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针对目前软岩巷道爆破掘进过程中出现的超挖、欠挖等问题,吸收国内外施工经验,分析得出在外界干扰条件下,爆破能量未能均匀向周围释放进行扩张做功的结论.通过实验分析和现场调研,得出合理确定爆破技术参数,实现爆破能量的有效分配,是实现定向断裂爆破的关键.因此决定采用定向断裂爆破技术,设置单孔、双孔和三孔3种爆破模型,4种不同介质耦合条件下的装药结构,进行分析对比,最终采用水耦合方式的三孔模型定向断裂爆破技术进行现场爆破实验,从而达到爆破能量的有效分配,提高软岩巷道的爆破质量,实现安全快速掘进. 相似文献
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定向断裂控制爆破机制与生产试验 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用动光弹超动态量测技术,在实验室模型试验基础上,优选出定向切缝药包爆破新方法,分析了定向断裂爆破应力场参数和定向断裂爆破机理,并在矿井巷道中进行了正规循环生产试验,证实了巷道定向断裂控制爆破新工艺可取得明显效果,具有广阔应用前景。 相似文献
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在煤矿巷道掘进中,普通光面爆破技术存在着围岩表面超挖、欠挖、严重破坏等现象,后期支护难度大,维护成本高。在定向断裂控制爆破技术机理分析的基础上,提出了周边眼切缝药包定向断裂控制技术,进行了切缝药包爆破和普通药包爆破的工程应用对比研究。试验结果表明:采用外径38 mm、内径36 mm,切缝宽度4 mm、切缝长度600 mm的PVC管作为切缝管进行切缝药包定向断裂控制爆破,其爆破效果较好。切缝药包爆破改善了巷道断面平整度,开挖轮廓平滑,提高了半孔率,最大值为90%。爆破完巷道轮廓成形好,有效控制了超挖量,平均线性超挖量为0.171 m,降低了0.238 m。切缝药包爆破增加周边眼眼距,节约每立方米炸药用量25%,每循环进尺可减少炸药用量约20 kg,减弱了爆破震动。定向断裂控制爆破有效降低了对围岩体的损伤,增加了围岩的稳定性,取得了较为理想的爆破效果。 相似文献
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近年来,随着矿山开采条件的日益复杂,所涉及的工程领域越来越多,我国的许多矿区,目前都存在着软岩巷道支护困难问题,并成为影响矿区发展和矿井经济技术效益的主要凶索之一。软岩巷道支护历来是巷道工程的难题,通过对软岩巷道的特征分析,及支护原理和方法的论述,对泉店矿回采巷道支护方式进行了设计,并给出了相应的建议和措施,取得了良好的效果。 相似文献
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近年来,随着矿山开采条件的日益复杂,所涉及的工程领域越来越多,我国的许多矿区,目前都存在着软岩巷道支护困难问题,并成为影响矿区发展和矿井经济技术效益的主要因素之一。软岩巷道支护历来是巷道工程的难题,通过对软岩巷道的特征分析,及支护原理和方法的论述,对泉店矿回采巷道支护方式进行了设计,并给出了相应的建议和措施,取得了良好的效果。 相似文献
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《工程爆破》2022,(1)
采用光电量测技术,在实验室模型试验研究基础上,测定和分析了定向断裂爆破炮孔周围应力场特征,对光面爆破炮孔应力场作了分析对比,提出了相邻炮孔贯穿机理;优选了较为实用有效的定向断裂爆破方法,证实了应用于巷道生产的可行性。经大同矿务局马脊梁矿运输大巷43个正规作业循环实践表明:在f=6~8的砂岩中掘进断面12.39m ̄2的巷道时,在现有气腿式凿岩机、耙斗式装岩机和矿车运输条件下,采用定向断裂爆破新工艺、三角复式掏槽、中深孔爆破,可以取得良好的爆破效果。周边眼痕率提高到96%,不平整度小于100mm,炮眼利用率达98%,彻底解决了目前光面爆破难以达到质量指标这一问题。这一新工艺的实施,对改进光面爆破技术、提高岩巷施工速度提供了新途径。 相似文献
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近年来,随着矿山开采条件的日益复杂,所涉及的工程领域越来越多,许多矿区都存在着软岩巷道支护困难的问题,并成为影响矿区发展和矿井经济技术效益的主要因素之一。软岩巷道支护历来是巷道支护中的难题,本文通过对软岩巷道的特征分析,及支护原理和方法的论述,对开滦唐山矿业分公司8242外巷道支护方案进行了分析,并给出了相应的建议和措施,有效地控制了围岩变形,取得了良好的技术效果。 相似文献
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周边密空孔钻爆法在软质围岩隧洞开挖中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
本文结合温州赵山渡引水工程许岙隧洞进口软质围岩隧洞开挖爆破的成功经验,详细介绍了周边密空孔爆破法在软质围岩隧洞开挖中的应用,为软质围岩隧洞开挖爆破提供了有益的经验。 相似文献
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隧道掘进爆破新技术的探讨 总被引:2,自引:1,他引:1
近年来,我国交通事业飞速发展,交通隧道的建设越来越多,研究和发展新的隧道爆破技术已引起工程界的关注。本文通过现场试验,研究、探索一种新的隧道爆破技术—隧道无槽掘进爆破技术,加快隧道掘进中的钻爆工序,对实现隧道的快速掘进具有重要意义。 相似文献
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Fowler-Nordheim隧穿被广泛应用于EEPROM和闪存中的擦除操作。多晶硅到多晶硅的F-N隧穿具有较高的隧穿效率。本论文基于分栅闪存存储器的结构,对于多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅非平面结构的F-N隧穿及其引起的氧化层退化进行了研究。相比于平面结构,非平面结构显示出更高的F-N隧穿效率,且隧穿效率还可通过降低氧化层厚度或者增加预热氧化处理的方法进一步提高。较低的F-N隧穿电流密度显示出较慢的隧穿氧化层退化速率。降低氧化层厚度或者增加热氧化处理也可减缓隧穿氧化层的退化。另外,论文还讨论了研究结果对于改善分栅闪存擦除特性以及耐久性的意义。 相似文献
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The tunnelling currents through the gate dielectric partly embedded with semiconducting single-wall carbon nanotubes in a silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) structure have been investigated. The application of the gate voltage to such an MOS device results in the band bending at the interface of the partly embedded oxide dielectric and the surface of the silicon, initiating tunnelling through the gate oxide responsible for the gate leakage current whenever the thickness of the oxide is scaled. A model for silicon MOS structures, where carbon nanotubes are confined in a narrow layer embedded in the gate dielectric, is proposed to investigate the direct and the Fowler-Nordheim (FN) tunnelling currents of such systems. The idea of embedding such elements in the gate oxide is to assess the possibility for charge storage for memory device applications. Comparing the FN tunnelling onset voltage between the pure gate oxide and the gate oxide embedded with carbon nanotubes, it is found that the onset voltage decreases with the introduction of the nanotubes. The direct tunnelling current has also been studied at very low gate bias, for the thin oxide MOS structure which plays an important role in scaling down the MOS transistors. The FN tunnelling current has also been studied with varying nanotube diameter. 相似文献
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We study adiabatic quantum pumping in bilayer graphene where two-barrier potentials are weakly modulated as pumping parameters. Comparing the results with those for a normal quantum pump of non-chiral quasiparticles, we find that the chirality of quasiparticles in bilayer graphene heavily affects the pumped current through chiral tunnelling. When an exchange splitting induced by the proximity of a ferromagnetic insulator is introduced, the pumped current becomes spin-polarized. It is interesting that an almost 100% polarized charge current and a pure spin current with vanishing charge current can all be achieved under suitable conditions. The experimental feasibility and the interlayer asymmetric effect in bilayer graphene caused by the gate and the ferromagnet structures are also discussed. The results are useful for spintronics applications based on graphene. 相似文献