低功率磁作用半导体激光照射对神经功能恢复的影响

目的 :探讨低功率磁作用半导体激光对家兔神经功能恢复的影响。方法 :用 5 6只体重 2 .5kg左右的家兔随机分为 3 ,6,9和 12周 4个观察期组 ,每个观察期组随机分为半导体激光照组 (各用家兔 5只 )、磁作用半导体激光照组 (各用家兔 5只 )和对照组 (各用家兔 4只 )。麻醉后 ,均切断左侧腓总神经 ,用 9 0尼龙单丝对端吻合神经外膜。各照射组在术后 1d开始照射家兔L5 ,6脊髓节段 ,照射激光输出功率为 2mW ,磁作用半导体激光照射采用在激光输出端安置强度为 5mT的恒磁场作用在激光上 ,每天照射 5min ,连续照射 7d。对照组不照射 ,均按期观察。结果 :术后 3周 ,各照射组看到细小而稀少的再生轴突 ,对照组直到术后 9周才看到 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 ) ;各照射组的腓总神经潜伏速率和动作电位波幅均优于对照组 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 )。展趾功能到术后 12周 ,磁作用激光照射组与侧健相同 ,激光照射组恢复到磁作用照射组 9周水平 ,对照组才恢复到磁作用半导体照射组近 6周的水平。结论 :低功率的磁半导体激光促进了脊髓运动神经细胞功能 ,加速了轴突再生。     

磁作用半导体激光照射对神经功能恢复的影响

探讨了磁作用半导体激光对家兔神经功能恢复的影响.将家兔随机分为3周,6周,9周和12周4个观察期,每个观察期随机分为磁作用激光照射组、激光照射组和对照组.麻醉后,均切断左侧腓总神经,用9/0尼龙单丝对端吻合神经外膜.各照射组在术后1d开始照射家兔L5,L6脊髓节段,每天照射5min,连续照射7d.对照组不照射,均按期观察.术后3周,各照射组看到细小而稀少的再生轴突,磁作用激光组优于激光组和对照组;各照射组的腓总神经潜伏速率和动作电位波幅均优于对照组,磁作用激光组优于激光组.展趾功能到术后12周,磁作用激光组与右侧相同,激光组和对照组分别恢复到磁作用组9周和6周水平.低功率的磁半导体激光促进了脊髓运动神经细胞功能的恢复,加速了轴突再生.     

美国通用扫描公司及其产品简介

美国通用扫描公司（GeneralScanning1c.）始建于1968年，是世界上最大的研究、设计及生产光学光束扫描及调制设备的公司。公司同时正工业激光加工设备、激光微加工设备、半导体工业激光加工设备以及医疗成像记录设备等领域中居于世界领先地位。通用扫描公司现有六个分部和一个技术服务中心，包括：激光采统部（ILSDivision）光学扫描产品部（OPDivision）光学系统集成部（GMAXDiv．）半导体产业系统部（SPSDIV．）激光成像系统部（LGDiv．）记录系统产吕剖（RPDiv．）激光系统剖和半导体产业系统剖王要集中于向工业养和半导体行…     

变化的半导体激光对周围神经损伤的研究

目的:探讨低功率半导体激光对家兔神经功能恢复的影响。方法用56只家兔随机分为4,8,12和16周4个观察期组,每个观察期组随机分为强度按一定规律变化的半导体激光照射A组(各用家兔5只)、半导体激光照射B组(各用家兔5只)和对照组(各用家兔4只)。麻醉后,均切断左侧腓总神经,用9/0尼龙单丝对端吻合神经外膜。各照射组在术后1d开始照射家兔L5,6脊髓节段,激光功率为2mW,A组在激光输出端加以100Hz旋转的偏振片,每天照射5min,连续照射7d。对照组不照射,均按期观察。结果术后4周,各照射组看到细小、稀少的再生轴突,对照组12周才看到(P<0.01),A组优于B组(P<0.05);各照射组腓总神经潜伏速率和动作电位波幅均优于对照组(P<0.01),A组优于B组(P<0.05)。展趾功能到术后16周,A组与侧健相同,B组恢复到A组12周的水平,对照组恢复到A组近8周的水平。结论低功率强度按一定规律变化的激光能促进脊髓运动细胞功能,加速轴突再生。     

半导体激光联合电针及康复干预治疗周围性面神经炎的疗效观察

目的:观察半导体低强度激光联合电针及康复干预治疗周围性面神经炎的临床疗效。方法:将急性周围性面神经炎患者76例,随机分成对照组和观察组各38例。对照组给予电针加早期康复干预;观察组在此基础上加用半导体激光仪照射治疗。评价治疗前后两组患者面神经功能及治疗后其临床疗效。结果:干预3周后,两组患者面神经功能评分均比治疗前明显提高(P<0.05);且观察组更高于对照组(P<0.05);干预后,两组疗效有显著差异(P相似文献   

半导体激光联合针刺治疗坐骨神经痛的临床观察

目的：观察半导体激光联合针刺治疗坐骨神经痛的治疗效果。方法：将60例坐骨神经痛患者随机分为半导体激光联合针刺治疗组和单纯针刺对照组,每组30例。2组采用共同的针灸治疗人员,但联合治疗组加用半导体激光局部照射治疗。结果：治疗1个疗程后,疼痛评分（VAS）和下腰痛评分（JOA）联合激光治疗组均较单纯治疗组明显改善（p〈0．05）;JOA疗效评价,联合激光治疗组改善率优于单纯针刺组（P〈0．05）。结论：半导体激光照射治疗坐骨神经痛可明显提高疗效。     

CO_2激光引导取耳垂包埋异物一例

ＣＯ_２激光引导取耳垂包埋异物一例贾宪生，薛晓婷（乌鲁木齐市第一人民医院皮肤科）本文报道１例ＣＯ。激光打孔引导取出双耳垂包埋黄金耳钉一对的方法及疗效。皮肤内异物取出通常方法是经Ｘ线定位后，局部浸润麻醉下切开出取、术毕缝合切口。１９９５年４月，我科采用?..     

简明消息

稻的半导体激光栽培实验成功滨松光子学公司以高功率半导体激光作生光源进行稻的栽培实验获得成功。实验是在所谓的“植物工场’”中进行．照明、温度、湿度等由人工控制。这种场合，除去设备投资．人工照明所需的电力要占去植物生产成本的大部分．因此如何开发出高效率的光源是待研究的课题。现在“植物工场”的光源以高压钠灯为主．而此次实验是以波长680urn（红色）的高功率半导体激光作主光源．用蓝色荧光灯作辅助光源。这种激光波长能被叶绿素很好吸收，故光的利用效率高。公司已开发出固体激光器（供激光核聚变用）激发用的高功率半导…     

超短脉冲激光烧蚀半导体表面的热效应分析

为了研究超短激光辐照下半导体表面的热效应,采用有限差分法对双温方程进行了数值模拟,研究了飞秒、皮秒激光作用下,半导体表面载流子和晶格的温度分布情况.结果表明,载流子与晶格的温度耦合时间和金属耦合时间大致相同,激光功率密度是影响载流子温升的主要因素,超短脉冲激光入射时能量主要被半导体表层载流子吸收,所得结论与实验结果较吻合.     

用CO_2激光吻合外周神经干的实验研究

使用3WCO_2激光共吻合22只家兔计44支胫后神经干,并设常规显微缝合对照组。术后九周,测定神经传导速度和神经再生观察,均无显著差异。     

低功率半导体激光照射对神经功能恢复的影响

目的探讨低功率半导体激光对家兔神经功能恢复的影响。方法用 36只体重 2 .5kg左右的家兔随机分为 3,6 ,9和 12周 4个观察期组 ,每个观察期组随机分为半导体激光照射组 (各用家兔 5只 )和对照组 (各用家兔 4只 )。麻醉后 ,均切断左侧腓总神经 ,用 9/0尼龙单丝对端吻合神经外膜。各照射组在术后 1d开始照射家兔L5 ,6脊髓节段 ,照射激光输出功率为2mW ,每天照射 5min ,连续照射 7d。对照组不照射 ,均按期观察。结果术后 3周 ,可在照射组看到细小而稀少的再生轴突 ,对照组直到术后 6周才看到 (P <0 .0 1)。照射组的腓总神经潜伏速率均优于对照组 (P <0 .0 1) ,动作电位波幅照射组也优于对照组。展趾功能到术后 12周 ,照射组与侧健相同 ,对照组才恢复到照射组 6周的水平。结论低功率的半导体激光促进脊髓运动神经细胞功能 ,加速轴突再生     

Spherical distribution structure of the semiconductor laser diode stack for pumping

A semiconductor laser diode stack is used for pumping and 8 semiconductor laser diode arrays of the stack are put on a sphere,and the output of every bar is specially off-axis compressed to realize high coupling efficiency.The output beam of this semiconductor laser diode stack is shaped by a hollow duct to the laser active medium.The efficiency of the hollow light pipe,which is used for semiconductor laser diode stack coupling,is analyzed by geometric optics and ray tracing.Geometric optics analysis diagnoses the reasons for coupling loss and guides the design of the structure.Ray tracing analyzes the relation between the structural parameters and the output characteristics of this pumping system,and guides parameter optimization.Simulation and analysis results show that putting the semiconductor laser diode arrays on a spherical surface can increase coupling efficiency, reduce the optimum duct length and improve the output energy field distribution.     

Ultrafast all-optical modulation of infrared radiation viametal-semiconductor waveguide structures

We present a novel optical-optical semiconductor switching technique for application to infrared laser beam modulation and ultrashort infrared laser pulse switching. This method relies on the ultrafast optical excitation, with femtosecond above-bandgap laser radiation, of an air-filled metal-clad semiconductor waveguide. Guided electromagnetic wave analysis combined with time-varying dielectric properties of the semiconductor layer are used to investigate the ultrafast switching speed of the structure. The device is capable of modulation at various infrared wavelengths. In particular, we investigate intensity modulation of the quasi-TE₁₀ mode for 10.6-μm laser radiation. At an electron-hole photoinjection density of ~1.8×10¹⁸ cm^-3, an extinction ratio of 83 dB is demonstrated. This ratio is significantly higher than that exhibited by current optical-optical semiconductor switches. Potential applications to all-optical Mach-Zehnder metal-clad semiconductor modulators and self-limiting switches are also discussed     

球面分布的半导体激光二极管阵列泵浦结构的研究

一个用来泵浦的半导体激光二极管堆栈包括8个半导体激光二极管阵列。这些阵列排布在一个球面上,每个bar条的输出激光被离轴压缩来实现高效率的耦合。半导体激光二极管堆栈的输出光束由一个空心导光管耦合到激光工作介质上。针对用于耦合半导体激光二极管堆栈的空心导光管进行了几何光学和光线追迹的分析。几何光学的分析揭示了耦合损耗的原因,并用来指导结构的设计。光线追迹分析结构参数和泵浦系统的输出特性,用来指导耦合系统参数的优化。模拟和分析结果表明,将半导体激光二极管阵列排布程球面可以提高偶和效率,降低最优化的导光管长度,改善输出能量场的分布。     

面瘫面部红外热像图表现和温度特征

本文用红外热像方法对210例周围性面神经麻庳患者面部温度分布进行的观察和对116例健康人的对照显示：患者面部双侧温度差大于健康人；眼、内眦和颧部，两组间具有统计学差异。本批患者患侧面部均温有41.4％高于健侧，25.7％低于健侧；眉、内眦、外眦和鼻唇沟的均温平均值低于健侧，眼、颧、颊和嘴角的该值高于健侧。病程短、病变重者的双侧面温差大于病程长、病变轻者，两组间也具有统计学差异。患者的自身对照示：病中双侧面温差大于愈后，眼、内眦部位尤其明确。观察结果提示：双侧面部温度不对称是面瘫的面部温度特征，双侧面温差大小与病变程度有关。本文结果为了解面瘫的面部循环和代谢状态提供了分析依据，为热像和温度在该病病变程度的判定和治疗恢复的评价等方面的探讨奠定了基础。     

时分副载波半导体DFB激光多路波长锁定器

我们研制成功8路时分副载波半导体DFB激光器波长锁定器.用1kHz正弦时分电信号,分别对8个1.55μm波段的DFB激光器进行1％的幅度调制,每个DFB激光2％的光信号分成两路,一路通过自由光谱区为100 GHz的F-P标准具,另一路作参考光,两路的光电差分信号反馈控制DFB激光器的温度,使每个DFB激光器锁定在各自所需的波长上.测试结果表明波长锁定的激光频率间隔100 GHz,波长锁定精度优于±2.5GHz。该方法同样适用于50GHz频率间隔和更多路的波长锁定.本文着重介绍该锁定器的光电信号处理和控制方法.     

GaInAsP/InP semiconductor vertical GRIN-lens for semiconductoroptical devices

A GaInAsP/InP vertical GRIN-lens (VGL), which is suitable for monolithic integration with semiconductor laser diodes (LDs) or semiconductor laser amplifiers (SLAs), was fabricated for the first time. A narrow FWHM of vertical far-field pattern of 6 degree was experimentally obtained with 8 layers of GRIN core region (8 μm thick) and InP cladding layers. An integration of this VGL with a taper waveguide SLA with the output width of 10 μm was also demonstrated