英国新型磁薄膜存贮器

EMI电子公司已经把第一批新型磁薄膜存贮系统递交给英国原子能研究所。该系统准备用作高速数据纪录中的通用缓冲存贮器。 高速度——采用了128个字,每个字有16位;读写周期时间是1/3微秒——保证“死寂时间”要比普通存贮器短。由于存贮器忙于处理以前所得的信息而不能收集任何新来的数据时,会出现“死寂时间”。由于缩短了这个时间,EMI新型存贮系统方使昂贵的核装备更有效地工作。 存贮元件是在磁场中将镍-铁合金真空蒸发在玻璃板上而制成的。整个存贮器是用专门的印制电路采用专门的焊接技术装成的。该存贮器约有64块字板,每一个字有50位。目前存贮容量达128至1024个字。普通印制电路板用于装在19吋机架内的驱动和读出电子设备中。     

动态微程序设计:处理机结构和程序设计

<正> 一个小的(4~k64位字)读-写“微”存贮器为动态微程序设计处理机的特征。该存贮器的存取时间类似于机器周期(50—100ns)。这个微存贮器用来保存数据和子程序。     

伊利阿克Ⅳ的只读存贮器

引言 由于伊利阿克Ⅳ计算机操作速度高,指令库大和控制集中,所以使用了一个只读存贮器将指令翻译成控制信号。这些控制信号撒播到并联处理机阵列,逐步控制各处理机的操作。有260条指令,每一条都译成一个微序列(微程序)用于选取只读存贮器。每个微序列由1到69个微步(微指令)组成。 只读存贮器是一个晶体管交点矩阵并且是用分离晶体管配置在大型多层板上。存贮器容量是720字(微步)×280位(控制信号),周期时间是50毫微秒。     

计算机存储器方面的新发展

一、叠片铁氧体存贮器——这是由嵌入了导线的铁氧体薄片构成的一种随机取数磁存储器。这种存储器系采用简单的一次烧结生产技术——铁氧体叠片技术而制成的。达种制造方法可以在不到(1/4)时见方的面积中存入128个数位,即共有16个字,而每字8位。     

增加指令组而不要增加字长

不增加字长就能增加系统指令组的指令数。一般地讲,四位长指令字可译成16个指令(即2~4=16)。如果特殊应用要求多于16条指令的话,则要增加字长或者采用下述方法。图1为一个 N×4位的存贮器,存贮器中每4位长指令字共可译成30条指令;它们分成两组,每组15条指令。根据触发器的状态,存贮器中的一个4位长指令字有两个含义。如果触发器清零,则译码器2失效,译码器1有效,从而就可执行第一组的指令。     

100毫微秒周期时间的集成MOS晶体管联想存贮器系统

引言 自从采用MOS晶体管集成电路作为联想存贮器记忆单元的研究结果公布以来,128字每字48位的联想存贮器已经实验和设计。 本文讨论采用MOS晶体管工艺的全集成     

附录F STARAN计算机系统

STARAN是一台用它的内存的所有的或所选出的字同时执行算术、搜索、或逻辑操作的数字计算机系统。STARAN区别于一般计算机在于有四个主要特点: ·多维访问阵列存贮器。 ·按内容访问的存贮器(联想存贮器) ·对存贮器的每一个字有简单的处理器。     

高速双极只读存贮器的设计考虑

本文描述一种完全用双极工艺制造的高速集成电路只读存贮器的设计发展和性能。讨论两种电路结构。第一种是以1024×1存贮器机构为基础的,第二种是第一种加上可变存贮器格式,三状态输出电路和芯片具有启动功能构成的。列举性能参数证实在已验证的集成电路工艺范围内,只读存贮器(ROM)具备在芯片上全译码,输入输出与标准集成逻辑电路(IC)相适应,1024位存贮器达到小于50毫微秒(ns)的取数时间。     

高性能LSI存贮器系统

已设计一种随机存取读/写存贮器系统,以满足高速存贮应用的多种需要。包括存贮器体系中的暂存存贮、控制存贮器和缓冲存贮器。基本产品是一种1024字×9位的存贮器卡片式扦件,取数时间为40nS,周期时间为80nS。它合并所有地址缓冲和译码、输出读放和输出互锁电路构成一个完整的功能存贮部件。特点包含每位6mW的低功耗,每平方英时200位     

Univac CP-667军用计算机

美国斯派瑞·浪德公司尤尼瓦克分公司最近为美国海军船舶局研制成CP-667型军用计算机。该机在计算速度和存贮容量方面,均可敌得上现有的最大型商业计算机,其尺寸为:3(长)×3(宽)×3(高)呎。 CP-667计算机的内磁芯存贮器的容量为131000个36位的字,每一个字的访问时间为1微秒,其容量比现有的军用机和商用机均高。 单独的磁薄膜控制存贮器的存取信息周期为400毫微秒。小型薄膜非破坏读出存贮器通过外     

TMS32020接口电路的设计

<正> 一、概述TMS32020是TMS320系列数字信号处理器的第二代产品,它实现了改进的哈佛结构,强调总的系统速度、通讯和处理器配合方面的灵活性。性能上的主要特点为: ·具有544字的片内数据RAM,其中256个字既可构成程序存贮器又可构成数据存贮器,因此有一些程序可在片内执行,加快了运算速度。·TMS32020有基本指令119条,而TMS32010只有60条。增加了位管理指令、浮点运算指令等。·具有为多个处理器和全局数据存贮器的接口能力。     

差错改正电路的设计

前言目前,作为计算机等信息处理装置的主存贮器,大都使用MOS半导体存贮器。在这些主存贮器中、往往使用差错改正代码(Error Correcting Codes;ECC)。在主存贮器中使用ECC的主要理由如下:1)把半导体存贮器用作主存贮器的最初阶段,效果是很差的。为了提高可靠性,采用了ECC。2)为减少用作主存贮器的每一存贮器集成电路封装的外引线数,采用了一位结     

五、语音处理中集成电路技术的影响

1、集成电路的特性 A 面积高密度只读存贮器在IC技术中,只读存贮器ROM是特别高效的。用一种动态读出电路和虚拟地参考系统,可使这种存贮器对每一位数据的绝对面积减少到最小值,即每一位仅要求一个晶体管,而该管的大小这样安排:用最小的扩散宽度和空间以及最小的表面来定义。由于处理的尺寸变小,ROM尺寸也自动变小,故在特性上保持了先进性,並超过随机逻辑电路。动态读出方法意味着对大阵列的存取时间将相对变长。这对于2~(13)位或更小的ROM来说不是主要问题,但当阵列达到2~(17)位范围时,要求的存取时间便上升到10至20倍逻辑周期时间。     

Z80单板机监控程序分析

Z80 STARTER KIT单板机(美国SD SYSTEMS公司)具有Z80 CPU、四通道定时计数器CTC、双通道可编程接口PIO以及静态RAM和电改写只读存贮器EPROM可扩;设有EPROM编程器和音频盒带接口;按键共设28个(12个为功能键,16个为数字键/寄存器键),并有6位七段数码显示器等。 ZBUG监控程序共2~K字节,固定在8316掩膜只读存贮器内。ZBUG具有先进的诊断功能,当单步或中止用户程序执行时把当时CPU所有寄存器的内容压入堆栈保存,断点最多可设5个,对所有存贮器单元、通道和CPU寄存器都可进行检查和输入或修改,唯修改     

180-CXA型快速磁芯存贮器

<正> 概述 本文介绍一种以8K×18位为基本存贮模块组成的快速磁芯存贮器——180-CXA型磁芯存贮器。 180-CXA型磁芯存贮器是作为180系列计算机主存贮器而研制的。每四个基本存贮模块组成一个32K×18位的存贮体,其组织形式采用了内部总线的连接方式。结构上实现了插件式平面化结构,生产、调试和维护都很方     

电视扫描式图形显示智能软件

本文是笔者研制的新产品中的软件部分,产品已多年应用于生产实际中,该电视扫描 式图形显示是以微处理器为核心,使用专门的CRT控制器,引用较成熟的电视扫描原理 构成的[1].即时显示的图形内容存贮于刷新存贮器中,象素与该存贮器的位置具有一一对 应的"映象"关系.在刷新扫描期间,刷新存贮器每一位的内容(即象素值)被顺次读出,经 过视频控制电路,转换成视频信号,送CRT显示.用软件改变存贮器中的内容,便能显 示各种图形.     

64K位动态MOSRAM

近年来,半导体存贮器、特别是被称作动态随机存取存贮器(RAM)的技术发展速度是非常惊人的。1K 位的MOS 动态 RAM——1103在1970年问世,以后从4K位到16K 位几乎每2年出现一代,这样一来,不仅达到了高于原来4倍的高集成化,同时亦扩大了功能。从用户方面看     

ROS设计中一种减少存贮单元的技术

引言 一台n个输入端(n位地址)和m个输出端(m位字)的只读存贮器存贮2~n×m位信息、简称为2~n×m位ROS。将单片阵列用作为ROS要依赖于一有效的存贮(写一次)程序(或ROS的定型(Personalization)。通常考     

MCM6605A L/L1/L2 MCM6605A P/P1/P2 MOS N沟硅栅4096位动态随机存取存贮器

MCM 6605A 是高速动态随机存取存贮器,具有高性能、低成本,适用于主存贮器、缓冲存贮器和外部存贮器。是按一位4096字编排的,这些存贮器是采用选择氧化 N 沟边硅栅工艺制造的,以使器件的速度、功耗、集成度达到最佳性能。除单个高电平时钟外,所有地址和控制输入是与 TTL 兼容的。全地址译码可作在芯片上,为了使用方便,可与地址寄存器结合起来。整个存贮器的更新是由连续循环通过地址 AO—A4(32周期)的周期完成的。每次最大更新时间是2.0毫秒。     

一台紧凑的166,OOO数位的磁膜存贮器

本文介绍一台166,000数位的磁膜存贮系统的原理、设计和工作特性。虽然这台紧凑的存贮系统是专门为航空上的应用而设计的,它是导航和控制计算机的一个主要部份,但该设计也适用于其它的军用控制计算机。这台随机取数、并行读出、字选择法的存贮系统包括一台256字,24位的破坏读出的存贮器和一台6656字,24位的非破坏读出的存贮器。在程序下的循环时间为3.0微秒,取数时间为0.7微秒。这台存贮器被设计成在没有温度补偿,以及冲击和震动都相当严重的条件下还能可靠地工作。磁膜存贮元件所固有的装配技术已经能够制成一个包括选择线路在内的存贮体,其重量是16磅,体积大约是0.2立方呎。线路的装配保证了结构紧凑和维护方便。整个存贮系统包括全部联接线路在内需要的功率为50瓦。