增加样品的结晶性能下降,并且样品的形貌由较好的六角棒状结构逐渐变得杂乱;磁滞回线分析表明Zn1-xCrxO样品具有良好的室温铁磁性,Cr掺杂量不同,样品的磁性不同;PL谱表明适量Cr掺杂对ZnO的发光性能有促进作用。     

Tb（3＋）,Gd（3＋）掺杂LaPO4纳米棒的合成及其发光性质研究

采用水热合成法,在不添加任何辅助试剂的条件下合成了长约5μm、宽250nm的LaPO4纳米棒,并对其进行了Gd3＋和Tb3＋的掺杂研究.用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、荧光光谱仪对其结构和发光性质进行了表征.结果显示,所合成的LaPO4纳米棒为单斜相,Gd3＋是Tb3＋的优异敏化剂,Tb3＋和Gd3＋双掺杂后,发光性能比Tb3＋单掺时明显提高.     

Sb掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了( Mg0.95-X Ca0.05 SbX) TiO3微波介质陶瓷.研究了Sb掺杂对0.95MgTiO3-0.05 CaTiO3 (95MCT)陶瓷性能的影响.结果表明:Sb掺杂95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相,有中间相MgTi2O5的产生;Sb掺杂能有效的降低95 MCT陶瓷...     

掺杂对β—C_2S结构和性能的影响

本文通过用XRD测定晶格畸变与晶粒大小,XPS测定电子结合能,FT—IR和Laser Raman法测定结构基团振动谱及微热量热法测定早期水化速率探讨了掺杂β—C_2S的微观结构与性能之间的关系。指出掺杂β—C_2S的晶格和SiO_4~(4-)团发生畸变、无序度增加、晶粒细化、电子结合能化学位移是其活性提高、水化加速的根本原因。