注入离子浓度的均匀性

本文讨论了在靶上获得所需要的均匀离子密度的离子束扫描条件。引用已经确认的多种分布模型:借助余弦曲线或标准分布曲线,发现可以减少扫描条数。同时给出了离子密度非均匀性的测量方法,并介绍了一些实验结果。     

辉光离子氮化及其耐磨性

本文着重探讨了八种材料(钢和铸铁)在不同的工艺参数条件下,离子氮化硬度变化情况;研究对比淬火,气体软氯化,离子氮化及调质等热处理状态下,各种材料的耐磨性能;摸索本厂典型零件离子氮化变形规律,并推荐一种进一步减少变形量的第二次离子氮化法。     

指数式离子剂量仪与均匀性检测装置

<正> 由于离子注入机注入晶片的离子(如B、P、A等)数量及注入深度等均可严格控制,故比传统工艺优越得多。特别是在中、大规模集成电路及一些特殊用途器件生产中,已成为必不可少的工艺设备之一。 随着半导体工艺水平的不断提高,对离子注入机的扫描面积、注入剂量、均匀性、重复性等方面提出了更高的要求。根据目前半导体生产的实际需要,我们研制了一套检测离子剂量与均匀性的装置,供微控中束流离子注入机使用。该装置手动工作时,作离子剂量仪使用,剂量预置最大范围达1×10~(19)离子/厘米~2,     

曝光均匀照明系统光照均匀性研究

本文叙述了曝光照明系统的均匀照明原理及实现方法，并提出用计算模拟的方法研究曝光系统的光照分布情况，编制了相应的计算模拟程序。作为实例，给出了作者设计的两个典型的曝光系统光照分布的计算模拟结果。     

反应离子腐蚀中径向腐蚀速率的不均匀性

本文就确定形成边沿到中心的剥离的“牛眼窗”图形的几个原因进行了研究。为某些膜在一个平行极板反应离子腐蚀系统中被腐蚀时,观察到在出现 “牛眼窗”效应的情况下,腐蚀速率从片子周边到中心单调地下降。研究发现,基片边沿反应剂密度值高于中心区的局部反应剂浓度梯度是导致所观察到的不均匀性的主要原因。该浓度梯度可认为是反应剂引起的二个现象和损耗机理的结果。反应剂引起的现象是:(i)“局部过热”(热点)。对等离子体来说,片子的边沿即相当于“热点”。从而,在该处形成较多的反应剂;(ii)从射频发生器到等离子体的电容耦合结构中,阴极上放片子的位置与阴极上其余地方间的空隙。在强耦合包围下的片子周围将形成比其正上方的区域较多的反应剂。反应剂损耗机理受片子与阴极材料的相对腐蚀速率控制。发现,当所使用的阴极在等离子体中以一个较大的速率被腐蚀时,可促进均匀性的改善。还发现,在整个片子表面上,离子轰击是均匀的。因而,与轰击强烈有关的腐蚀过程也是均匀的。     

离子氮化工艺在科研生产中的应用

<正> 一、概述自1977年我们试制成功30千瓦离子氮化炉以来,离子氮化工艺和设备在我所的科研生产中得到了良好的应用。所处理的材料有20Cr、35Cr、40Cr、38CrMoAlA,3Cr2W8V,Cr12,18CrMnTi,W18Cr4V,A3,45钢等,另件有各种齿轮,各种轴类,压铸模,塑压模,汽缸等等,另件的形状、直径、长短、厚箔、差别悬殊,精度级别和要求各不相同。经检验和实际应用考察,均获得好的效果,充分显示了该工艺的优越性。     

不锈钢辉光离子氮化及渗层分析

一、辉光离子氮化原理简介辉光离子氮化的基本过程是活化气相,吸附和扩散。在辉光放电时,氮的正离子在电场能的作用下获得速度,其方向指向被处理的零件表面。正离子的能量消耗在阴极表面的加热(E_T),电子和铁原子的分离上(E_p)。在等离子辉光放电中铁原子与处在不同激发态的氮化合形成氮化物。氮化物     

薄膜均匀性的分析研究

目前,薄膜在现代科学技术中的重要性与日俱增,基本上各种技术都离不开薄膜。薄膜均匀性在光学、光电及微机电系统(MEMS)等器件的加工工艺中起着不可估量的作用。首先,对点源小面积薄膜均匀性的公式进行理论推导;其次,分析了平面和球面夹具的基片薄膜均匀性公式,并根据这些理论公式着重分析影响薄膜均匀性的各种因素以及改进措施;最后,通过对实验数据的分析研究来不断地改进薄膜均匀性的夹具,改善器件的膜厚均匀性、一致性,从而达到提高器件的稳定性和可靠性,降低生产成本的目的。     

PECVD颜色均匀性的研究

根据多晶硅PECVD的制程原理,分别验证温度、流量、功率等工艺参数对镀膜质量的影响,寻求最佳参数,从而达到优化工艺,改善镀膜颜色质量,保证颜色均匀性的目的。     

平板微波炉均匀性提升研究

提出了一种平板微波炉新型曲面天线结构,与平面天线结构相比,其加热均匀性具有明显改善,同时消除采用平面天线的平板微波炉产生的微波盲区。该曲面天线由曲面金属片和内导体构成。根据微波天线理论,首先设计平面天线和曲面天线初始尺寸,然后运用电磁仿真软件HFSS实体建模,通过仿真空载和负载条件下,对比验证曲面天线能够提升均匀性和消除微波盲区,最后再通过天线手板测试验证。研究表明新型曲面天线相对平面天线,加热均匀性提升10.3%,且消除微波盲区。     

离子氮化+淬火的复合热处理工艺试验

本文介绍20~#、20Cr、45~#和40Cr四种钢经离子氮化+淬火的复合热处理后,能较大幅度地提高钢的强硬性。与单一氮化相比可提高硬度66～140%;与单一淬火相比可提高硬度40～59％。更为可贵的是经复合处理后,从表面至心部的硬度下降较缓慢,这是很有实用价值的。     

助焊剂喷雾式涂覆的均匀性研究

在波峰焊接工艺中。助焊剂（Flux）是一种促进焊接的化学物质,是焊接中不可缺少的辅助材料,其作用极为重要．具体体现在以下三个方面：     

锑化铟晶片的电学均匀性研究

锑化铟焦平面探测器是红外成像系统的重要组成部分,对红外成像的成本和性能都有重要影响。锑化铟晶片的质量及均匀性决定了探测器的性能。通过霍尔效应测试、低温探针法以及微波光电导衰退法研究了锑化铟晶片的电学性能均匀性。结果表明,所制备的锑化铟晶片的载流子浓度和电子迁移率的面分布较均匀,但低温电阻率以及少子寿命的分布呈现较小的非均匀性变化,这主要与锑化铟生长过程中的杂质分凝有关。     

LED背光源亮度均匀性的研究

讨论LED的偏置电阻和发光亮度对LED背光源亮度均匀性的影响。     

聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究

为了研究静置时间、液面下降速度对聚苯乙烯（C8H8）滤光膜厚度和均匀性的影响,采用浸渍法制备了C8H8滤光膜,通过改变静置时间、液面下降速度,制备了不同的样品。用Vecco Dektak6.0探针轮廓仪测量样品厚度,利用插值法方法,研究了C8H8滤光膜与静置时间、液面下降速度的关系。结果表明,静置时间和液面下降速度对C8H8薄膜厚度和均匀性有很大影响。静置时间越短,液面下降速度越小,浸渍法制备的C8H8滤光膜的均匀性越好。     

PCVD单模光纤的均匀性研究

研究了用等离子体化学汽相沉积工艺(PCVD)制备单模光纤的均匀性问题。首先,给出了沿光纤轴向各段的衰减系数、模场直径、截止波长和几何尺寸的测量结果,然后,分别从化学汽相沉积原理和预制棒成丝流变学原理两个方面分析了熔炼和拉丝工艺对光纤均匀性的影响,进而提出了改善单模光纤均匀性的方法。本文的研究结果对制造优质单模光纤具有一定的指导作用。     

大尺寸背板蚀刻均匀性研究

对于某些大型设备而言,大尺寸的PCB成为不可或缺的器件。PCB尺寸增大,同时外层线路精细化、阻抗控制要求更加严格,致使外层蚀刻均匀性要求更为重要。本文着重对影响大背板蚀刻均匀性的几个因素进行剖析,以提高实际生产中过程中大背板的蚀刻均匀性。