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1.
在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大。 相似文献
2.
根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶,并首次观察到K3C60的能带色散。 相似文献
3.
根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60(111)单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶,并首次观察到K3C60的能带色散。 相似文献
4.
测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO-1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。 相似文献
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C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
测量了C60单晶(111)解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO-1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO-1能带在Г-L方向存在明显的色散,最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。 相似文献
6.
对K3±δC60多晶薄膜进行了同步辐射光电子谱研究。入射光子能量为17-86cV。实验发现K3±δC60光电子谱的HOMO-1,HOMO及LUMO等导出能带的谱峰强度均随入射光子能量的增加而呈现振荡的性质,与纯C60的光电子谱峰随入射光子能量变化的趋势相似。结果C60分子独特的笼状几何结构,认为其电离截面的变化是由于K3±δC60的末态电子在C60分子笼内形成球状驻波引起的。以驻波的边界条件为基础进行理论计算,得到的电离截面极小值对应的光子能量与实验得到的结果符合良好。 相似文献
7.
综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin轨道(FP—LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn境隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响。利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散。首次通过全势绕加平面波(FPLAPW)方法,对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算。我们的计算结果显示出顶层Si—C键长收缩且发生扭转的驰豫特性,而表面弛豫实现了从金属性到半导体件质的转变。 相似文献
8.
制备了伪双元合金Hf0.82Ta0.18Fe2.X射线衍射表明,合金为C14型Laves相结构,晶格常数为a=4.92133(3)(A),c=8.0488(1)(A).在温度20K~380K范围内测量了穆斯堡尔谱.表明合金随温度存在两个磁相变点,一个从顺磁态(PM)到反铁磁态(AFM),相变温度为330K,另一个从反铁磁(AFM)到铁磁态(FM),相变温度约为180K.在AFM-FM相变点,6h位Fe原子自旋方向发生翻转,从沿c方向转向ab平面.相应地,2a位的Fe原子,在AFM态为顺磁性,经过该相变后,相应地呈现铁磁性排列. 相似文献
9.
在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜.得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形,费米面附近的电子态密度随温度显著变化.甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰. 相似文献
10.
The Su-Schrieffer-Heeger Hamiltonian and the Hubbard Hamiltonian within the unrestricted Hartree-Fock scheme have been used to study the effects of e-e interaction on lattice distortions and electronic structures of C60^- C60^2-,C60^ ,C60^2 .When the interaction parameter increses from 0 to 3eV,the bond variables of the C60 molecules are altered slightly,but the polaron energy levels and the charge density distributions of the C60 molecules are modified seriously. 相似文献
11.
研究了用HNO3浸取环境样品灰样及水渣样中的K和用简易酸碱法浸取土壤中K的方法。用KB(C6H5)4容量法和重量法测定K含量,考察了一些无机离子及酸根对测定的影响。容量法的相对标准偏差为2%,重加回收率为98%-102%。用γ能谱法对照分析,结果吻合良好。测定了土壤标准物质(IAEA-326)中的^60K,结果与推荐值吻合。对环境样品中的^40K与总β放射性活度进行了比较,未污染的环境样品中^40K占总β放射性活度80%以上。 相似文献
12.
本利用同步辐射角分辨光电子谱研究了f.c.c.Fe与Cu{111}之间的界面。观察到了位于表面布里渊区中K点附近的界面态,表明它是一个有序的界面。垂直出射的价带谱表明外来Fe原子对衬底Cu{111}的能带结构无任何影响。这与互混的Co/Cu{111}的结果不同,表明界面处不存在Fe与Cu原子之间的互混。 相似文献
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14.
以高纯碳粉作为碳源直接加入原料,采用导模法(EFG)生长了α-Al2O3:C单晶。研究了晶体经过低剂量β射线辐照后的热释光与光释光特性,α-Al2O3:C单晶的热释光发光曲线在350 K、540 K和689 K附近有3个热释光峰,540 K附近为主要热释光峰,689 K附近为新的热释光峰,发现晶体的陷阱能级深度发生变化并产生了新深度的陷阱能级;随着β吸收剂量的增加,发光强度也随之增强,但是3个热释光峰温位置大致保持不变。在多次连续同剂量辐照过程中,随着辐照次数的增加,主热释光峰强度增强,峰温向高温方向偏移。α-Al2O3:C单晶的光释光衰减曲线呈指数变化,其由前期快衰减部分和后期慢衰减部分组成,快衰减部分衰减速率随着吸收剂量的增加变化很小,而慢衰减部分衰减速率则有较为明显的减慢。在低剂量范围内(低于10Gy),热释光和光释光过程灵敏度不随吸收剂量而变化,剂量响应曲线呈线性的特点。 相似文献
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碱性单细胞凝胶电泳预测肿瘤细胞内在放射敏感性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
应用克隆形成法和碱性单细胞凝胶电泳技术检测辐射诱导的人红白血病细胞株K562、人结肠腺癌细胞株LS-T-117和鼠胶质瘤细胞株C6的初始DNA单链断裂数及单链断裂后的修复与细胞内在放射敏感性之间的关系。结果表明,3种细胞系的放射敏感性依次为K562>LS-T-117>C6;3种细胞系的DNA迁移距离都随着照射剂量的增加而增大,呈良好的剂量-效应关系。在相同剂量下,辐射诱导的DNA单链的初始断裂数目也依次为K562>LS-T-117>C6;3种细胞系经10Gy X射线照射并在PBS中培养不同时间后DNA迁移距离都有较大幅度的下降,但下降幅度依次为C6>LS-T-117>K562,在相同剂量下辐射诱导的DNA单链断裂后的修复能力也依次为C6>LS-T-117> K562。结果显示,辐射诱导的DNA单链断裂及修复与细胞内在放射敏感性有很好的相关性,可用于人体肿瘤细胞内在放射敏感性的预测。 相似文献
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原位XAFS方法研究NiB纳米非晶态合金在78K至573K温度范围的结构特点。结果表明:在78K时,NiB样品的第一配位峰的位置和强度分别为2.06A、396.4,其强度只有Ni箔第一配位峰强度的25%左右;300K时,第一配位峰的位置和强度分别2.08A、255.9;573K时,第一配位峰的位置和强度分别为1.87A、155.4。温度从78K升至300K,第一配位峰的位置变化不大,但峰强度降低35%左右:温度继续升至573K时,峰的位置较78K的向小的方向移动0.20A,并且强度降低了60%。这表明随着测量温度的升高,NiB纳米非晶态合金中Ni原子周围的热无序度显增加。 相似文献
17.
探讨了SMCAMS除分析14C外,还可能分析的放射性素主要有:3H,26Al,46K,44Ti等。 相似文献
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探讨了SMCAMS除分析14C外,还可能分析的放射性核素主要有3H、26AL、40K、44Ti等. 相似文献
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原位XAFS方法研究NiB纳米非晶态合金在78K至573K温度范围的结构特点。结果表明:在78K时,NiB样品的第一配位峰的位置和强度分别为2.06A、396.4,其强度只有Ni箔第一配位峰强度的25%左右;300K时,第一配位峰的位置和强度分别2.08A、255.9;573K时,第一配位峰的位置和强度分别为1.87A、155.4。温度从78K升至300K,第一配位峰的位置变化不大,但峰强度降低35%左右;温度继续升至573K时,冷的位置较78K的向小的方向移动0.20A,并且强度降低了60%。这表明随着测量温度的升高,NiB纳米非晶态合金中Ni原子周围的热无序度显增加。 相似文献