N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究

采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响.其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10 min的热退火.通过对实验测得的光致发光谱的分析,给出了不同注入离子对n型GaN蓝光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱,进而确定蓝光发射起源于注入离子引入的间位缺陷.     

O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究

采用光致发光(Photoluminescencc,PL)谱的测量,研究了1012～1017cm-2的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射(Yellow luminescence,YL)的影响,注入后的样品在流动N2的保护下进行退火,退火温度950℃,退火时间30 min.对比相同剂量下N离子注入GaN黄光发射,结果表明O、C两种离子的注入在GaN中分别引入了与黄光发射相关的不同的深能级中心,当C离子注入剂量高达1017cm-2时,能引起黄光发射的C相关的深能级中心显著增多.     

C注入GaN光致发光和微区拉曼散射的研究

使用光致发光谱和微区拉曼散射谱的测量,研究了C离子注入原生无黄光发射的GaN。C离子的注入剂量范围为1013-1017cm-2。发光谱的研究表明,C注入的GaN经950℃高温退火后出现了黄光发射,而近带边发射峰的峰位则由于C注入产生的某种缺陷而发生了蓝移。拉曼谱的测量表明,GaN薄膜的应力不随C注入而改变。当注入剂量增加至1015cm-2时,出现了与无序激活拉曼散射相关的300cm-1峰,但随着注入剂量进一步增加,300cm-1峰减弱并未消失,这被归因于注入束流强度随注入剂量增大。     

40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性.结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220 nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来.He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放.此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680 nm和930 nm的两个光致发光带.该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关.     

不同电荷态的7Li离子对质粒DNA链断裂的影响

电离辐射致DNA损伤的程度受到很多因素的影响，如剂量、剂量率、射线种类、DNA浓度等。北京师范大学周宏余课题组利用电子顺磁共振谱仪测量了不同电荷态的低能C离子辐照丙氨酸薄膜后产生的自由基浓度，实验结果发现，当离子注量达到10^13cm-2时，随着离子电荷态的增加，产生自由基相对浓度减少。     

Astrophysical S-factor for ^8B（p,γ）^9C via a Study of the ^8Li（d, p）^9Li Reaction

利用Nanoscope Ⅲa型原子力显微镜（AFM），在纳米级尺度上，对上年度得到的不同剂量的^7Li离子辐照DNA分子后产生的DNA碎片进行了观测。得到了不同剂量（2，4，6，8和10Gy）下DNA碎片的长度分布以及DNA碎片的平均长度随剂量的变化曲线，并用形式为α＋bx＋cx^2的二次多项式对平均长度的分布函数进行了拟合。     

0.5—7.5MeV高能磷离子注入硅中剖面分布及剖面迭加

本文对磷离子能量在0.5—7.5MeV、剂量在2.0×10~(12)—1.0×10~(13)/cm~2范围内注入硅中的载流子剖面进行了研究,发现在此条件下,n型磷载流子剖面是由两个只有不同偏差σ_(tront)(σ前)和σ_(back)(σ后)的高斯分布相连接组成的。根据实验所得剖面特性,提出了多次迭加形成平坦剖面的方法。用这种方法结合SiO_2膜屏蔽和调整注入离子能量、剂量,能够获得各种有特殊要求的载流子浓度剖面。为了得到好的可控性和可重复性,采用了瞬态退火技术。透射电镜分析表明:在我们所用退火条件下,剩余缺陷并未出现。这种迭加注入已应用于特种器件研制中,试制出的产品获得令人满意的结果。     

离子注入Cr、Y、Nb对γ-TiAl金属间化合物高温氧化性能的影响

采用MEVVA离子源将Cr、Y、Nb离子分别注入γ -TiAl金属间化合物 ,注入能量 50—6 0keV ,注入剂量为 1× 10 17cm- 2 ,研究γ -TiAl在 10 0 0℃空气中的循环氧化行为。结果表明 ,Cr离子和Y离子注入对γ -TiAl的高温氧化性能均没有明显影响 ;Nb离子注入γ -TiAl,在氧化初期 ,抗氧化性能得到显著提高 ,但随着氧化过程的继续 (超过 10 0h) ,这种改善作用逐渐降低。实验发现 ,通过离子注入和基体合金化向γ -TiAl中加入相同元素 ,由于工艺过程的差异 ,对其高温氧化性能的影响不同。在长时间高温氧化 (10 0 0℃ )条件下 ,离子注入表面改性无法达到提高γ -TiAl抗氧化性能的目的     

在中子诱发^11B反应中^5He发射的研究

^5He在中子诱发的核反应中发射的可能性在理论上已被论证。^5He不稳定，自发崩裂为1个中子和1个仅粒子。在总中子出射双微分谱中，考虑从^5He发射得到的中子可改善低能谱与实验测量数据的符合。此外，计算结果显示，在n＋^11B反应中，预平衡发射是^5He发射的主要机制。对于n＋^11B核反应，在更新的模型参数和更新的能级纲图下，对^5He发射做了细致的讨论。     

He+、N+注入GaN的背散射和电学特性研究

采用背散射／沟道（RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质的结晶品质。研究了He^ ,N^ 注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下，氮气保护退火30min，用GaN法测量电阻率。测量结果表明：GaN的电阻率增大7－8个数量级。在200－400℃下退火，电阻率变化最大。经高温（600－700℃）退火后，电阻率仍比注入前大3－4数量级。     

辐射事故中食盐光致发光特性研究

基于光致发光个人剂量监测系统In Light200,对1～100 m Gy辐照剂量范围内的食盐进行光致发光测量,分析了其光致发光信号的线性响应以及信号的稳定性;探究了不同自然光照时间和不同储存时间对食盐光致发光信号的影响。实验结果表明:食盐在1～100 m Gy辐照剂量范围内具有良好的线性响应和信号稳定性;信号在10 min的自然光照时间后降低到本底水平;信号在30 d的储存时间内几乎无衰减;食盐可用作辐射事故中验证重建的剂量材料。     

高分辨率N型HPGe同轴探测器的研制及应用

报告了高分辨率N型HPGe同轴探测器的研制结果;在固定的离子能量,束流密度和注入角度条件下,研究了探测器外侧P-N结的反向V-I_L特性与注入剂量的关系。实验结果证明,较高注入剂量可以稳定地得到好的探测器,当注入剂量达到1.8×10~(15)B~-/cm~2时,探     

Pb离子辐照注碳a-SiO2薄膜的光致发光性能

用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,进行120 keV C离子注入和950 MeV Pb离子辐照,用荧光光谱分析样品发光特性的改变.结果发现,C离子注入和高能Pb离子辐照均能显著影响样品的发光特性,且荧光光谱的改变强烈依赖于注入和辐照剂量,预示不同注入和辐照剂量将导致不同的发光结构形成.对注入和辐照造成薄膜...     

离子注入C60薄膜的电导率变化

沉积在云母片上的纯Ｃ６０薄膜受２０ｋｅＶ的Ｌｉ＋和Ｎ＋２离子轰击，剂量在０．５×１０１６／ｃｍ２～５．０×１０１６／ｃｍ２之间改变，测量了离子注入后Ｃ６０薄膜方块电阻随温度的变化，进而推导出Ｃ６０薄膜电导率随温度和注入离子剂量的变化；分析了非原位测量中氧元素对电导率变化的影响以及能量较高的注入离子对Ｃ６０薄膜的辐照损伤效应。研究结果表明，Ｌｉ＋注入对Ｃ６０薄膜电导率的影响明显高于Ｎ＋２注入的影响，并给出了不同离子注入条件下Ｃ６０薄膜电导率随温度变化的函数关系式。     

杯冠化合物在处理高放废液中的应用(Ⅲ)--异丙氧基杯[4]冠-6/正辛醇的萃取性能

研究了异丙氧基杯[4]冠-6(简称iPr-C[-4]C6)/正辛醇的萃取性能，主要考察了酸度、模拟高放废液对萃取铯离子以及主要锕系元素和锝的影响，初步研究了辐照剂量对iPr-C[4]C6／正辛醇萃取铯离子的影响。研究表明：水相中无模拟料液时，酸度对iPr-C[-4]C6萃取铯离子的影响较大；除钾离子外，其它共存离子对萃取铯离子的影响较小；有模拟料液存在情况下，酸度的影响较小，而稀释倍数影响较大；辐照剂量小于10^5Gy时，体系对铯离子萃取无明显影响。在硝酸溶液中，萃取体系对锕系元素的萃取率很低;有模拟料液时，除镅和锝外。其它元素的分配比明显升高。     

溅射金属离子簇的形成

当金属或金属化合物表面受到低能(如10keV)粒子轰击时,在发射的许多二次离子中存在着由多原子构成的带电集团,叫离子簇。由于组分不同,又称聚合离子或分于离子。例如,纯金属靶则会溅射出M_n~±(n=1,2,3…);合金靶产生Cu_mBe_n~+(n,m=1,2,…);化合物靶特别是金属氧化物材料则放出M_nO_m~±(n,m=0,1,2…)。其发射强度、离子簇种类的多样性以及多原子离子的结构令人吃惊和费解,引起了理论和实验物理学家很大的兴趣。目前,人们正     

碳团簇Cn+(n=1-5)注入CR39树脂的吸收光谱研究

利用2×1.7串列加速器产生的团簇离子Cn+(n=l-5)注入到CR39树脂中,树脂的光吸收性质因注入的团簇离子的剂量、剂量率以及团簇中所含原子的个数不同而有不同的变化.该项研究表明团簇与固体相互作用时团簇效应是通过电子阻止来体现的.     

低能N+注入对小麦反转录转座子WIS2-1A表达活性的影响

本实验采用不同剂量低能N^＋注入小麦种子,研究种胚在萌动的不同阶段反转录转座子WIS2-1A的表达活动,分析低能N^＋注入对WIS2-1A表达的时间效应和剂量效应。结果显示种子培养初始的60 h内,室温对照组、真空对照组、0.5×10^17 N^＋/cm^-2注入组和1.0×10^17 N^＋/cm^-2注入组的种胚中,反转录转座子WIS2-1A始终维持低水平的表达,且随着种子培养时间延长,表达活性显著下降。经过0.5×10^17N^＋/cm^-2处理的小麦,在培养30 h时,种胚内WIS2-1A的相对表达量最高,达到对照的138倍。该发现表明反转录转座子WIS2-1A可能在低能离子束对当代小麦的诱变效应中起一定作用。掌握WIS2-1A对不同剂量低能N^＋注入的敏感性和它的表达活动规律,能够为低能离子注入生物有机体产生诱变效应的理论研究提供基础。     

甲状腺癌病人接受大剂量131I治疗后常见副作用的调查研究

分化良好的甲状腺癌病人预后较好，但大剂量放射性^131I治疗后会给病人带多方面的副作用，本文研究了甲状腺癌病人接受大剂量^131I治疗后，常见副作用的发生及其与累积治疗剂量间的关系。根据^131I治疗后常见的副作用。选择了10个问题建立标准问卷，由高年资的核医学医师对病人进行随访，对问卷回答结果进行分析比较，结果表明，涎腺炎的晚期症状和严重的口干症状与^131I治疗剂量大小密切相产。研究提示，在治疗过程中要采取一些必要的方法， 尽可能减少副作用的发生，以提高病人的生活质量。     

低能N+离子、紫外线和60Coγ射线对绛红小单孢菌产庆大霉素的诱变效应初步研究

研究了以庆大霉素生产菌绛红小单孢菌为供试菌株，比较了低能村离子、紫外线和^60Coγ射线对绛红小单孢菌的剂量存活效应和诱变效果。结果发现，N^ 离子注入的存活曲线与紫外线、^60Coγ射线辐照不同，即紫外线，^60Coγ射线照射绛红小单孢菌的剂量存活曲线均是指数曲线，而N^ 离子注入呈复杂下降、上升、再下降的趋势，而且3种辐射在诱变效应上也有很大的差异。在相同死亡率条件下，紫外线诱变率低，但正变多于负变，而T射线诱变率高，负变远远多于正变。适当剂量的N。离子注入表现出诱变率高、正变率高及正变幅度大的特点，效果更像紫外 LiCL的复合诱变。并确定了N^ 离子注入绛红小单孢菌的适宜诱变剂量是在存活率高峰处附近。