LaF3固体电解质气敏元件对SO2敏感性的研究

以氟化镧(掺杂)的单晶片和多晶电解质管分别作为固体电解质,Sn 、SnF2为参比电极,Pt网为待测电极,构成Sn, SnF2 LaF3 Pt气体敏感元件.在温度范围303.15～351.15 K下对不同浓度的SO2 作了敏感性的研究(氩气为稀释气体).实验发现以氟化镧单晶构成的电池比多晶电池响应的快,单晶电池可以在5 min内响应.测定了两种电池在不同温度、浓度范围内,电动势EMF同温度、气体分压的对数lg PSO2 关系:单晶气敏元件在实验的温度范围内EMF随温度、浓度的变化较为灵敏;而多晶气敏元件在温度高时变得不灵敏;EMF同lg PSO2拟合,线性关系较好,说明二者在实验条件下能较好的服从能斯特规律.     

单晶区熔生长实验灵境仿真系统的研制

半导体单晶区熔生长实验灵境仿真系统是遥科学系统中的一个子系统,它通过对半导体单晶区熔生长实验的仿真为载荷专家（简称ＰＩ）提供虚拟的闭环实验进程通路,并可被用来设想性地响应各种操作对整个实验进程的影响。在此系统中,他们提出了一个升温曲线可的、可遥操作的仿真模型,并 ＯｐｅｎＧＬ实现了实验场景和实验对象的３维可视化,使得ＰＩ可能通过网络 程采集仿真实验的数据、调节实验参数,文中介绍了此系统仿真方法、实     

PVC膜电极的研究Ⅲ锑(Ⅲ)氯络阴离子选择电极的研制

PVC膜锑(Ⅲ)氯络阴离子选择电极尚未见研究,本文对三庚基十二烷基碘化铵[(C_7H_(15))_3C_(12)H_(25)NI]、7402[(C_nH_(2n+1))_3CH_3NCI]两种季铵盐进行比较,制备出性能相近的电极。前者电活性物含量为1％,以苯二甲酸二(2—乙基)已酯为增塑剂,该电极线性响应范围为1×10~(-1)—2×10~(-5)M,斜率为58mv/pSb;后者电活性物含量为4％,以苯二甲酸二壬酯为增塑剂,该电极线性响应范围为1×10~(-1)—3×10~(-5)M,斜率     

PVC膜电极的研究·Ⅰ·铋(Ⅲ)氯络阴离子选择电极的研制

本文用季铵盐研制了铋(Ⅲ)氯络阴离子选择电极,对季铵盐种类与敏感膜组成配比作了比较与选择,7402季铵盐[(CnH2n_( 1))_3CH_3NCl]作定域体的铋(Ⅲ)电极敏感膜,其较佳重量百分配比为活性物:增塑剂:PVC为25:45:30,而季铵盐THDA[(C_7H_(15))_3C_(12)H_(35)NI]作定域体的铋(Ⅲ)电极,活性膜较佳重量百分配比为25:67.5:30。两电板的线性响应范围、检测下限与斜率分别为5.0×10~(-5)—1.0×10~(-1)M、3.5×10~(-5)M、     

溴化银单晶半导体传感器的研制

我们研制的 AgBr 单晶溴离子敏感半导体传感器(简称 Br~--ISFET)它是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层 AgBr 单晶敏感层。这种传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,具有全固体化和易集成化等特点。特别是适应于生物、医学、航天、遥测和遥控等方面。该传感器经测试性能良好,其线性响应范围为:1.0×10°mol·L~(-1)～1.0×10~(-5)mol·L~(-1)NaBr,灵敏度为:56mV/PBr~-,对溴离子的检测下限为:5.0×10~(-6)mol·L~(-1)NaBr。     

基于四苯基卟啉的PVC膜电极的研制及其应用于药物中黄连素的分析

本文用四苯基卟啉作为电活性物质研制了 PVC 膜黄连素敏感型电位传感器,该传感器响应范围为1.8×10~(-7)-5.0×10~(-3)mol/L,pH 范围4.3-12.2,响应时问小于30s,斜率为60.4±1.9mV/dec。此电极表现出与经典的基于阳离子交换型的电极不同的选择性行为。本文还研究了不同增塑剂对传感器响应性能的影响并对实验条件进行了优化。该传感器可直接用于药物中黄连素的定量分析,结果令人满意。     

AgBr单晶电极在感光材料分析中的应用

在卅年代就有人试用熔融的AgCl薄片制成气离子选择性电极,在国内最近也相继研制成功和应用AgCl单晶电极,具有较好的性能,最近中国科学院上海硅酸盐研究所研制成功了AgBr单晶电极。本文研究应用AgBr单晶电极对感光材料AgBr乳剂中溴含量的测定,由于此电极具有更好的抗氧化性,响应速度快,便于清洗,对脂肪酸,蛋白质、光照有较好的稳定性。并对此方法做了精度试验和回收率试验,实测样品,其数据与电位滴定法相吻合。由于此方法迅速、可靠,设备简单,有较大的实用价值。     

PVC膜电极的研究 Ⅰ.铋(Ⅲ)氯络阴离子选择电极的研制

曾报道过以Aliguat336S作活性物质的Bi(Ⅲ)涂丝电极,该电极在10~(-4)—10~(-1)M范围对Bi(Ⅲ)有线性响应,其斜率为36.5mV/pBi。本文以季铵盐7402[CH_3(CnH_(2 1))_3NCl,n=9～11~*]与BiCl_4~-所形成的黄色油状缔合物(Oil)作活性物,以苯二甲酸二壬酯(D·P)为增塑剂,制作了铋(Ⅲ)氯络阴离子PVC膜电极。     

NO2高选择性气敏元件及其表面修饰

本文报导了用WO_3气敏材料制作高灵敏度、高选择性N0_2气敏元件的研究结果,并利用修饰技术在元件特性的改善和提高方面做了初步实验,对元件敏感机理也做了初步探讨.结果表明,元件对N0_2具有高灵敏、高选择特性,元件阻值合适且响应恢复快,并有良好的抗湿度特性,通过对元件气氛处理、掺杂等表面修饰技术可明显提高元件的气敏特性.     

压电式测力仪向间干扰的理论分析

本文用力学方法对压电石英测力仪目前较为敏感的问题——向间干扰进行了理论分析,推导出了向间干扰ε_(xz)和ε_(yz)的计算公式.实验结果表明:理论推导正确,计算值与实验值吻合较好.此项研究为压电石英力传感器的结构改进和测力仪的优化设计提供了理论依据.     

一种GaN FET的窄脉冲激光器驱动电源系统设计

针对半导体激光器驱动电路在低纳秒级对激光光脉冲调节困难的问题,研究了一种基于GaN高速半导体器件的半导体激光器的驱动方案,可实现激光光脉冲的宽度、高重复频率的高精度调节;在设计上,利用FPGA门电路现场可编辑、低功耗等特点,基于Xilinx Zynq平台搭建前置时序产生电路,输出时序信号;设计储能电路,通过驱动氮化镓场效应晶体管(GaN FET)作为开关控制储能回路,最终实现激光光脉冲低纳秒级的精密调节;经过实验验证和分析,该驱动电路能稳定输出脉冲宽度3~200 ns可调、重复频率0~1 MHz可调、峰值功率超过70 w、上升沿时间小于5 ns的激光光脉冲信号。     

半导体制冷器的可靠性

详细介绍了半导体制冷器的失效机理、可靠性和寿命。引用的大量数据证明半导体制冷器是一种高可靠性的温差电器件。从而为深入研究半导体制冷器的可靠性和寿命提供了可靠的理论依据和实验参考。     

用气相反应法制备纳米WO3气敏材料

材料的制备是研制半导体气敏传感器的关键环节.用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,制作了NO2气敏传感元件.在性能测试中发现,该元件对低浓度(10-10)NO2灵敏,灵敏度可达10倍左右,而且响应迅速,响应时间为1.5 s.文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析.     

New thermoelectric components using microsystem technologies

This paper describes the first thermoelectric devices based on the V-VI-compounds Bi/sub 2/Te/sub 3/ and (Bi,Sb)/sub 2/Te/sub 3/ which can be manufactured by means of regular thin film technology in combination with microsystem technology. Fabrication concept, material deposition for some 10-/spl mu/m-thick layers and the properties of the deposited thermoelectric materials will be reported. First device properties for Peltier-coolers and thermogenerators will be shown as well as investigations on long term and cycling stability. Data on metal/semiconductor contact resistance were extracted form device data. Device characteristics like response time for a Peltier-cooler and power output for a thermogenerator will be compared to commercial devices.     

Reduction of the self-forces in Monte Carlo simulations of semiconductor devices on unstructured meshes

When using an unstructured mesh for device geometry, the ensemble Monte Carlo simulations of semiconductor devices may be affected by unwanted self-forces resulting from the particle-mesh coupling. We report on the progress in minimisation of the self-forces on arbitrary meshes by showing that they can be greatly reduced on a finite element mesh with proper interpolation functions. The developed methodology is included into a self-consistent finite element 3D Monte Carlo device simulator. Minimising of the self-forces using the proper interpolation functions is tested by simulating the electron transport in a 10 nm gate length, 6.1 nm body thick, double gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). We demonstrate the reduction in the self-force and illustrate the practical distinction by showing I-V characteristics for the device.     

CCD图像传感器抗晕技术研究

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,列建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明：CCD电极下的电荷容量随n沟道磷掺杂浓度的增加而迅速提高,但掺杂浓度的增加受期间体内击穿场强的限制,通过分析比较,取n沟道磷掺杂浓度为3×10^16cm^-3。时抗晕效果较好,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。     

全固态汞离子选择电极的研究

汞是剧毒物质,易对水环境造成严重的污染,研发适合现场在线检测汞的技术非常必要。通过2个阶段的固相反应合成了一种全固态离子选择电极,电极成分为AgI,Ag2S和HgI,该电极对二价汞离子具有选择性,线性范围为10-110-5mol/L,斜率为29.3 mV/decade,pH适用范围为02,检测下限为3.31×10-6mol/L,响应时间小于3m in。     

真空镀膜中膜厚均匀性的研究

在半导体器件生产过程中 ,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线 ,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀 ,影响膜厚的因素很多 ,实际生产中 ,陪片由于与其它正片的几何位置不同 ,因此膜厚不同。其差别可达 1%～ 2 0 %,但在大量的文献分析及应用中被忽略。针对两种常见的蒸发源 ,通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置 ,使误差可控制在 1%,甚至 0 .1%。     

新型大功率半导体开关器件IGCT及其在煤矿中的应用前景

IGCT是一种新型理想的中压大功率半导体开关器件 ,它具有高电压、大电流、低导通损耗、开关频率高、易于串联等优点 ,因此适用于中压变频 ,在煤矿具有广泛的应用前景。     

Ce_(0.95)Ca_(0.05)F_(3-x)固体电解质氧传感器的研究

本文研究了Ce_(0.95)Ca_(0.05)F_(3-x)固体电解质及其氧传感器的制备和性质。在150℃时,Po_2在10~(-2)～10~(-1)MPa范围内传感器件的电位变化正比于Po_2的对数值。同时研究了不同参比电极和敏感电极对传感性能的影响。以Bi+BiF_3为参比电极时,EMF值稳定较快;当Pd作为敏感电极时,传感元件的响应较快;以RuO_2作敏感电极时,传感器件较灵敏。文章还讨论了敏感机理。