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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2和SiCl_4为主要刻蚀气体,进行了AlSi0.8%-Cu2%的RIE工艺研究,详细讨论了影响工艺的诸多因素,涉及AlSiCu材料本身结构的差异,RIE工艺各参数,后处理等许多方面;给出实用化的工艺程序;最小加工线宽达到2μm,体刻蚀速率达870nm/min,均匀性±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2的刻蚀选择比为4∶1,对AZ1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于1.8∶1;该工艺使用效果良好,达到实用化水平。 相似文献
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通过阳极氧化电压谱图(AVS);I-V特性和Fiske台阶电压测量,我们研究了Nb超导量子结构中AlOx-Al厚度对其特性的影响。发现AVS中AlOx-Al与Nb电极之间的界面陡度和I-V特性取决于AlOx-Al厚度,Nb|A|Ox-Al|Nb结的最小最佳沉积Al层厚度为7nm。由Fiske台阶电压,AVS中的Al峰和I-V特性的畸变,证实了结中Al/Nb间由常态Al而引起的亲近效应的存在,并用McMillan理论作了讨论。 相似文献
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究段晓峰(中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080)Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数,来调整应变层超晶格的能... 相似文献
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液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
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多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特性曲线。结果表明,夹层结构铁电薄膜M/BIT/PZT/BIT/p-Si漏电流密度J最小,在500nm厚时J+(+3V)约2.8×10-10A/mm2,J-(-3V)约1.2×10-12A/mm2优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 相似文献
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在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2、SiCl_4为主要刻蚀气体进行了Al-Si1.2%的反应离子刻蚀,研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上,本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究,并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到1.5μm,实用达2~3μm,体刻蚀率大于1μm/min,均匀性小于±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2和AE1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达8:1和3:1。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中,效果良好。 相似文献
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本文论述在常压CVD硅外延系统中,通过e_qP=B-A/T,分别计算出SiH-Cl_3、PCl_3和BCl_3的A和B二常数值。采用低温深冷工艺,进一步提高硅源的纯度,通过控制SiHCl_3的蒸汽压,在晶向为(111)和(100),掺硼电阻率(4~8)×10 ̄(-3)Ω·cm的抛光衬底硅片上,生长出外延层电阻率为350Ω·cm(杂质浓度3.5×10 ̄(13)/cm ̄3),外延层厚度达120μm的p/p ̄+/硅外延片,制成器件的击穿电压可达1000V。 相似文献
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采用横断面的透射电子显微术,扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法,研究了GeSi沟道p-MOSFET的微结构。观察表明,器件是由Si基片/SiO2非晶层/SOISi层/GeSi沟道层/超薄SiO2非晶层/Si细晶层/SiO2非晶层/Al电极层等组成的;SOISi层工作区单晶性良好,很难找到缺陷,缺陷能效地被限制在工作两侧的缺陷聚集区;在SOSSi层和GeSi沟道层之间存在着一些瓣状衬底,它可能是在 相似文献