宽带接入梦想——UT斯达康EPON典型应用分析

介绍了EPON的几种典型应用模式,包括驻地网应用模式、大客户专线应用模式、农村信息化应用模式、视频监控承载应用模式、无线基站应用模式、EPON＋EoC应用模式。分析了几种应用模式的应用场合和优缺点。     

云电视平台融合应用商店架构的探讨

首先介绍了互动电视应用领域的新技术趋势-应用流化技术,以及基于应用流化技术实现的应用的模式。针对传统应用商店的工作模式,结合应用流化技术的特点,实现融合应用商店模式的升级。从技术层面,应用流化技术与传统应用相结合,配合传统应用下载模式的融合管理,提出融合应用商店的运作模式。     

电视应用商店的设计与实现

为对各种电视应用进行运营和管理,提出一种互联网电视应用商店的设计和实现方法。在该方法中,电视应用商店与应用管理平台互相配合完成互联网电视应用管理和运营功能,具体包括应用上传、应用发布、应用下载、应用下线功能。另外,还对电视应用商店的管理流程进行阐述。     

3G市场的突破口：行业应用

3G应用分为个人应用和行业应用。行业应用是3G发展的未来,个人应用的重点在将有线与无线结合在一起的家庭应用。     

数字水印技术在视频产品安全中的应用

本文从数字水印技术的一般应用原理、广播电视应用、数字电视应用、胶片电影应用、数字电影应用5个方面,详细介绍了该技术在视频产品安全中的应用.     

新型探测技术及其应用研讨会

正2014年8月13~15日中国长春主办单位:中国宇航学会光电技术专业委员会、微光夜视技术重点实验室会议网站:http://www.cnoenet.com/NDTA2014/征文方向:(包括以下方向,但不局限于此)紫外探测技术及应用微光探测技术及应用单光子探测技术及应用红外探测技术及应用太赫兹探测技术及应用激光探测技术及应用可见光探测技术及应用偏振探测技术及应用量子探测技术及应用多光谱/高光谱/超光谱探测技术及应用复合探测技术及应用空间探测技术及应用信号处理与检测其他应用     

我国移动应用分发平台发展仍受制约 突破瓶颈须探索模式创新

目前,全球主流应用分发平台是应用程序商店,而通过操作系统平台构建的垂直应用程序商店则是应用商店中最具竞争力的渠道。在我国,第三方应用商店是主流的应用分发渠道,市场呈现寡头控制格局,且面临中长尾应用难以有效分发、各应用商店同质化现象严重、国内应用商店监管运营机制不完善等问题。近来出现的全功能轻应用、应用内搜索等应用分发新模式,为我国应用分发平台突破发展瓶颈创造了可能。     

PKI技术在应用系统中的应用

随着IT系统规模和范围的扩大,在应用系统中,应用层面的安全问题仍然是复杂和具有挑战性的工作。论文概述了公钥基础设施（PKI）在应用系统中的应用和建设问题,并在总结国内很多成功的应用安全建设项目的基础上给出了应用安全支撑系统的设计理念,此理念主要是将PKI基础设施和应用相对分离,使用应用安全支撑系统将PKI基础设施和应用更好地进行连接。应用安全支撑系统的存在将很大程度解决PKI和应用很难集成的问题,并能在一定程度上将安全和应用相对分开,使得PKI技术更能在应用中得到普及和使用。     

计算机辅助技术在数控加工制造中的应用

阐述计算机辅助技术在数控加工制造中的应用价值,探讨其具体应用,包括CAD/CAM技术的应用、模拟和仿真技术的应用、数据管理和集成技术的应用。分析数控加工中计算机软件的应用要点。     

应用数学促信息化应用深入发展

本文构建了应用数学促进信息化应用的关系框架,重点阐述了未来应用数学在信息化领域中的四大重要应用方向,包括网络技术、图像处理以及模式识别、数据加密和身份认证、数据挖掘技术,得出应用数学与信息化结合的作用结果,包括利用应用数学工具扩大信息化应用广度、深度,并对现有应用发展进行支持和优化,提高信息化的价值,支持决策分析,同时也使应用数学自身得到发展     

PZT薄膜的制备及其与MEMS工艺的兼容性

用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性.     

铝基板阳极氧化成膜温度与膜层结构

对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物。较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层。     

ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术

综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍了PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。     

化学修饰溶胶-凝胶法制备功能薄膜微细图形

介绍了一种功能薄膜微细图形制备新方法—化学修饰溶胶-凝胶法。该方法的特点是在溶胶-凝胶制膜过程中引入化学修饰法,从而赋予薄膜以感光特性。利用该特性制备了微细图形,简化了工艺流程,并可以获得具有微米级的功能薄膜微细图形。概述了这种方法制备薄膜微细图形的原理、工艺流程以及主要影响因素,并对其在光波导薄膜、铁电薄膜和透明导电氧化物薄膜微细图形制备领域的研究情况进行了综合评述。最后对该方法的研究趋势进行了展望。     

基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响.结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-znS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型.随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小.     

低介电常数多孔二氧化硅薄膜的制备与性能研究

利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm～3000nm范围内可控,薄膜孔率为59%。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介电常数、介电损耗、漏电流等电学性能,结果表明多孔二氧化硅薄膜本征的介电常数为1.8左右,是典型的低介电常数材料。并通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征。     

Sol-Gel法制备BST铁电薄膜及其性能分析

用Sol-Gel法制备出表面致密,界面清晰的BST铁电薄膜。分析了BST薄膜的J-V特性,由于使用了不同的上下电极,导致J-V曲线的不对称,且在外延生长的Pt电极上制备的BST薄膜有较低的漏电流。分别在大气和干燥气氛下测量了BST薄膜的介电特性,分析结果表明:湿度对BST薄膜的介电特性有很大的影响,为了得到正确的介电特性,其测量必须在真空或干燥气氛下进行。     

PECVD nanocrystalline silicon films versus porous silicon: Structural and optical properties

A comparative experimental study is conducted of nanocrystalline-and porous-silicon films from the viewpoint of their structural, luminescent, and optical properties, the films being fabricated by PECVD and electrochemical etching, respectively. The x-ray-diffraction data obtained imply that the PECVD films consist of nanocrystals that are uniformly (004) oriented and measure on average 4.8 nm across. It is shown by an AFM investigation that the films have a very rough surface occupied by sharply pointed nanoscale asperities. The films can exhibit room-temperature photoluminescence that is strongest at a photon energy of 1.55 eV. Optical properties of the nanocrystalline-and porous-silicon films are examined in the visible range and the IR. The nanocrystalline-silicon films are found to have similar physical and chemical properties to the porous-silicon films.     

真空度对VO2(B)型薄膜制备及光电特性的影响

对不同真空度下得到的VO2(B)型薄膜的结品状况、组分、电学性质 和光学性质进行测试和分析,以探讨退火真空度对VO2(B)型薄膜的影响.以高纯五氧化二钒(V2O3)粉末(纯度高于99.99%,质量分数)为原料,采用真 空蒸发——还原工艺,分别在高、低真空度下还原出VO2(B)型(空间群为C2m)薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪,X射线光电子能谱仪(XPS),电阻温度关系(TCR)测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试,讨论了退火真空度对VO2(B)刑薄膜的结品状况、组分、电学性质和光学性质的影响.结果显示,在高、低真空度下退火,VO2(B)型薄膜出现的温度范围是不同的,在低真空度下退火出现的范围在400～480℃,而在高真空度下退火出现的范围只有400～440 C;高真空度退火得到薄膜的晶粒较大,透过率较低真空度得到的薄膜高7%～8%;但在低真空度下退火,薄膜中的V更易被还原,电阻温度系数绝对值更大,最大可达-2.4%/K.     

激光辅助固态薄膜淀积技术的进展

本文综述了近年来激光辅助固态薄膜淀积技术的进展。简要概述了脉冲激光蒸发淀积(PLED)和激光诱导化学气相淀积(LCVD)的基本原理、淀积系统和激光器。侧重详细介绍了这种技术在制备微电子器件所需要的高Tc超导体膜、金属膜、半导体膜和介质膜中的应用。