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《中国无线电电子学文摘》2003,(6)
TN301 2003060364形变超晶格的位错模型与粒子的退道效应/罗诗裕,周小方,林钧锋,马如康,邵明珠(漳州师范学院)I)半导体学报.一2003,24(5).一485一489引入位错模型讨论粒子的退道效应.把超晶格的沟道偏折等效为位错引起的沟道弯曲,并对刃型位错的退道行为作了具体分析.利用正弦平方势,把粒子运动方程化为具有外力矩的摆方程,用能量法分析了系统的相平面特征,导出了系统的退道系数.图1参9(木)有序度得到了较大的改善,并具有.刁、的深隙态密度;薄膜中存在的纳米尺寸的微晶颗粒,提供了光生载流子的复合通道,在非晶母体中的电子空穴对可以转移… 相似文献
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相干的参数X-射线辐射及弯晶的退道效应 总被引:2,自引:1,他引:1
要成功获得相干(衍射)的参数X-射线辐射(PXR)光源,粒子的运动必须是稳定的.但是由于衰减、晶格热振动、电子多重散射和相互作用势的非线性等因素的影响,系统将产生退道、分叉、混沌等不稳定现象,从而对PXR的反射、衍射、聚焦和谱分布产生直接影响.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子在弯晶中的运动方程化为具有常数力矩的摆方程.利用Jaeobian椭圆函数和椭圆积分分析了系统的相平面特征,并用能量法讨论了系统的稳定性,在相空间密度均匀分布的假设下,导出了系统的退道系数.以硅单晶为例,计算了能量为1.0 GeV的质子运动在曲率半径为1 m的(110)面沟道的退道系数η=0.3. 相似文献
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在经典力学框架内和偶极近似下,从势和场的观点出发,把晶体摆动场中的粒子运动方程化为了具有阻尼项和参数激励项的广义Mathieu方程,并对特殊情况下的Mathieu方程、摆方程和倒置摆方程进行了讨论.导出Mathieu方程的三种标准形式,分析了摆方程的三类轨道以及倒置摆的稳定区和不稳定区.用多尺度法找到了纯转动态的近似解和系统的临界曲线.指出了粒子的纯转动态就是准沟道态,准沟道粒子的电磁辐射就是准沟道辐射. 相似文献
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假设超晶格的"锯齿形"沟道对粒子的作用可等效为形状相似的周期调制,引入正弦平方势,并在小振幅近似下,把粒子运动方程化为具有硬弹簧特性的Duffing方程.利用多尺度方法分析了共振线附近的粒子运动行为,讨论了系统的主共振、子共振和超共振.计算了超晶格"锯齿形"沟道的临界斜率与系统参数之间的关系,为能带工程或超晶格光磁电效应的进一步研究提供了理论分析. 相似文献
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假设超晶格的"锯齿形"沟道对粒子的作用可等效为形状相似的周期调制,引入正弦平方势,并在小振幅近似下,把粒子运动方程化为具有硬弹簧特性的Duffing方程.利用多尺度方法分析了共振线附近的粒子运动行为,讨论了系统的主共振、子共振和超共振.计算了超晶格"锯齿形"沟道的临界斜率与系统参数之间的关系,为能带工程或超晶格光磁电效应的进一步研究提供了理论分析. 相似文献
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根据非简并态耦合波方程,对充满磁化铁氧体的矩形波导双模旋磁传输效应进行了系统分析,解出了在各种磁化状态下的传输本征模式,讨论了本征模的极化状态。分析了矩形波导移相器的设计原理。 相似文献
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Dislocation generation and multiplication in heterojunction bipolar transistors (HBTs) under electrical bias was studied using a finite element model. This model was developed to solve a physical viscoplastic solid mechanics problem using a time-dependent constitutive equation relating the dislocation dynamics to plastic deformation. The dislocations in HBTs are generated by the excessive stresses including thermal stress generated by the temperature change in the device during operation. It was found that the dislocation generation rate at the early stage and the stationary dislocation densities depend strongly on the current density. 相似文献
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本文利用光束变换公式分析了高斯光束通过望远镜系统的传播,讨论了最大扩束比问题。推导出了一般情况下的成象方程和物象比例公式并和其它结果作了比较。 相似文献
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Results from systematic computer simulation studies of boron, phosphorus, and arsenic implants into silicon that are important to integrated circuit technology are discussed in terms of interatomic potential, electronic energy loss, and target orientation effects. Detailed crystallographic analyses of axial and planar channeling are presented. The time evolution of an interesting collision cascade which depicts accidental channeling and dechanneling for a 5-keV boron implant is also presented. An examination of the binary collision cascade code MARLOWE is made and applied to simulate hyperchanneling of high-energy alpha particles in silicon 相似文献
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