光电管和光电倍增管线性电流的测量和工作调试

一、引言光电管及光电倍增管不仅在原子能科学技术领域,而且在科学技术的其它许多领域里,越来越广泛地得到应用。其线性电流以及光电倍增管具有最大线性电流的最佳分压状态的调试,是一项重要的常规测定工作。长期以来,对光电管线性的测定一直沿用改变球隙光     

新型超快光电辐射探测器研制

针对超快脉冲辐射测量的需求，开发了一种具有超快时间响应、大线性电流输出的新型光电探测器件——超快大电流光电管。利用脉冲氙灯、飞秒激光器对该光电探测器件的最大线性电流输出、时间响应等特性参数进行了实验测量。同时，利用该探测器件与超快闪烁体耦合构成的超快脉冲辐射探测器对亚纳秒脉冲X射线源时间谱进行了测量。结果表明，该光电探测器件对脉冲的响应前沿为251ps、半高宽小于500ps，在其典型电压下具有3A以上线性电流输出，对于亚纳秒脉冲X射线束等脉冲辐射场的测量是一较为理想的探测器件。     

光电倍增管线性电流扩展研究

根据对光电倍增管工作原理的分析,介绍了目前提高光电倍增管线性电流的方法,分析了不同类型的非线性效应.基于数字化示波器的应用和数据处理技术,提出了利用实验数据,通过数值校正的方法扩展光电倍增管的线性电流.利用线性电流大的光电管与光电倍增管进行比较,对光电倍增管通过校正,可以使光电倍增管的最大线性电流扩展5倍以上.     

用于中子测井的自成靶密封中子管性能评价

采用自成靶工艺,研制了SNT-DT/25型密封氘氚中子管,对其工作温度、使用寿命、功耗、中子产额及其稳定性等性能参数进行了测试。结果表明:中子管使用温度可达175℃,最高中子产额≥1×109 n/s,中子产额浮动≤10%;在靶极电压-80kV、阳极电流300μA、靶流80μA的工作条件下,中子产额可达1×108 n/s,中子管的性能指标完全满足中子测井使用要求。此外,本文还对中子产额随靶极电压、阳极电流的影响进行了分析。     

GD-44系列快速强流光电管的性能测试

本文对GD-44系列快速强流光电管的各种性能的测试方法和设备作了叙述,为管子的研制和应用提供了一定的数据。所讨论的性能有:线性电流、光谱特性、阴极积分灵敏度,极间绝缘电阻和极间电容。本文所叙述的测试方法和设备,除线性电流的参数外,其余的都可以应用于光电倍增管相应的性能测试上。     

双脉冲法精确测量PMT脉冲线性电流的实验设计

PMT脉冲线性电流是PMT在脉冲工作方式下的重要参数,它直接关系到实验结果的可靠性。本文对比各种测量PMT脉冲线性电流方法的优缺点,从提高测量精度方面考虑,设计了基于双脉冲法的测量PMT脉冲线性电流的实验,通过挑选稳定性高的LED作为光源,利用DG2020信号发生器给LED灯供电,采用通道循环功能加长信号时间间隔,使用分路输出到两台示波器接收信号,应用示波器多次采集自动取平均的功能等方法在实验细节上进行设计,提高测量精度。通过实验测到了PMT脉冲输出电流偏离线性直线1%处的电流,并获得了PMT脉冲输出的mA级至A级电流全曲线。     

一种快速强流光电管

本文简单地介绍了快速强流光电管——GD-44的结构和性能。工作在1千伏时,上升时间<1毫微秒,线性电流在4安以上。该管是一种性能良好、使用方便的测量器件,已在原子能科学技术和激光技术等方面应用。     

离子注入PIN电流型探测器

本文叙述了离子注入PIN电流型探测器的制备,并对一些问题进行了讨论。探测器指标:在300伏反向偏压下漏电流一般小于10微安,好的可小于3微安;工作状态下线性输出电流大于2安;φ20毫米的样品上升时间小于8毫微秒,φ8样品上升时间可达3毫微秒。在使用中得到了较好的结果。     

国产首台核级百万千瓦发电机直流耐压及泄漏电流试验研究

描述了国产首台核级百万千瓦大型水内冷发电机直流耐压和泄漏电流试验过程,并就出现的问题进行了分析。介绍了此类型发电机泄漏电流异常的处理方法,还对直流耐压试验相关标准进行了探讨。     

低抖动纳秒高压脉冲源研究

根据某高能物理实验要求,利用真空平面三极管驱动高压触发管,研制出脉冲幅度达10 kV、前沿小于3.5 ns、抖动低于1 ns,负载电阻R_L为50 Ω时峰值电流可达200 A的高压负脉冲源。本文介绍了该脉冲源的系统组成及工作原理,并给出了系统输出波形。     

nMOSFET X射线辐射影响研究

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流I2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。     

核探测器智能直流高压电源的研制

本文阐述了一种用于核探测器的新型直流高压电源的原理及性能特点，直流高压发生电路由８０３１单片机控制，具有智能化特点，可通过键盘无按时间编程输出电压；实际输出电压由ＬＥＤ数码显示，系统在单片机监视下跟踪调整，在允许电流范围内，实现输出电压不随负载变化。     

PIN探测器贯穿辐射与非贯穿辐射线性特性

采用脉冲X射线源和脉冲氙灯光源实验研究了PIN探测器对贯穿辐射和非贯穿辐射响应的最大线性电流输出特性,并与理论计算结果进行了比较。PIN探测器输出的最大线性电流随外加反向偏置电压线性变化,对贯穿辐射响应的最大线性电流输出比对非贯穿辐射响应的最大线性电流输出约大20%,理论计算的最大线性电流值比实验值小。在脉冲辐射探测中,采用可见脉冲光源获得的PIN探测器最大线性电流不会超出探测器对贯穿辐射的线性响应。     

SRAM单粒子锁定效应电路级防护设计研究

高密度CMOS工艺SRAM对单粒子锁定极端敏感的特性使其在空间应用时必须采取相应的防护策略。对于抗辐照能力较弱的CTOS,电路级防护成为提高系统可靠性的一项重要内容。利用激光单粒子效应试验装置,对CYPRESS公司的CY62167DV30LL型SRAM开展了一系列单粒子锁定效应试验。通过对试验结果进行线性拟合,计算出该款SRAM维持电压为1?5?1?6 V,维持电流为9?9?11?2 mA。根据维持电流、维持电压、工作电流、工作电压,对能否采用电路级防护做出判断。提出了电源限流和分压电阻两种电路级防护方法,并定量计算出电源限流取值和分压电阻取值范围。以往文献中电阻只是作为锁定被触发后限流的一种手段,并不能阻止器件发生锁定,本研究发现在满足一定条件下分压电阻可达到退出锁定的目的。两种防护方法均通过脉冲激光试验进行了验证。     

Study of Leakage Current Behaviour on Artificially Polluted Surface of Ceramic Insulator

This paper presents the results of the study concerning to the leakage current behaviour on artificially polluted ceramic insulator surface. From the present study it was observed that there is a reasonably well-defined inception of current i.e. scintillations at a finite voltage.The corresponding voltages for extinction of the current are in the range of 0.8 kV to 2.1 kV.Obviously, the dry band formed in the immediate vicinity of the pin prevents smooth current flow as the voltage rises from zero. Only when the voltage is adequate it causes a flashover of the dry band and current starts flowing. As is common in similar current extinction phenomena, here also, the extinction voltages are significantly lower than the inception voltages. Further, the voltage-current curves invariably show hysteresis the leakage currents are lower in the reducing portion of the voltage. This is obviously due to drying of the wet pollutant layer thereby increasing its resistance. It is believed that this is the first time that such a direct quantitative evidence of drying in individual half cycles is experimentally visualized.     

碳化硅探测器的最大线性电流研究

本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性,给出了最大线性电流计算方法,分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响,利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流特性。研究结果表明,灵敏区面积4 cm2的碳化硅探测器可获得4 A以上的线性电流,不同规格碳化硅探测器最大线性电流的理论和实验结果最大相对偏差约23%。     

Investigations of Tracking Phenomena in Silicone Rubber Using Moving Average Current Technique

In the present work, tracking phenomenon in Silicone rubber material has been studied under AC and DC voltage, with ammonium chloride as a contaminant. It is observed that the tracking is more severe under the DC voltages. The tracking time is less under negative DC compared to the positive DC voltage. The tracking mechanism is explained in detail. The leakage current during the tracking studies was as measured and the moving average technique was adopted to understand the trend in current flow. The leakage current magnitude is high with thermally aged specimens compared to the virgin specimen, irrespective of the type of applied voltage. It is realized that the tracking time and the leakage current magnitude shows an inverse relationship.     

Circle Points Discharge Tube Current Controller

Circle points discharge tube current controller is a new type device to limit the output of high voltage discharge current. Circle points uniform corona discharge to form air ionization current in the discharge tube. On the outside, even if the discharge electrode is spark discharging or the two discharge electrodes are short circuited, the air ionization current in the tube remains within a stable range, and there is no spark discharge. In this case, when the discharge current only increases slightly, the requirement to limited current is obtained. By installing the controller at a discharge pole with a small power but high voltage supply, we can realize the shift between the continuous spark line discharge and corona discharge. This provides a new simple device for spark discharge research and is a supplement to the Townsend discharge experiment.