三光子吸收效应对孤子对传输的影响

用分步傅里叶变换法求解含三光子吸收效应的光孤子NLS方程，研究了三光子吸收效应对孤子对在传输中相互作用的影响。研究发现，在特定条件下，三光子吸收效应能使孤子对无离合地平行传输。     

光纤放大器中孤子传输的三光子吸收效应

本文用普通数学方法近似求解了含三光子吸收效应的ＮＬＳ方程，由此孤子解讨论了三光子吸收效应对孤子传输的影响。     

光纤放大器中孤子传输的三光子吸收效应

本文用普通数学方法近似求解了含三光子吸收效应的ＮＬＳ方程，由此孤子解讨论了三光子吸收效应对孤子传输的影响．     

Si的光吸收和光电导(第一、二讲)

研究Si的光吸收和光电导,对于认识Si的能带结构,了解Si的各种物理性质,扩大Si的使用范围均具有一定意义。Si为所谓金刚石型的间接禁带半导体。Si中自由电子及束缚电子的光吸收和光电导都很重要;但是,价带电子的光吸收和光电导最为重要。测量Si的杂质光吸收和杂质光电导是研究Si中杂质能级的主要方法之一。     

n-InSb的磁双光子带间吸收研究

通过测量光电导和调制光电导,观察到了15K温度下的n-InSb在CW CO_2激光照射产生的磁双光子吸收(TPMA).实验取Voigt位形,磁场沿[111]晶向且最大为4.2T.实验的结果表明,“一次带内,一次带间”跃迁理论可以相当好地解释InSb中的TPMA过程,且大部分吸收为“球对称跃迁”,而其余为较弱的空间反演不对称、斜项和k_H跃迁.通过计算三阶非线性系数虚部得到的TPMA吸收系数与实验测得的双光子光电导之比较亦表明,现有的此方面的理论解释是成立的.     

光纤放大器中孤子传输的高阶效应

本文求解了含三光子吸收、非线性高阶色散和自感应Raman效应的NLS方程,由此解讨论了光纤放大器的高阶效应对孤子传输的影响.     

MCT晶体非平衡载流子寿命测量方法

非平衡载流子寿命是HgCdTe(MCT)晶体的主要性能参数之一。本文着重介绍了三种基本测量方法:直流光电导衰退法,光电导与光磁电比值法,红外吸收的光调制法。叙述了测量原理和基本测试设备,比较了三种测量方法的优缺点。     

直接以三光子激发的受激发射

多光子过程，1931年就有人做过理论预言^[1]，长期以来主要从学术兴趣方面去考虑。由于双光子吸收与强度的平方关系。吸收过程能产生空间隙限定激发，可用于三维数据存储和三维成像^[2,3]。高效双光子灵敏材料的发展，带来很多技术应用^[4-28]。并且激起了开发以三光子激发为基础的应用^[29]兴趣。三光子过程可使用较长的激发波长，如光能信中通常使用的那些波长。而且，三光子过程和输入光强的立方关系提供更强的空间限定，在成像中间可得到更高的对比度。本文报道在有机发色团溶液中，在1.3μm同时发现强烈的三光子吸收，以放大自发辐射产生高度定向上转换受激发射的检测，这个进展意味着，在频率上转换激光领域、短脉冲光通信领域和新兴的生物光子学领域为三光子过程提供了机遇。     

激光触发GaAs光电导开关非线性现象的实验研究

实验研究了光电导开关的非线性现象,结果表明用半导体激光脉冲串触发光电导开关,在保持激光触发GaAs光电导开关实验条件不变的情况下,产生非线性的电阚值会不断降低.测量和比较试验前后光电导开关暗电阻,初步表明产生非线性的电阈值降低,是光电导开关因光照和产生非线性引起内部材料物理机制发生变化所致.     

Cs原子多光子过程的理论计算

采用Laplace变换讨论了多光子吸收过程中的跃迁几率与能级移位,并具体应用于计算Cs原子三光子吸收过程,得出了与实验相符的结果。