近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。     

NEA光电阴极研究的最新进展及其制备技术探讨

以GaAs为代表的NEA光电阴极的应用范围越来越广,经过几十年的发展,NEA光电阴极的研究已经取得比较显著的成就,但就NEA光电阴极本身而言,尚有许多问题没研究清楚.从NEA光电阴极的掺杂方式、激活工艺、性能评估、铟封工艺和稳定性等方面探讨了最新的研究进展,给出了最新的技术指标及实现这些指标的方法,为下一步的深入研究提供必要的参考.     

电真空器件的热熔铟封技术

本文对热熔铟封技术的工艺过程及其应用前景作一简要介绍,着重介绍热熔铟封的特点。钎焊温度低,密封性能好,可以把热膨胀系数相差很大的一■金属零件和非金属零件封接在一起。因此,热熔铟封技术在解决一些结构特殊的电真空器件上发挥了特有的作用。另外还着重介绍了铟锡和铟铋两种低熔点合金焊料的配制、熔炼和焊接工艺及应用情况。     

微光成像器件阴极封接铟锡合金焊料杂质分析研究

为解决微光成像器件管体熔化铟锡合金层出现的气泡、熔层断裂,流散不均匀等质量问题,利用俄歇谱仪和CS-344碳硫联合测定仪对焊料材料杂质进行了分析研究。结果表明,焊料体内吸收的杂质主要是H2,O2,C,S元素,它们是焊料熔层气泡产生的主要原因。焊料基材表面氧化,污染会造成焊料熔层断裂,通过改进工艺,研究了一种管体高效焊料熔化工艺,保证了焊料熔化质量,研制成功了高性能二代近贴微光管和紫外阴极像增强器。     

瓷封焊料的工艺性对真空灭弧室封接质量的影响

本文针对TD373A真空灭弧室在生产过程中出现的一次慢漏气现象,借助电镜和俄歇能谱现代分析手段,对漏气的真空灭弧室封接截面处进行微观的形貌、成分、结构分析以及对使用不同的瓷封焊料的工艺性能、质量性能进行对比,从钎焊的工艺及金属凝固原理分析研究,得出了目前一次封排工艺中,陶瓷真空灭弧室封接截面的形貌分布特点,慢漏气灭弧室的特征及造成该次慢漏气的主要原因,以及瓷封焊料的工艺性能对灭弧室质量的影响。     

锗窗口密封工艺研究

锗窗口密封是红外探测器应用研究中重要的工艺课题之一，一般所采用的粘接和单纯铟焊的方法，其密封结果不能令人十分满意。研究发现，在锗窗口外侧涂敷一层金膜，可以极大地改善红外探测器锗窗口的铟焊封接效果。文中着重介绍解决锗、金在常温下浸润能力差，以及铟焊中“铟吃金”、“起球”等问题的工艺方建。采用这种方法，可相应减小锗片面积，有利于实现窗口的小型化。     

气体激光器腔片在惰性气体环境中的铟封接

本文针对He-Ne激光管环氧树脂封接的弊病及国内外铟封接的优缺点,提出并论证了在惰性气体环境中的铟封技术方案与实验工艺。实验结果证明本方案对提高He-Ne激光管的寿命是行之有效的。     

10号优质碳钢管壳结构改进和性能优化

通过对10号优质碳素结构钢、玻璃熔封件的热应力计算,阐明了10号优质碳素结构钢、玻璃熔封结构的可行性。通过采取控制玻璃用量、合理设计孔口、烧结模具、优化工艺过程等手段,解决了熔封件玻璃开裂、漏气和管壳的抗蚀性等问题。机械和温度应力试验表明,采用该材料的金属电子封装外壳漏气速率不超过1×10-3Pa.cm3/s,并能承受24h盐雾试验。     

氧化物阴极表面Ag污染对三极管成品率影响研究

针对钛陶瓷三极管成品率偏低的问题,本文利用能量色散谱仪对钛陶瓷三极管样品阴极表面成分进行分析,发现原封接工艺制备的三极管用氧化物阴极表面被一定量的Ag污染。根据排气封接工艺判断出阴极表面沉积的Ag来自于Ag-Cu焊料,通过模型计算安全保温时间,优化了排气分解保温时间。根据优化排气封接工艺制备的三极管内阴极表面未检测出Ag成分;将该阴极和被Ag污染的阴极放入二极管进行发射性能测试,结果显示被Ag污染的阴极和未被Ag污染的阴极拐点电流密度在800℃时分别为3和11 A/cm²,优化排气封接工艺制备的三极管成品率由原来的30%提高至80%。     

多通道及铟封技术改善晶体热效应

为了解决激光二极管(LD)端面抽运固体激光器中晶棒的散热问题,结合多通道和铟封技术,设计并加工了新型散热装置。采用激光二极管端面抽运Nd:GdVO4晶棒,在输入抽运功率28 W的时候,利用传统铟包式直通孔热沉器、铟包多通道式热沉器和铟封多通道热沉器分别获得8.7 W,10.5 W和11.9 W的最大输出功率, 相应的光-光转换效率分别为31%,38%和44%,斜率效率分别为36%,42%和49%。而且采用铟封多通道热沉器,输入40 W的抽运功率时得到了17.5 W的输出功率,此时仍未见饱和。可见无论最大输出功率,光-光转换效率还是斜率效率,结合了铟封技术的多通道式热沉器都比前两种热沉器散热效果好。此外,通过对热透镜焦距和基模输出功率的测量,进一步验证了铟封技术的多通道式热沉器的优点。     

Study of indium droplets formation on the InxGa1−xN films by single crystal x-ray diffraction

Indium droplet formation during the epitaxial growth of In_xGa_1−xN films is a serious problem for achieving high quality films with high indium mole fraction. In this paper, we studied the formation of indium droplets on the In_xGa_1−xN films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using single crystal x-ray diffraction. It is found that the indium (101) peak in the x-ray diffraction spectra can be utilized as a quantitative measure to determine the amounts of indium droplets on the film. It is shown by monitoring the indium diffraction peak that the density of indium droplets increases at lower growth temperature. To suppress these indium droplets, a modulation growth technique is used. Indium droplet formation in the modulation growth is investigated and it is revealed in our study that the indium droplets problem has been partially relieved by the modulation growth technique.     

利用MATLAB 进行焦平面探测器的In 柱高度自动统计

In 柱制备是红外焦平面器件倒焊互连的关键工艺,In 柱高度是评价In 柱制备工艺水平的基本指标。通常的In 柱高度统计方法为随机采样人工显微镜观测法,此方法由于采样点较少将导致统计结果不全面,另一方面由于In 柱表面形貌的微观特性,人工显微镜观测引入的主观偏差将使统计结果不准确。提出了一种更合理可行的In 柱高度统计方法,首先使用激光共聚焦显微镜对In 柱表面形貌进行扫描,再利用MATLAB 软件对扫描数据进行分析以统计In 柱高度,分析时考虑In 柱表面微观形貌对In 柱高度的影响。利用此方法对1616 面阵的红外焦平面器件读出电路进行了In 柱高度统计,统计结果优于随机采样人工显微镜观测法。为评价In 柱制备工艺水平提供了更客观准确的 In 柱高度数据。     

动车组压接工艺全过程质量控制

通过对影响动车组端子压接工艺质量因素的分析,根据端子压接的基本工艺过程,提出了从电缆检验、端子质量检验、匹配关系以及压接工艺操作规范等方面综合进行压接工艺全过程质量控制的概念,为压接工艺的质量检验提供检查项点和参考依据,并提出了检验的基本技术方法。     

InSb红外焦平面探测器十字盲元问题的研究

InSb红外焦平面探测器在中波红外波段占据重要地位,但十字盲元问题严重降低了探测器的性能。通过聚焦离子束定位剥离手段,发现了十字盲元区域的铟凸点失效。进一步检测发现,铟凸点制备参数欠佳。通过改进铟凸点形状和增加高度,加强了焊接面的牢固度。此后发现极少InSb器件存在十字盲元问题。在80℃下对铟凸点改进后的InSb红外器件进行了14天烘烤。经测试,十字盲元数目保持不变,铟凸点的可靠性较好。改进铟凸点制备技术可有效解决十字盲元问题。互连失效是十字盲元问题的主要原因。以此类推,该方法可解决所有InSb红外器件的十字盲元问题。     

The use of computer controlled group V valved sources for interface type control in InGaSb/InAs strained layer superlattices

The purpose of this research is to demonstrate the necessity of computer controlled valved group V effusion cell sources in the growth of indium gallium antimonide/indium arsenide (InGaSb/InAs). These sources allow enhanced control of the group V flux. This flux control allows the reduction of unwanted cross contamination and complete control of the interface type. For simple structures, this control can be done manually, however, for complicated structures the control must be automated to allow for reproducibility and uniformity. The InGaSb/InAs strained layer superlattice (SLS) is an example of a complicated structure with hundreds of layers that requires interface type control. Arsenic incorporation with typical flux shuttering was found to be a problem in the growth of antimonide layers and limit interface type control. The antimony incorporation was not found to occur for the growth of arsenide layers. In addition, antimony exposure to critical interfaces did not appear to reduce the interface quality. This research demonstrates that the use of computer controlled valve sources is only required for the arsenic source when attempting to create InGaSb/InAs SLS structures.     

SDH解同步电路设计

在SDH同步系统中,解同步电路直接关系到输出抖动的指标,设计的关键是比物泄漏和锁相环电路,本文使用自适应比特泄漏法,给出了一个比特泄漏和锁相环电路设计实例,并给出测试结果。     

用频装备电磁频谱参数泄露机理及防护方法

针对用频装备面临的日益突出的电磁频谱参数安全问题,分析了电磁频谱参数泄露造成的危害。从电磁频谱参数泄露模式、泄露途径和泄露原因等方面,研究了电磁频谱参数泄露机理。最后针对重大任务不同阶段的特点,给出了任务筹划、任务实施和任务结束等阶段的电磁频谱参数泄露防护方法。经过试验进一步验证了其防护方法的有效性,为开展电磁频谱参数泄露防护工作提供支撑。     

10 μm间距红外探测器铟柱制备研究

小间距红外探测器目前已成为红外探测器技术发展的一个重要方向.用于连接探测器芯片与读出电路芯片的铟柱的制备工艺水平成为影响器件性能的一个重要因素.介绍了一种10μm间距红外探测器铟柱的制备工艺.新工艺采用多次铟柱生长结合离子刻蚀的手段,最终剥离和制备出高度为8 μm、非均匀性小于5％的10μm间距红外探测器读出电路铟柱,...     

读出电路铟柱打底层对铟柱成球高度的影响

针对超大规模红外探测器读出电路铟柱成球后高度过低导致倒装互连难度增加这一问题,设计了试验,并分析讨论了读出电路铟柱打底层（UBM）形状对铟柱成球高度的影响。得出了铟球高度与铟柱尺寸和铟柱生长高度成正比,与读出电路铟柱打底层尺寸成反比,并提出了进一步增加铟球高度的思路。