X波段砷化镓场效应管介质振荡器

本文介绍了反馈型介质振荡器,给出了介质谐振器尺寸的计算方法.该振荡器在8GHz下,温度范围-40～+70℃,频率稳定度为0.6ppm/℃,输出功率16～30mW,在+55℃下连续工作8 小时,频率漂移小于50kHz,推频系数小于10kHz/V,在偏离载频100kHz的FM噪声为-110dBc/Hz.该振荡器在无人值守中继系统中作上下变频器的本振源,使用良好.这类振荡器在10.7GHz下,温度范围-40～+55℃,频率稳定度0.6ppm/℃,输出功率大于5mW.     

17GHz双推式介质振荡器的设计

该文设计了一个基于双推式结构的介质振荡器,输出频率为17 GHz.该振荡器由两个独立的串联反馈式介质振荡器构成.该文介绍了串联反馈式介质振荡器的详细设计过程,并且应用了理论计算简化仿真过程,提高仿真精度.在振荡器的输出端口,用宽带威尔金森功率合成器同时实现了基波和二次谐波的合成,并应用λ/4开路微带线提高了基波抑制度....     

介质谐振器反馈型GaAs FET振荡器

本文扼要分析了高Q介质反馈型FET振荡器的原理,认为介质反馈型振荡器类同于高Q介质谐振器与FET栅极耦合的反射型振荡器。实验表明,在-40～+55℃范围内,频率稳定度达2.0ppm/℃,最佳可小于0.2ppm/℃。同时,介质温度系数对振荡电路的过补偿比欠补偿更有利于提高输出功率温度稳定性。     

X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器

本文采用介质谐振器的高阶模式，研制出振荡频率为１０．７ＧＨｚ的并联反馈型介质稳频振荡器，由于可以获得很高的有载Ｑ值，振荡器具有良好的相位噪声性能。     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。     

X波段介质稳频振荡器

介绍一种环路反馈式ＦＥＴ介质稳频振荡器，达到的技术指标为振荡频率１０．２３ＧＨｚ；在－３０℃＋５０℃范围内，频率稳定度可达０．５５ｐｐｍ／℃；在偏离载频１００ＧＨｚ处的相位噪声为－１１０ｄＢｃ／Ｈｚ；振荡器两中出的功产为１０－１５ｍＷ。     

双介质谐振腔FET振荡器

介质谐振腔FET(场效应晶体管)振荡器有吸收式、并联反馈式和串联反馈式(反射式)等数种.并联反馈式是利用谐振腔把栅极和漏极耦合起来而形成的振荡器,此类振荡器的性能良好.目前并联反馈式振荡器还没有一个合适的数学模型,设计只能靠经验,并且不便采用普通封装的低噪声放大用的FET.吸收式振荡器比较简单,但当谐振腔放在输出端时,高Q值的谐     

X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器

本文采用介质谐振器(DR)的高阶模式(TE021模式),研制出振荡频率为10.7GHz的并联反馈型介质稳频振荡器(DRO).由于可以获得很高的有载Q值,振荡器具有良好的相位噪声性能(偏离载频20kHz处-88dBc/Hz)。     

高性能微带型介质腔稳频体效应振荡器设计

本文采用 T.Hirota 等人提出的微带振荡器非线性等效模型,对体效应管非线性等效电路参数进行数值拟合,得到体效应管的非线性等效电路;利用介质谐振器作为稳频元件,实现稳频 MIC 体效应振荡器,在三公分波段获得高性能稳定振荡器:在-20℃～+80℃温度范围内,频率稳定度为2.2ppm/℃,振荡输出功率大于110mW。     

UHF微带裂环介质谐振器FET振荡器分析

本文提出了微带裂环介质谐振器FET振荡器电路,分析了FET电路和微带裂环谐振器的特性,最后给出设计这种振荡器的频率温度稳定性考虑与优化方法.     

A Highly Stabilized GaAs FET Oscillator Using a Dielectric Resonator Feedback Circuit in 9-14 GHz

A new type of highly stabilized GaAs FET oscillator using a dielectric resonator and a stabilization resistor in the feedback circuit has been developed. The oscillator fabricated with a microwave integrated circuit has a high external quality factor Q/sub ex/ for more than1000 with no hysteresis phenomena. The microwave characteristics of the GaAs FET oscillator has revealed 1) high efficiency of 20 percent with 70-mW output power at 11.85 GHz, 2) a wide tuning range more than1000 MHz, 3) a wide oscillation frequency from 9 to 14 GHz with same MIC pattern by using five dielectric resonators of different sizes, 4) a high-frequency stability as low as /spl plusmn/ 150kHz in the tempature range from -20 to + 60/spl deg/ C, and 5) low FM noise of 0.07 Hz/ /spl radic/Hz at off-carrier frequency of 100kHz.     

A Highly Stabilized Low-Noise GaAs FET Integrated Oscillator with a Dielectric Resonator in the C Band

A GaAs FET integrated oscillator stabilized with a BaO--TiO/sub 2/ system ceramic dielectric resonator provides a high-frequency-stabilized low-noise compact microwave power source. The newly developed ceramic has an expansion coefficient and dielectric constant temperature coefficient that offset each other and result in a small resonant frequency temperature coefficient. A stabilized oscillator output of 100 mW with a 17-percent efficiency and a frequency temperature coefficient as low as 2.3 ppm//spl deg/C are obtained at 6 GHz. FM noise level is reduced more the 30 dB by the stabilization. The dynamic properties of the oscillator and resonator are precisely measured to determine equivalent circuit representations. A large-signal design theory based on these equivalent circuit representations is presented to realize the optimal coupling condition between the oscillator and stabilizing resonator. The stabilized oscillator performance is sufficient for application to microwave communications systems.     

An X-band integrated circuit FET oscillator with dielectric resonator stabilization

Experimental results are presented for the performance of a MIC common drain GaAs FET oscillator and are compared with the performance of the same oscillator stabilized by using a high Q. temperature compensated dielectric resonator made from barium nonatitanate. The unstabilized oscillator gave 85 mW of Rf power at an efficiency of 20%. whilst the compensated oscillator gave 46 mW of power at an efficiency of 12%. with a line width of only 0.3 MHz as measured at 60 dB below the peak. Over the temperature range 0 to 60°C the frequency of the stabilized oscillator changed only 5 MHz, compared t0 the 30 MHz change found in unstabilized oscillators. Mechanical tuning was easily achieved, and careful choice of coupling between the resonator and oscillator eliminated the hysteresis observed in the mode of oscillation of designs previously reported.     

4千兆赫介质谐振器振荡器

本文叙述了介质谐振器作为加载带阻滤波器稳频的基本原理,介绍了4GHz介质谐振器振荡器.该振荡器在-40℃到+55℃范围内,频率稳定度在2ppm/℃左右,在+55℃下连续工作8小时,频率漂移一般在50kHz以内,振荡器的输出功率在10mW左右.该振荡器曾在国际卫星通迅公司5号星电视传输试验中作接收系统的本振源,使用良好.     

X波段介质振荡器的设计

研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率.利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件.选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声.测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz.     

X波段介质振荡器的设计与仿真

主要介绍了介质振荡器的设计理论,以及使用Agilent公司的ADS仿真软件进行X波段介质振荡器的设计和仿真。在设计过程中使用NEC公司的MESFET管NE71084作为振荡器的有源器件,利用介质谐振器实现了输出信号的稳频与反馈。给出仿真结果和输出信号相位噪声与功率的实际测试结果。测试结果表明,该方法可以有效地指导介质振荡器的设计过程,提高设计效率。     

S波段低相噪同轴介质压控振荡器设计

运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计。为了实现电调谐,将变容管合理地加入振荡器,最终设计完成了一个S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。通过对实物成品的测量和调试表明,此压控振荡器达到了预定的技术指标,各项性能良好。测试结果:工作频率为2.075~2.250 GHz,调谐范围为1.75 GHz,输出功率≥11 dBm,谐波抑制度≥23 dBc,相位噪声优于-133 dBc/Hz@100kHz。     

X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究

微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计8．95GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈介质谐振器振荡器,为了放大输出功率和提高负载牵引,在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器,最终的输出功率是＋13．33dBm。测试证明输出信号的相位噪声偏离中心频率100kHz可达-116．49dBc／Hz,偏离中心频率10kHz可达-91．74dBc／Hz。