CMOS图象传感发展状况

比较了ＣＭＯＳ图象传感器与ＣＣＤ图象传感器的优缺点,分析了ＣＭＯＳ图象伟感器的结构、研制现状、应用及市场前景。指出了随感器技术的发展,ＣＭＯＳ图象传感器可以代替ＣＣＤ图象传感器,并预见了其发展趋势。     

浅析Turbo C图象处理函数的缺陷与象素的保存和恢复

利用象素的保存和恢复，克服了ＴｕｒｂｏＣ提供的函数处理点阵图象的不足，提出了一个非常实用的改进方法，详细介绍了视频ＲＡＭ按位读写过程，并给出演示源程序。     

一种在DOS操作系统中快速使用WINDOWS位图的简便方法

本文分析了ＷＩＮＤＯＷＳ位图文件（．ＢＭＰ文件）和Ｃ语言所定义的屏幕位图象文件的存储结构，提出了一种通过屏幕位图象文件在ＤＯＳ操作系统下快速简便使用ＷＩＮＤＯＷＳ位图的方法。最后给出了在ＤＯＳ环境中用此方法显示ＷＩＮＤＯＷＳ位图的Ｃ语言源程序。     

运动估计快速半象素级搜索方法的实验研究

提出了３种运动估计快速半象素级搜索方法。实验分析表明这３种方法具有较好的ＭＳＥ性能和解码图象质量；３种快速方法中最慢的可以节省约２９．１７％运算次数，最快的可节省近５８．３３％运算次数。本文所提出的快速方法可作为运动估计单元中半象素级搜索实时实现的候选算法。     

CMOS差动式流量传感器

提出了一种新颖的与硅栅ＣＭＯＳ工艺相兼容的ＣＭＯＳ差动式流量传感器结构，文中对器件敏感机理和电路进行了分析，理论分析与实验结果相吻合。     

智能一氧化碳报警器原理与设计

介绍一种新型家用的一氧化碳（ＣＯ）报警器的原理与设计。其采用ＭＯＴＯＲＯＬＡ半导体的ＭＧＳ１１００一氧化碳传感器作为ＣＯ敏感元件，辅之温度补偿，由ＭＯＴＯＲＯＬＡ半导体的ＭＣＵ６８ＨＣ０５Ｐ９进行实时控制和特性修正。文中对ＣＯ传感器温度补偿方法、ＣＯ浓度测量温度修正及环境湿度影响，进行了分析和讨论。实际调试证明，本设计也适合采用其他公司的ＣＯ传感器来进行。     

MIS图象输出模块设计

本文描述了ＭＩＳ图象输出模块在ＵＣＤＯＳ３．１和ＦＯＸＢＡＳＥ＾＋环境下的编制方法，并介绍了单色扫描仪生成的图象文件在该环境下的转换及应用。提供的ＤＥ－ＭＯＧＲＥＡ．ＰＲＧ程序，在煤碳交易展示软件中作为主要输出模块之一，取得了较好的运行效果。     

C语言中EGA／VGA图形显示象素的读写

本文介绍了ＥＧＡ／ＶＧＡ显示器在图显示方式下，用ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＣ６．０实现象素读写的四种方法。     

VB6.0图象动态显示技术及实现

图象动态显示的基本思想是从源图象向目标图象复制象素 块,即把一个图象框控件上的象素块移动到另一个图象框控件上。介绍了图象形式、图象文 件格式、图象动态显示编程技术,应用VB6.0实现扫描、百叶窗、马赛克等的动态显示,并 给出了其程序的主要代码。     

TMS320C80在图像通信中的应用

介绍了多媒体视频处理器ＴＭＳ３２０Ｃ８０的系统结构和主要特征，给出了基于ＴＭＳ３２０Ｃ８０的视频图象压缩编解码器的原理框图，并讨论了ＴＭＳ３２０Ｃ８０在图象通信系统中的应用     

CMOS有源图像传感器的最新研究进展

由于CMOS有源图像传感器在单片集成、系统功耗、价格以及微型化方面都大大优于CCD,近年来得到较快进展,特别是其抗辐射的性能,使其在空间应用方面尤其具有优势.介绍了CMOS有源图像传感器的原理、性能和研究进展,重点介绍了在空间领域,特别是星敏感器中的研究进展和应用现状.     

基于大动态范围CMOS图像传感器对数有源像素一种新的FPN抑制技术

对数模式的CMOS图像传感器提供了大动态范围(大约120dB).在对数图像传感器设计中缺少简单的消除FPN的方法.采用对数模式的CMOS图像传感器获得了比线性APS大的动态范围.在对数模式传感器中采用了一种新的FPN抑制技术.即在对数像素中增加一个开关晶体管并结合双采样电路,该技术的实施使得对数像素的读出显著的降低了FPN水平.     

光电二极管有源像素 CMOS图像传感器固定模式噪声分析

在研究有源像素工作机理和制作工艺的基础上,分析了固定模式噪声的产生机制以及对输出信号的影响,建立了噪声产生模型,得出了噪声影响的定量计算的公式.提出了通过优化电路和版图设计抑制电路固定模式噪声的方法.对于无法通过电路设计消除的噪声,提出了双采样电路抑制方法.研究结果对于设计低噪色有源像素具有指导意义.     

一种高填充率的CIS有源像素结构研究与设计

三管有源像素因其像素面积小、填充因子高,是应用最广泛的一种像素结构.填充因子对像素的特性影响很大.增大像素的填充因子可以增加像素的灵敏度和信噪比,但增加像素的面积会限制像素可以达到的最大分辨率,因此像素设计一般是在确定像素尺寸和工艺的情况下,最大限度地提高填充因子.本文在详细分析CIS三管有源像素结构的基础上,采用NMOS复位管和共源共栅结构的源随器偏置管的组合结构,设计出一种高填充率的CIS三管有源像素,填充率达到57%.通过仿真和单元测试,证明方案有效.     

CMOS图像传感器动态范围扩展技术

CMOS有源像素图像传感器动态范围的扩展可采用各种技术,如对数像素结构、横向溢出栅像素结构、多次曝光技术、局部曝光技术等,其中多次曝光技术在可获得大动态范围图像的同时,信噪比(SNR)较高。     

用于数字图像传感器的脉冲宽度调制读出方法研究

为提高数字像素图像传感器的动态范围,提出了一种具有自适应参考电压的脉冲宽度调制读出方法。该方法将像素阵列分成包含相同数目像素的像素块,通过参考电压产生模块使每个像素块的参考电压和像素块内光照强度相关,理论上这种结构能够将数字像素图像传感器的动态范围从48 dB提升至96 dB,实际仿真结果为88.16 dB。分析了像素分块内主要的噪声来源和参考电压产生模块的采样电容引入的偏差。采用65 nm CMOS工艺实现了4×4的像素块电路,在高光强和弱光强条件下分别将电路输出同理论计算值相比较,并分析了产生误差的原因。     

应用使能检测单元的抗辐射数字像素图像传感器

介绍了一种经过抗辐射设计加固的 CMOS 数字像素图像传感器,并提出了一种可以抵抗单粒子效应的使能检测单元。这个使能检测单元通过将信号传输给三个移位寄存器并判断寄存器输出是否一致来判断和屏蔽单粒子效应。实验结果表明：芯片的最大信噪比和动态范围分别是54.15 dB 和56.10 dB,使能检测单元可以屏蔽单粒子效应。     

大尺寸像素电荷转移的优化方法

为了提高CMOS图像传感器大尺寸像素的电荷转移效率,消除图像拖尾,通过对像素内电荷转移的RC模型分析,提出一种优化电荷转移的方法。从工艺和版图两方面进行优化,工艺方面是在N埋层的形成步骤中增加一步P型杂质注入,使光电二极管内存在电场,增强电荷转移;版图方面是优化光电二极管的版图为U型,使传输栅伸进光电二极管内尽量长,减少RC模型的传输级数,提高电荷转移效率。与传统像素相比,工艺和版图的优化使电荷转移效率分别提高了2倍和3.3倍,转移时间也分别缩短到传统像素结构的26%和30%左右。对传统像素结构进行工艺和版图同时优化则使电荷转移效率提高了9.5倍。     

抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究

为满足航天应用对大面阵高动态CMOS图像传感器的需求,对噪声优化与辐射加固等关键技术进行了深入研究。基于系统架构的增益级与双相关双采样设计优化、基于采样电路的时序改进,实现了对系统噪声的多层次优化;基于像素级与电路级的总剂量辐射加固与单粒子闩锁辐射加固设计,实现了对100k rad(Si)总剂量和99.8 MeV·cm2/mg单粒子效应的免疫。研究成果已成功应用于一款64M像素超大面阵高性能CMOS图像传感器产品。流片测试结果显示,抗总剂量辐射能力优于100k rad(Si)、暗电流与噪声随辐射增长率提升了一个数量级;抗单粒子闩锁能力优于99.8 MeV·cm2/mg;在整个辐射环境下读出噪声不超过5e-;本征动态范围高达75dB。     

一种新型集成荧光传感器设计与实现

基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器,该传感器采用P+/Nwell/Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器(CTIA)有源像素电路结构。传感器采用0.5μm CMOS工艺实现,测试结果表明:双结深光电二极管在波长532 nm时具有峰值灵敏度为2×10-8A·m2/W,CTIA有源像素结构在光照6lx、积分时间为310μs时的灵敏度可以达到2243 V/lx·s。该设计表明:采用双结深光电二极管单元的CTIA有源像素电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度。