氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.     

单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展

为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向.     

基于金刚石的GaN基微波功率器件研究进展

金刚石在目前所知的天然物质中具有最高的热导率,在高频、大功率GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)和电路的散热方面极有应用潜力。综述化学气相沉积多晶金刚石衬底的衬底转移技术、单晶金刚石衬底的直接外延技术和纳米金刚石表面覆膜的器件工艺技术在GaN基HEMT器件中的应用研究和发展历程,并分析每种技术的优缺点。     

GaN基蓝色LED的研究进展

介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望.     

P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展

增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点，P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型器件制备方法。首先，概述了当前制约P-GaN栅结构GaN基HEMT器件发展的首要问题，从器件结构与器件制备工艺这2个角度，综述了其性能优化举措方面的最新研究进展。然后，通过对研究进展的分析，总结了当前研究工作面临的挑战以及解决方法。最后，对未来的发展前景、发展方向进行了展望。     

宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。     

SiC新型半导体器件及其应用

给出SiC半导体分立器件与集成电路的研究现状，分析了制约SiC半导体器件发展的主要问题，同时给出了SiC分立器件与集成电路的应用现状，并对其应用前景进行了展望。     

GaN基微波半导体器件研究进展

GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力．对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势．     

连续SiC纤维工程化制备技术研究

碳化硅(SiC)纤维具有高比强度、高比模量、耐高温、抗氧化、抗蠕变、耐化学腐蚀、耐盐雾等优点,并具有优良的电磁吸收特性,是耐高温陶瓷基复合材料的关键材料.简述了国外三代连续SiC纤维的生产及性能指标情况,介绍了苏州赛力菲陶纤有限公司连续SiC纤维的生产控制及质量状况,指出了SiC纤维工程化的重要意义,最后提出了SiC纤维高性能、低成本的发展方向,以及SiC纤维发展的关键在于应用等观点.     

AlGaN/GaN中二维电子气研究新进展

A1GaN／GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一，其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气．给出了A1GaN／GaN异质结二维电子气的面电子密度、迁移率对氮化物材料性质、异质结结构参数和温度的依赖关系，以及两者内在矛盾等方面的研究现状，指出了该领域内仍需深入研究的问题，如面电子密度的温度特性、迁移率随合金层的变化关系以及迁移率随面电子密度的变化关系等。     

造纸机干燥部的研究与发展

介绍了造纸机干燥部的研究与发展历程以及目前正在使用的几种纸页干燥方式，同时介绍了国内外最新的干燥技术，分析了纸页干燥技术未来的发展方向和研究的课题。     

小直径金属线材单晶化技术原理及工艺

在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．理论和工艺实验结果表明，小直径线材单晶化技术满足制备单晶线材对固液界面的要求，可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成长度不受限制、直径较细的单晶金属线材，功率和连铸速度适当配合时，可在较大范围内获得表面光滑的单晶铜线材。     

金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长

以过渡族金属硅化物为溶剂，采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征，利用X射线衍射仪（XRD）对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征，并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明，Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶，FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须，而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后，仅有石墨相析出.     

蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析

介绍了在蓝宝石／氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术。通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善。用多种Ｘ光衍射方法对生长在蓝宝石／氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析,结果表明,可在这种衬底上成功地生长 出６Ｈ－ＳｉＣ单晶薄膜。     

单晶连铸技术研究进展及其应用前景

单晶连铸技术是一项新型金属型材制造技术．该技术的特点是可以制造无限长的单晶导电金属线材,为高保真通讯电缆的开发提供优质导体材料．本文对该技术的国内外研究进展及其开发应用前景进行全面评述．     

反倾销应对与出口企业内部控制改进

企业内部控制对于应对反倾销而言意义重大,反倾销是在“拼会计,抠成本”,更是在考验企业的内部控制。从反倾销内涵以及系统演化理论入手,分别对反倾销视角下企业内部控制建设的必要性和可能性进行了论述;并结合最近颁布的《企业内部控制基本规范》,认为应对反倾销是出口企业内部控制建设的重要内容之一;进一步从5要素整合的角度,来探讨反倾销视角下出口企业内部控制系统的构建。     

Pulling growth technique towards rare earth single crystals

Pulling growth technique serves as a popular method to grow congruent melting single crystals with multiscale sizes ranging from micrometers to centimeters.In order to obtain high quality single crystals,the crystal constituents would be arranged at the lattice sites by precisely controlling the crystal growth process.Growing interface is the position where the phase transition of crystal constituents occurs during pulling growth process.The precise control of energy at the growing interface becomes a key technique in pulling growth.In this work,we review some recent advances of pulling technique towards rare earth single crystal growth.In Czochralski pulling growth,the optimized growth parameters were designed for rare earth ions doped Y_3Al_5O_(12)and Ce:(Lu_(1-x)Y_x)_2Si O_5on the basis of anisotropic chemical bonding and isotropic mass transfer calculations at the growing interface.The fast growth of high quality rare earth single crystals is realized by controlling crystallization thermodynamics and kinetics in different size zones.On the other hand,the micro pulling down technique can be used for high throughput screening novel rare earth optical crystals.The growth interface control is realized by improving the crucible bottom and temperature field,which favors the growth of rare earth crystal fibers.The rare earth laser crystal fiber can serve as another kind of laser gain medium between conventional bulk single crystal and glass fiber.The future work on pulling technique might focus on the mass production of rare earth single crystals with extreme size and with the size near that of devices.