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以菱镁矿风化石、工业Al2O3和SiO2微粉为原料, 固相反应烧结合成制备堇青石。通过在反应物中分别加入不同含量的Eu2O3、Dy2O3和Er2O3, 研究分析和对比了Eu3+、Dy3+和Er3+对堇青石晶相组成、晶粒大小、晶胞常数、结晶度及显微结构的影响。采用XRD和SEM表征试样中的晶相和显微结构, 利用X'Pert Plus软件对结晶相的晶胞参数和结晶度进行分析, 采用半定量法对试样晶相组成进行计算, 利用Scherrer公式计算堇青石的晶粒大小。结果表明: 由于Eu2O3、Dy2O3和Er2O3的加入, 通过固相反应烧结所得堇青石试样中出现了莫来石相, Eu3+、Dy3+和Er3+对Mg2+的置换作用改变了堇青石相晶格常数和晶胞体积。随着添加剂含量的增加, 堇青石结构中液相量增加, 相对结晶度降低, 常温致密度提高, 堇青石晶粒粒径减小。综合对比分析, Eu2O3对堇青石晶相转变的影响程度最弱, Er2O3对堇青石晶相转变的影响程度最强, 对提高合成堇青石的烧结性和热震稳定性效果最好。 相似文献
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以金属Al粉、单质Si粉、α-Al_2O_3微粉为主要原料,高温氮化反应制备β-Sialon陶瓷。通过在反应物中分别添加不同含量的Y_2O_3和TiO_2烧结剂,研究分析和对比了Y~(3+)和Ti~(4+)对β-Sialon陶瓷晶相组成、晶格常数、微观结构及烧结性能的影响。采用SEM及EDS对试样的微观形貌进行观察与分析,利用X'Pert Plus软件分析晶相的晶格常数,采用半定量法计算试样晶相组成。结果表明:Y_2O_3和TiO_2可显著降低高温氮化法制备β-Sialon陶瓷试样中β-Sialon相的生成温度。伴随着Y_2O_3和TiO_2的引入,Al_2O_3在Si3N4中的固溶度提高,β-Sialon晶相的生成量增加,晶格常数和晶胞体积增大,烧结性能得到改善。综合对比分析,Y_2O_3和TiO_2均对制备β-Sialon陶瓷具有良好的促烧结作用,用成本较低的TiO_2代替传统的稀土氧化物作为助烧结剂无压烧结制备β-Sialon陶瓷是可行的。 相似文献
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采用高温固相反应法制备了一系列白光LED用CaSi2O2N2:0.05Eu2+,xDy3+,xLi+(0≤x≤0.03)荧光粉.利用X射线衍射仪对样品的物相结构进行了分析,结果表明:Dy3+和Li+离子的掺入没有改变CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的主晶相.利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了测试,发现所有样品的激发光谱均覆盖了从近紫外到蓝光的较宽范围,400 nm激发下得到的发射光谱为宽波段的单峰,峰值位于545 nm左右,是Eu2+离子5d-4f电子跃迁引起的.Dy3+离子掺杂可以提高CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的发光强度,Dy3+与Li+共掺杂可进一步提高荧光粉的发光强度,当Dy3+和Li+的掺杂量为1mol%时,荧光粉的发光强度达到最大值,是单掺杂Eu2+的荧光粉发光强度的157%. 相似文献
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采用固相反应法合成BaO-Sm2O3-4TiO2 (BST)陶瓷粉体.系统研究了溶胶-凝胶法引入ZnO-2B2O3-7SiO2 (ZBS)玻璃对BST陶瓷烧结特性、物相组成、微观形貌及介电性能的影响.结果表明,添加ZBS玻璃的陶瓷试样主晶相仍为类钙铁矿钨青铜结构的BaSm2Ti4O12,次晶相为Sm2Ti2O7.通过溶胶-凝胶法添加6%(质量分数)的ZBS玻璃,可使BST陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1050℃,在1050℃烧结3h所得BST陶瓷介电性能优良:εr=60.17,tanδ=0.004,τf=-7.9×10 6/℃. 相似文献
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采用化学反应与高温固相反应相结合的方法制备了Ce3和Eu3+共掺杂Y2O3荧光粉,利用X射线衍射和扫描电镜分析,发现Ce3+离子共掺杂对Y2O3:Eu3+荧光粉的颗粒形貌有显著的影响,随着Ce3+离子浓度的改变,形貌可从球型转变为管状.荧光光谱分析表明,所制备的共掺杂荧光粉主要发射位于614纳米的红光峰和位于587纳米... 相似文献
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利用固相反应法制备了Sr4Al14O25:(Eu2+,Dy3+)长余辉夜光材料,并研究了H3BO3含量、固相反应温度和Eu含量对Sr4Al14O25:(Eu2+,Dy3+)长余辉夜光材料性能的影响.实验结果表明,H3BO3含量对蓝绿发射的Sr4Al14O25相的形成至关重要.在固相反应温度为1400℃,H3BO3含量为10at%,Eu/Al原子比为0.03的优化条件下,获得了发射波长为490 nm,余辉时间长达24 h以上的Sr4Al14O25夜光粉.发光强度与Eu含量的关系证明,Sr4Al14O25相的蓝绿发射过程主要受电子从深陷阱到Eu2+能级的转移速度的控制. 相似文献
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柠檬酸溶胶-凝胶法制备纳米Y_2O_3:Eu~(3+)粉体 总被引:1,自引:1,他引:1
以Eu2O3,Y2O3为原料通过柠檬酸溶胶-凝胶法合成了Y2O3:Eu3+纳米粉,研究了pH值、柠檬酸用量(n[H3Cit]:n[Y3++Eu3+])及煅烧温度对粉体制备过程的影响。利用TG-DTA、XRD、SEM等测试手段对粉体的形成过程进行了分析。结果表明:Y2O3:Eu3+纳米粉体的一次粒径为25nm左右,二次粒径为250nm左右。纳米Y2O3:Eu3+粉体制备最佳实验条件为pH=5,n[H3Cit]:n[Y3++Eu3+]为2:1,煅烧温度为600℃。 相似文献
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采用湿化学共沉淀法合成了Nd3+掺杂的氧化镥纳米晶粉体,研究了三种不同沉淀剂(NH4OH、NH4HCO3、NH4OH+NH4HCO3)对Nd3+:Lu2O3纳米晶粉体性能的影响.采用NH4OH+NH4HCO3混合溶液作复合沉淀剂所得粉体具有比表面积高(13.37m2/g)、颗粒尺寸小(~30nm)、粒度分布窄(60~160nm)的优点.该粉体经过干压和等静压成型后,素坯从室温至1400℃获得的线性收缩率可达17%,其烧结活性明显高于其它两种沉淀剂所得的粉体.在流动H:气氛下,经1880℃/8h烧结可获得具有优良光学透明性的Nd3+:Lu2O3透明陶瓷,在1080nm波长处的直线透过率超过75%. 相似文献
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杂质离子对Y2O3:Eu3+发光性能的影响 总被引:9,自引:1,他引:8
研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu^3 0.05,A^ 0.02(A=Li,Na,K)和Y2O3:Eu^3 0.05,B^2 0.02(B=Mg,Ca,Sr,Ba)的荧光,余辉发光及热释光特性,余辉光谱数据表明:杂质离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu^3 的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y23:Eu^3 的荧光发射主峰(611nm)一致,为经典Eu^3 的^5D0-^7F2电偶极跃迁,杂质离子的引入明显地延缓了Y2O3:Eu^3 的余辉衰减,其中Y2O3:Eu^3 ,A^ (A=Li,Na,K)的余辉衰减趋势几乎完全一致,而Y2O3:Eu^3 ,B^2 ,B2^ (B Mg,Ca,Sr,Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca,Sr,Ba,Mg。热释光谱数据显示,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成,这是导致余辉衰减减慢的直接原因。Y2O3:Eu^3 ,A^ 的热释峰都位于175℃左右,相应电子陷阱能级深度为0.966eV左右,而Y2O3:Eu^3 的热释峰由高到低分别位于192℃(Ca),164℃(Sr),135℃(Ba),118℃(Mg),电子陷阱能级深度分别为1.003eV(Ca),0.942eV(Sr),0.880eV(Ba),0.843eV(Mg)。结合余辉衰减数据,可以看到,Y2O3:Eu^3 ,A^ 和Y2O3:Eu^3 ,B^2 的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好,由此可以得出,一定相同的条件下,热释峰值温度越高,杂质陷阱能级越深,相应荧光体的余辉衰减越慢。 相似文献
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本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce^3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370nm到405nm范围内,它们来自于Ce^3+的5d^1激发态向基态4f^1,的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce^3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce^3+。随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3:Ce^3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 相似文献
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以Y2O3为基质材料,掺杂不同含量的Nd3+添加PEG和(NH4)2SO4为分散剂,采用共沉淀法制备出性能良好的Nd3+:Y2O3纳米粉.对前驱体和不同温度下煅烧后的粉体进行差热热重、X射线衍射、比表面积和透射电镜等分析.结果表明,前驱体产物为Y2(OH)5(NO3)·nH2O时,Nd3+完全固溶于Y2O3的立方晶格中,Nd3+:Y2O3粉体大小均匀,近似球形.随着煅烧温度的升高,颗粒逐渐长大,900℃煅烧2h后颗粒尺寸约为40~60nm;粉体在1700℃和真空度为1×10-3Pa条件下烧结6h得到的Nd3+:Y2O3透明陶瓷的透光率接近78%. 相似文献
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溶胶-冷冻法制备纳米Gd2O3:Eu3+发光材料 总被引:6,自引:0,他引:6
采用溶胶-冷冻法合成了粒径为20nm左右的近似于球形的Gd2O3:Eu^3+发光材料.XRD和FTIR分析表明:所合成的前驱体样品为带有结晶水的晶态氢氧化物,经过热处理后得到了立方相的Gd2O3.荧光光谱测试表明:所合成的样品具有良好的Eu^3+特征红光发射,Gd^3+到Eu^3+之间具有有效的能量传递过程.随着灼烧温度的升高,发射峰和激发峰的强度有所增强,荧光寿命变长,这是由于热处理温度升高,晶体生长变好,表面缺陷减少,使表面的猝灭中心减少,从而提高了荧光强度和荧光寿命. 相似文献