介观RLC电路在热相干态和热压缩态下的量子涨落

利用热场动力学的方法研究了介观RLC电路在有限温度下的相干态和压缩态中电荷和磁通量的量子涨落.结果表明,介观RLC电路中电荷和磁通量的量子涨落不仅与电路中的元件参数而且可能与环境温度和压缩参数有关,而这些量子涨落与平移参数无关.     

有限温度下介观LC电路中的量子涨落

在有限温度下,介观电路系统实际上并不处在一个确定的量子状态,而是处在混合态.利用量子正则系综理论研究了介观LC电路在混合态下电荷和电流的量子涨落.结果表明,有限温度下介观LC电路中的量子涨落不仅与电路器件参数有关,而且与温度也有关.温度越高,电路中的量子涨落越大.该方法较热场动力学(TFD)方法更易于理解和应用.由于实际的介观电路总是处在有限温度下,所以其结论对控制介观电路中的量子涨落有一定的实际意义.     

激发压缩真空态下介观电路的量子涨落

通过量子化LC电路，运用全量子理论研究了在激发压缩真空态下介观LC电路中电荷、磁通量的量子涨落。结果表明，该电路中电荷、磁通量涨落的大小不仅与电路器件及压缩参数有关，而且与量子态的激发次数有关。     

耗散介观RLC串并联电路的量子涨落

借鉴阻尼谐振子正则量子化的方法,实现了对耗散介观RLC串并联电路的量子化,并在此基础上,研究了真空态下电路中电荷和自感磁通链、电压和电流的量子涨落。结果表明,电路中电荷和自感磁通链、电压和电流在真空态下都具有各自的量子涨落,且量子涨落及量子涨落积的大小皆与电路中的器件参数有关,并随时间按指数规律衰减。     

有限温度下介观电感耦合电路的能量与量子涨落

利用拉格朗日函数给出介观电感耦合电路体系的哈密顿量,通过引入一幺正算符使体系哈密顿算符对角化.借助于广义Hellmann-Feynman定理,讨论了有限温度下电路体系中电荷及其共轭量的量子涨落.结果表明,体系中电荷及其共轭量的量子涨落不仅与电路元件参数有关,而且还与温度有关.     

激发相干态下介观电感耦合电路的量子效应

从无耗散介观电感耦合电路的经典运动方程出发,运用线性变换的方法对电路进行量子化,在此基础上计算了激发相干态下电路中电荷、电流的量子涨落。结果表明,在未接电源时各回路电荷、电流的平均值和方均值均不为零,存在量子涨落,涨落大小不仅取决于回路自身的参数,还与另一回路参数以及耦合电感参数有关,即两回路的量子噪声是相互关联的,而且它们还明显地依赖于电路所处的状态参数,即粒子数态参数和相干态参数。     

普遍意义下介观RLC并联电路的量子化及在真空态下的量子涨落

对具有普遍意义的介观RLC并联电路进行量子化并对各支路电流与电压的量子涨落进行研究, 同时分析耗散电阻对两个支路的量子涨落所产生的影响. 结果表明:各支路的量子涨落均与电路元件的参数有关并且随时间而衰减; 而耗散电阻对电感支路和电容支路量子涨落的衰减因子及其系数均产生影响, 对两个支路电流与电压的量子涨落的衰减因子产生的影响相同, 而对其系数产生的影响不同.当电感支路与电容支路的耗散电阻相同时, 两个支路的电压涨落与耗散电阻有关, 而电流涨落不受耗散电阻的影响.     

有限温度下介观无损耗传输线中电流的量子涨落

利用热场动力学的方法研究了介观无损耗传输线中电流在具有热噪声的真空态、相干态和压缩态下的量子涨落.得到了有限温度下介观无损耗传输线中电流的量子涨落与温度的关系.结果表明,介观无损耗传输线中电流的量子涨落不仅与电路的参数有关,还与传输线所处的环境温度有关.温度越高,介观无损耗传输线中的量子噪声越大.     

量子化介观RLC并联电路在热真空态下的量子效应

根据热场动力学理论,研究了具有普遍意义的量子化介观RLC并联电路在热真空态下产生的量子效应,并分析在各支路中电流和电压的量子涨落与电路元件、环境热真空态以及时间三个方面因素的关系。结果表明,处于热真空态下的量子化介观RLC并联电路,各支路电流和电压的量子涨落均受到这三个方面因素的影响, 并且具有如下规律, 电流和电压的涨落均随时间按指数规律衰减,但衰减速度仅与电路元件的参数有关,而初始时刻涨落的大小由电路元件参数和环境热真空态的温度共同决定。     

三网孔介观电容耦合电路的量子效应

本文将三网孔介观电容耦合电路系统看作一个正则系综，通过计算正则系综的密度矩阵方程得出有限温度下耦合电路中电荷和磁通量的量子涨落．高频下，电路中电荷的量子涨落类似于低温下的情形，表现为典型的量子噪音；磁通量的量子涨落则不单是零点的量子涨落，总是和温度有关；绝对零度下，输入、输出网孔中电荷和磁通量不确定度的乘积保持相等．     

有互感的介观电感电容耦合电路的量子效应

利用正则变换和幺正变换的方法研究了有互感的介观电感电容耦合电路的量子效应，并把介观电感电容耦合电路和另外几种耦合电路进行了比较。发现在耦合电容存在的有互感的电路中，通过调节互感耦合系数来控制电路的量子涨落和压缩效应是很方便的。电路中电荷和电流的不确定关系与正则变换参数ψ和不确定关系参数ξ有关。当ξ→1或ψ→nπ／2(n=0，1，2，…)时，电荷和电流的不确定关系接近最小值h／2。     

有互感的介观电容耦合电路的量子涨落

通过正则变换和幺正变换的方法研究了有互感存在的情况下的介观电容耦合电路的量子涨落．结果表明当电路元件确定的时候，尤其是当L1／L2的值很小的时候，随着耦合程度的加深，一个回路的电荷的涨落很小，而另一个回路的电荷的涨落很大．     

有互感和电源的电容耦合电路的量子涨落

通过正则变换和幺正变换的方法研究了有互感和电源存在的情况下的介观电容耦合电路的量子涨落。结果表明电荷和电流的量子涨落与电源无关。当电路元件确定时，如果L1／L2的值很大或很小，耦合对涨落的影响很大。互感从有到无的过程中，回路1中电流的涨落和回路中2中电荷的涨落有明显的变化。换句话说，互感的有无对涨落的大小起着举足轻重的作用。     

Quantum fluctuations of mesoscopic damped mutual capacitance coupled double resonance RLC circuit in thermal excitation state

With the rapid development of microelectronics and na- nometer techniques, the trend of the miniaturization of cir- cuits and devices becomes stronger and stronger. The quan- tum effects of mesoscopic system have become one hotspot in condensed matter phy…     

浅谈PLC技术对机床电路的改造

本文首先对传统机床电路的缺陷进行了简要介绍,并对PLC技术对机床电路的改造方法和流程进行了分析,最后对改造过程中的注意事项展开了探讨,希望对我国相关领域的发展起到促进作用.     

激发相干态下介观耗散双回路的量子涨落

从有源ＲＬＣ并联双回路运动方程出发,通过量子化有 介观电路,研究激光相干态下介观电路的量子效应,结果表明,电荷、电流的量子涨落除决定参数外,还明显地信赖于电路所处的状态。     

Impact of die-to-die and within-die parameter fluctuations on themaximum clock frequency distribution for gigascale integration

A model describing the maximum clock frequency (FMAX) distribution of a microprocessor is derived and compared with wafer sort data for a recent 0.25-μm microprocessor. The model agrees closely with measured data in mean, variance, and shape. Results demonstrate that within-die fluctuations primarily impact the FMAX mean and die-to-die fluctuations determine the majority of the FMAX variance. Employing rigorously derived device and circuit models, the impact of die-to-die and within-die parameter fluctuations on future FMAX distributions is forecast for the 180, 130, 100, 70, and 50-nm technology generations. Model predictions reveal that systematic within-die fluctuations impose the largest performance degradation resulting from parameter fluctuations. Assuming a 3σ channel length deviation of 20%, projections for the 50-nm technology generation indicate that essentially a generation of performance gain can be lost due to systematic within-die fluctuations. Key insights from this work elucidate the recommendations that manufacturing process controls be targeted specifically toward sources of systematic within-die fluctuations, and the development of new circuit design methodologies be aimed at suppressing the effect of within-die parameter fluctuations     

有限温度下生物细胞中电流电压的量子涨落

在介观生物细胞等效电路量子化的基础上通过热正则Bogoliuov变换，研究了有限温度下介观生物细胞中电流和电压的量子涨落。结果表明，介观生物细胞中电流电压的量子涨落不仅与其等效电路的参数有关，还与温度有关，且随时间衰减。