在VLSI方面的竞争

<正> 除以前发表过的日本两家公司研制成256K位动态RAM以外,目前,许多公司也正在研制256K位动态RAM,并取得一定进展。IBM公司已试制了288K位动态RAM芯片;Motorola公司最近也发表了256K×1位动态RAM的一览表,预计样品在年内或83年初出厂,最大存取时间将为100ns,内有再生功能,单元面积84μm~2,芯片面积46.4mm~2;日立也宣布今年秋季将提供样品。东芝公司在批量生产第一代VLSI产品-64K位动态RAM方面一直落后于日立、富士通等公司,据称东芝将通过首先推出1M位RAM来保持它在VLSI方面的竞争能力,他们计     

256KbCMOS模拟SRAM

日本东芝公司最近研制成功存取时间为25ns的256Kb模拟SRAM.这种型号为TC51832P-85的产品系列包括由一个晶体管和一个电容器组成的存储单元(与DRAM相同)和CMOS结构的外部电路(32K×8位).字线采用聚硅和聚铝的双层结构.字线的     

一种512 Kbit同步高速SRAM的设计

设计了一种深亚微米 ,单片集成的 5 1 2 K( 1 6K× 32位 )高速静态存储器 ( SRAM)。该存储器可以作为IP核集成在片上系统中。存储器采用六管 CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速译码电路 ,以期达到最快的存取时间。该存储器用 0 .2 5μm五层金属单层多晶 N阱 CMOS工艺实现 ,芯片大小为 4.8mm× 3.8mm。测试结果表明 ,在 1 0 MHz的工作频率下 ,存储器的存取时间为 8ns,工作电流 7m A。     

能缩小PC机体积的SRAM

三菱电机公司推出的SRAM存取时间有两种(15和20ns),具有地址寄存功能,装入一般PC机可减少10个单板寄存IC。字长结构有三种:8K×8b、8K×     

MOS随机存取存贮器的世界市场

MOS随机存取存跫置的世界市场 (单位:百万美元)l 9 7 81 9 T 9l 9 8 01 9 8 11 9 8 21 9 8 3p沟 ’tkp沟lkP沟2kp沟1lk准静态小计11沟lkn淘高速 .(T.cc<100ns)4Kn沟勖态16Kn沟动态64Kn沟动态256Kn沟动态1Kxl静态256x4静态1K×4-~4k x1静态1K×8静态2K x8一、一16k X1静态4K×8—32Kx 1静态小计CMOS 256x4,1Kxl 1KX4-,~4Kxl 1K×8 其它CMOS i 小计SOS与特殊RAM 总计 4.8 1.3 0.5 0.3 6.9 27.0159.0166.7 1.8 30.4 9.5 98.3 3.6496.3 40.7 13.0 了.0 60.7 20.5584.41.71.0 2.了28.5 96.52T0.T 16.4 23.8 8.T107.8 9.6 了.0569…     

34ns256k DRAM

文章叙述256K×1位MOS动态RAM,该存贮器采用MoSi_2栅工艺制作,并备有冗余单元,以改进成品率。RAM的典型CAS存取时间为34ns,有效功耗170mW(在5V Vcc和260ns周期时间下)。 高速工作是两个有贡献的因素作用的结果。一个因素是在应用MoSi_2栅工艺技术。一般为了欧姆/□的MoSi_2低薄层电阻减少     

在一块芯片上集成225万个元件的1兆位DRAM

日本的东芝公司于去年11月1日发表了新一代超大规模集成电路的文章,它采用1.2μm的微细加工技术及新的元件隔离技术(BOX),在一块芯片上集成了约220万个元件的1M位动态RAM。 存取时间70ns 此超LSI,在4.78×13.23平方毫米的硅芯片上集成的元件是目前已达到实用化的最先进的超LSI-256k位DRAM的4倍,并将这种器件封装在与256k位DRAM     

以扩展页面方式为特征的256k RAM

MCM6256动态RAM适合于改进64k字节系统,它提供256kbits的存储容量,并具有扩展页面方式,该方式允许在所选择的多达512bits的列内随机位存取。MCM6256-10器件的最大页面周期为100ns,最大存取时间快达50nS。而对于MCM 6256-11和MCM6256-15,其最大存取时间分别为60ns和75ns,其周期分别为120ns和150ns。全部输入和输出包括时钟与TTL兼容。该RAM被封装在一个16芯30密耳的塑料DIP内,就一个+5v(±10％)的电源供电,备用时耗电4.5mA,工作时耗电70mA。以100个为批量,售价为:MCM6256-15 20.01美元,MCM6256-12 31.21美元,MCM6256-1036.41美元。     

存取速度快的ECL RAM

日本富士通有限公司最近生产的64Kb双极ECLRAM,存取时间高达5ns。它应用了1μm规则和U型槽隔离方法,存贮单元面积为403μm~2,芯片面积为76.4mm~2。此存贮器结构为8K×8b,可分成两个字     

存储器

16Mb低功耗SRAM Hitachi公司的HM62V16102I和HM62A16102I系列是16Mb SRAM,存取时间为25ns,并有存取时间为35ns的产品。HM62V16102I的工作电压为2.2V至3.6V,HM62A16102I系列的工作电压在1.65V至2.2V。HM62V16100I和HM62V8200I系列的存取时间为45ns,工作电压为2.7V至3.6V。HM62V8200I系列设计成2M×8b,其它三种设计成1M×16b,采用48脚CSP封装。     

高速图象应用的4结构和CMOS 256k位动态RAM的研制

在256k×1位结构的标准产品基础上,具有高速存取功能、作图象存贮器应用的64k×1位和32k×8结构等各种各样的第二代256k动态RAM正在研制成功。外围电路采用CMOS结构也很引人注目。不久,这些产品除×1结构之外,将占256k RAM总数的30％。最引人注目的是周期时间小于50ns的静态列式CMOS型,以及供图象应用的双通道64k×4位产品的新应用研究。     

存取速度快的256KSRAM

美国MOSEL公司最近推出一种MS62256型256K静态随机存取存贮器(SRAM),这种SRAM的存取时间仅有55ns,是目前商品化产品中速度最快的器件.它的备用状态电流为1μA,典型工作状态为60mA. (陈善海编译)     

简讯

新型可编程只读存贮器日本富士通公司生产的 MB7200双极可编程只读存贮器(PROM),在芯片上集成了输出寄存器,与外接输出寄存器的 PROM 相比,占用印制板空间减小了一半以上,功耗几乎下降15%。此外,它的存取时间仅20ns。此系列包括两种产品:4096位 MB7226(512×8位);8192位 MB7232(1K×8位)。它的工作温度范围为0~°～70℃或-55°～+25℃。(陈善海)打印机用半导体激光器日本夏普公司最近研制出 LT026MD 型半导体激光器,其振荡波长为780nm,最大光输出功率为     

在TP-801单板机上对2732编程

目前国内所生产的TP-801单板机只能实现对2708(1K)、2716(2K)EPROM的编程.若要实现对2732(4K)的编程,则必须外接专用线路及编制专用程序(软件),用户一时还不易实现.本文介绍一种简单可行的方法,在TP-801单板机上实现对2732编程.(一)2732和2716的区别1.外观引出脚区别:2732是4K×8位的EPROM器件,2716是2K×8位的EPROM器件,如图1所示,表1、表2列出了两种片子的方式选择,供     

兆位级DRAM

<正> 加利福尼亚州的富士通微电子公司报导他们已研制了能贮存1M 位数据的 DRAM,预计在1986年底能大量生产。该器件采用 NMOS 技术,最小线宽为1.4μm。采用了三维叠式电容器单元的结构,在26.5μm~2的单元面积内可提供55pF 的数据存贮容量。该 DRAM 存取时间为90ns(t/rac)和45ns(t/cac),功耗为350mW(工作)和15mW(待机),用单一5V 电源,芯片面积为12.32mm×4.44mm,单元面积为8.4μm×3.15μm。另报导,东芝在美国的分公司研制了1M 位 CMOS DRAM,存取时间为100ns,最大工作电流40mA(待机时为1mA),使用1.2μm 设计规则。     

低功耗和快速异步SRAM

CY62187EV30LL 64MB 3V MoBL SRAM提供4M&#215;16配置,通常的超低待机电流仅为8μA,存取时间仅为55ns,体积为8．0mm&#215;9．5mm&#215;1．4mm,可延长高端销售点终端、游戏应用、VOIP电话、手持消费和医疗设备等应用的电池工作时间。     

8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器

为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。     

具有位线屏蔽结构的70ns 256k DRAM

设计芯片面积最小,存取时间最快、工作范围最宽的DRAM正受到人们极大的注意。本文介绍使用位线屏蔽的70ns 256k×1位DRAM的研制情况。芯片尺寸为3.6×8.4mm~2(=30.2mm~2),用16引线300mil双列直插式塑料管壳封装。 选用了阵列的开位线结构(图1),以便提高速度、减少芯片面积和改善信号电     

武藏野通研用电子束技术试制256千位NMOSRAM

<正> 日本电信电话公司武藏野电气通信研究所最近用电子束直接曝光技术研制了256千位动态 NMOS RAM,这个成果已在2月份美国举行的国际固体电路会议上发表。器件构成为256千字×1位,由5伏单一电源操作,采用16脚双列直插式封装,存贮器为每单元1个晶体管方式,采用1微米规范的工艺,单元尺寸为8.05×8.6微米~2。该器件的特点是:1)用电子束直接曝光代替过去的光刻方式,以实现微细图形的加工;2)在其他字线中用钼栅技术代替过去所用的多晶硅,以提高存取时间速率;3)采用为弥补缺陷而用的不良位的补救回路,使可靠性大大提高。器件特性是:存取时间100毫微秒,     

新产品

TC51V18160AJ—60,电源电压由3.3V±0.3V构成的存取时间,最大60ns的16Mbit DRAM,程序构成是1M 16 bit.存储单元阵列1024行×1024列,在16ms以内选择所有的行地址更新动作.动作时的最大消耗功率为648mW,改变存储单元阵列的构成为4096行×256列,把动作时的最大消耗功率控制在342mW.同1616AJ—60.不过,地址输入端与1024×1024构成相比较可增大3倍.