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《中国无线电电子学文摘》2003,(3)
0462 2003030119zro/W肖特基发射阴极的研制/戴宏,(21潘尔达,陈尔纲,周庆(云南大学)11微细加工技术.一2002,(2).一11一14,23研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极一一错/钨(ZrO/W)阴极.这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面,采用特别的涂覆法或蒸镀法,形成含ZrO膜层,并经特殊处理后得到的.实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为 2 .86电子伏特左右,低于钨阴极的功函数值.图4表1参10(刚)研究的重要课题.文中综述了国内超扭曲液晶显示材料中所用单晶化合物、手性添加剂和取向剂的合成进展情况,并阐述了超扭曲液晶… 相似文献
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为何浸渍阴极表面覆一层高功函数的锇(Os)膜后发射能力可以显著增加?这是一个长期未搞清的重要问题.该文在对阴极进行发射性能测试和扫描电镜分析的基础上,利用同步辐射光电子谱装置,对覆钨(W)膜阴极和覆Os膜阴极表面的元素成分及化学状态进行了全面系统的研究.结果表明,覆Os膜阴极的电子发射能力是覆W膜阴极2.65倍;与覆W膜相比,覆Os膜使阴极表面的钡(Ba)原子和低结合能态的吸附氧(O)原子分别增加了40%和56%.进一步分析认为,Os膜具有易氧化及氧化物易分解的特性,这一特性决定了覆Os膜阴极在激活后可以获得更多的超额钡Ba+(a),并因此具备更高的电子发射能力. 相似文献
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作者研制成功了YBa_2Cu_3O_(7-x)/W和Y_2O_3/W两种场发射阴极,并得到了相应的场发射图象。由场电流和电压测量,再经F-N公式计算,可确定YBa_2Cu_3O_(7-x)/W场阴极在室温下的逸出功为4.1eV。在相同几何参数和电参数下,Y_2O_3/W的场电流较钨场阴极为大,且较稳定。 相似文献
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阴极材料对有机太阳电池性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
分别用Al、LiF/Al和Ca/Al制备了三种不同阴极材料的体相异质结有机太阳电池。对其光电特性进行了表征,分析了不同阴极材料对电池性能的影响机制。结果表明:所制备的有机太阳电池在10–1W/cm2辐照度的光照下,开路电压分别为0.419 3,0.565 0和0.591 1 V,能量转换效率分别为1.17%、2.06%和1.91%;采用LiF/Al层状阴极制备的有机太阳电池具有更高的能量转换效率;功函数愈低的材料做阴极,有机太阳电池的能量转换效率也愈高。 相似文献
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本文对渍制钪酸盐钡钨阴极的脉冲性能作了下述几方面的研究。(1)脉冲发射水平和逸出功分布;(2)脉冲运用下的电子初速分布;(3)脉冲工作比效应;(4)强场下的非常肖特基效应。 本阴极在Tk=850℃下能提供的脉冲发射电流密度大于20A/cm2;平均逸出功=1.7eV;发射的不均匀性与国外报道的M型阴极的相近;在脉冲运用下,电子速度的分散值低于氧化物阴极的。本阴极在场强高于1104V/cm时,出现非常肖特基效应,本文用S值来表征。本阴极的S值明显高于渍制铝酸盐钡钨阴极和L阴极的。造成非常肖特基效应的主要原因是表面逸出功不均匀。在脉冲工作比f=510-3410-2范围内,支取8.8A/cm2时,本阴极有良好的平坦f特性,所以适用于长脉冲、大功率毫米波器件。 最后结合国内外对这种阴极的表面分析结果,对本文的实验结果进行了讨论,这些讨论有助于阐明本阴极的发射机制。 相似文献
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张敏张珂任海岩宋莹周军刘继琛 《真空电子技术》2023,(3):70-72
根据大功率速调管的设计要求阴极的电流密度不低于14 A/cm^(2),目前这种类型速调管所用M阴极工作温度需要不低于1080℃,所需灯丝功率高达26~28 W。本文介绍一种适用于该类型速调管的改良氧化物阴极的制备技术,这种阴极采用镍合金活性基底代替纯镍基底,涂层采用含钪四元氧化物。结果显示:这种氧化物阴极速调管支取电流密度为15 A/cm^(2)时,阴极温度为910℃,灯丝功率为20.97 W,灯丝功率比M型阴极降低了约20%。 相似文献
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铁电材料用于阴极发射的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
铁电材料作为一种新型的阴极材料,具有真空要求低、制作简单、功函数低、响应速度快等特点。本文讨论了铁电阴极发射的机理,回顾了主要铁电阴极材料的发射实验,包括低电压铁电发射实验,最后对铁电阴极材料的应用做了讨论和展望。 相似文献
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本文叙述了复蒸银对银氧铯阴极发射性质的改进。并对复蒸银前后阴极的热发射功函数与光电发射功函数分别作了计算比较。 相似文献
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着重介绍类似于压制钡钨阴极的一种新型氧化物阴极的制作方法。该方法能使阴极工作温度在只有760℃条件下,却能支取直流发射3A/cm^2高电流密度的氧化物阴极。 相似文献
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本文全面系统地综述了钪酸盐钡钨阴极的发展趋向,并着重说明端层压制W Sc_2O_3的浸渍型阴极发射电流密度大,抗离子轰击能力强的特性。 相似文献
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在阴极研究领域,钪型阴极因其大发射电流密度受到广泛关注,但其发射机制仍不明确。普遍认为表面发射层为BaxScyOz-W结构,但发射表面是动态变化的,很难确认其最佳表面发射结构。本文对钪型阴极表面BaxScyOz-W的理想发射结构进行了建模,并利用密度泛函方法对其功函数进行了计算。计算得到Ba-O-Sc-O-W表面结构的最小功函数为1.186eV。通过对计算结果的分析,讨论了不同表面原子结构对应的功函数变化。 相似文献