掺杂纳米WO3的制备及其气敏性能研究

以无机盐为原料,十六烷基三甲基溴化铵CTAB为助剂,采用溶胶-凝胶法制备三氧化钨,研究了La掺杂(0,1%,3%,5%,7%,10%)对WO3基气敏材料性能的影响,并做了贵金属Pd掺杂的探索(掺杂量0.5%);测试了掺杂WO3基厚膜敏感元件对无水乙醇、丙酮、甲苯、二甲苯、甲醛、乙醚、H2S、NOX、苯等的气敏性能,特别是对H2S在不同温度、不同浓度条件下的气敏性做了大量的研究.制备的WO3材料在常温下对极低浓度(5 μl/L)H2S也有很好的响应(Sr=5.887).Pd掺杂(0.5%)能够大大提高元件的敏感性能,对100 μl/L苯250℃灵敏度可达到10.通过XRD、BET表征,发现材料颗粒的大小和比表面积分别在84.5 nm和3.69 m2/g.结合相关理论,对试验中气敏现象及机理进行了解释.     

纳米晶稀土贮氢合金高倍率放电性能的研究

对快淬法制备的纳米晶贮氢合金的高倍率放电性能进行了研究.结果表明,该贮氢合金7C放电比容量不低于260 mA.h/g,高倍率放电率不低于90%,循环寿命大于600次;10C放电比容量不低于230 mA.h/g,高倍率放电率不低于80%,循环寿命大于500次.X射线衍射分析和金相分析结果表明,该贮氢合金呈均匀的单一CaCu5型相结构,晶粒尺寸小于50nm,为柱状晶结构.     

高比表面稀土复合氧化物纳米晶制备研究

以CTAB为模板剂采用均相沉淀工艺,制备了系列铈锆复合氧化物纳米晶体。当CTAB为0 04mol,反应时间为72h,Ce0 7Zr0 3O2的比表面积达到最高;在相同的反应条件下,合成不同摩尔比的CexZr(1-x)O2(x=0 1～0 9)中,以x=0 1时最好,样品的比表面积最大,500℃焙烧后SBET高达172m2/g。     

Er3+掺杂纳米SiO2材料的制备及其发光性

采用溶胶—凝胶法制备了SiO2为基质的Er3 掺杂的发光材料,样品经450℃煅烧,X-射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明该材料具有非晶态结构,颗粒尺寸为60～70nm。对样品进行荧光光谱分析表明该材料可以发射出较强的360nm的紫外光和弱的690nm的红光。     

纳米硅管的掺杂

掺杂可以提高纳米硅管的高温稳定性及物理性能,从而制备出实用的纳米硅管基电子器件.系统地论述了钴、铁、锰、镍、铍、硼及磷等元素在掺杂纳米硅管方面的理论研究现状与进展.     

纳米稀土氧化物粉末

广州有色金属研究院稀土研究室采用湿法沉淀工艺生产的系列稀土氧化物纳米粉末,具有纯度高、粒度分布窄、晶型单一、分散性好等优点.     

纳米晶稀土贮氢合金高倍率放电性能的研究

对快淬法制备的纳米晶贮氢合金的高倍率放电性能进行了研究.结果表明,该贮氢合金7C放电比容量不低于260 mA·h/g,高倍率放电率不低于90%,循环寿命大于600次;10C放电比容量不低于230 mA·h/g,高倍率放电率不低于80%,循环寿命大于500次.X射线衍射分析和金相分析结果表明,该贮氢合金呈均匀的单一CaCu5型相结构,晶粒尺寸小于50nm,为柱状晶结构.     

纳米稀土发光材料的研究与展望

介绍了纳米稀土发光材料的研究现状和其新奇的光学性能，综述了纳米稀土发光材料的化学制备方法，并讨论了各种方法的优缺点，最后指出了它的应用前景和发展趋势。     

Sn掺杂ZnO纳米棒的制备及表征

以Zn(Ac)₂·2H₂O和 LiOH·H₂O作为反应物, 加入一定量的 SnCl₄·5H₂O, 以超声辅助醇热法制备出一系列不同Sn掺杂浓度的ZnO纳米棒。用XRD、TEM、FT-IR和EDX对所合成的样品进行表征。结果表明醇热18h的纯ZnO晶体形态多为棒状, 粒径分布均匀, 长度在45 nm左右, 且分散性良好; 而掺Sn的ZnO纳米棒的直径和长度则随着掺杂浓度的增大而增长。掺杂后的ZnO晶体仍为六方纤锌矿结构, 但随着Sn掺杂浓度的增大, 晶体的结晶性降低。在室温下对掺Sn的ZnO样品进行荧光光谱检测, 可以观察到3个发射峰, 包括:在400～410 nm处的紫色发射峰, 在455～470 nm蓝色发射峰, 在530 nm附近的绿光发射峰; 随着Sn掺杂浓度的增大, 发射峰的强度逐渐降低。     

针状纳米碳酸钙制备研究

采用一种新型自制碳化塔,制备出了粒径为40～60nm的针状纳米碳酸钙产品;研究了设备结构、晶形控制剂、反应物浓度和温度、搅拌速度等,对产品晶形和粒径的影响。     

纳米ZnO薄膜的制备及其光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备纳米ZnO,用X射线衍射仪和透射电镜表征纳米ZnO的结构和形貌,制成薄膜研究其光催化性能.结果表明,在450 - 650℃范围内,随着焙烧温度增加,ZnO的结晶度和晶粒尺寸均增大.纳米ZnO的光催化性能在焙烧温度为650℃时较好.ZnO薄膜(4cm×2cm)光催化氧化降解苯酚溶液的适宜条件为苯酚溶液初始浓度0.145g/L,H2O2( 30％)用量70.0mL/L,膜的纳米ZnO粉体用量为0.070g,室温下用两只40W荧光灯照射90min.最佳条件下苯酚降解率可达95％.     

载银纳米铁酸铜抗菌剂的制备及抗菌性能

以纳米铁酸铜(CuFe_2O_4)复合氧化物为载体,通过吸附制备载银抗菌剂,用抑菌圈直径和杀菌率表征抗菌性能.选择pH值范围为5.5～7.0、吸附时间8h、吸附温度50℃为纳米CuFe_2O_4对银离子的吸附条件.当焙烧温度为500℃时Ag~+能够有效缓释,并具有抗菌持久性.具有相近粒径和相同载银量的载银纳米CuFe_2O_4抗菌能力强于载银纳米SiO_2.载银纳米CuFe_2O_4抗菌剂具有较好的抗菌性能.随着抗菌剂载银量的增加抗菌能力增强,抗菌剂的焙烧温度影响银离子的溶出能力与缓释能力.载体本身较强的吸附、催化能力产生的对细菌的破坏及其中铜元素的存在有利于增强抗菌剂抗菌性能.     

纳米ITO 粉体的制备及其性能表征

介绍了以In(NO₃)₃ 、SnCl₄·5H₂O 和尿素为原料、采用均相共沉淀法在一定的条件下制备纳米级ITO 粉体的实验过程, 并对产品的结构性能进行了表征。结果表明:所得的ITO 粉体平均粒径约为80 nm、分散性好、呈单一相。     

纳米氧化钇的制备及表征

采用碳铵沉淀工艺, 进行了纳米氧化钇的制备研究。研究了沉淀过程中表面活性剂对沉淀颗粒大小的影响; 添加表面活性剂隔离碳酸钇颗粒之间的相互接触, 从而起到了在煅烧过程中控制粉末硬团聚的作用; 分析了煅烧温度对比表面和氯离子含量的影响; 制备出了单一粒径小于50 nm、团聚体粒度分布D₅₀<150 nm, 粉末的比表面积大于35 m²/g,粉末的团聚常数(D₅₀/D_BET)小于6, 形状为球形的纳米氧化钇粉末。     

纳米CeO2粉体的制备

在分析对比了沉淀法、溶胶一凝胶法、水热法、微乳液法、喷雾热分解法、喷雾反应法制备纳米CeO2等方法的基础上，利用化学沉淀法在400℃合成了粒径在100nm以内的CeO2纳米晶，并用XRD、SEM以及热失重分析进行了表征。     

纳米ZnO的制备

探讨了均匀沉淀法制备球形纳米ＺｎＯ的新工艺,获得最佳的工艺条件为：反应温度９５℃,反应时间３～５ｈ,ｎ（Ｚｎ（ＮＯ３）２＝１．２ｍｏｌ／Ｌ,ｎ（ＣＯ（ＮＨ２）２）／ｎ（Ｚｎ（ＮＯ３）２＝３．０～５．０,热解温度３５０℃,热解时间３ｈ,制得的样品粒径分布为５０～８０ｎｍ,平均粒径为６５．１ｎｍ,ＺｎＯ回收 率为９２．２６％。     

高纯纳米氧化镁制备工艺研究

以MgCl₂·6H₂O为原料, 聚乙烯醇为分散剂, 采用氨水沉淀法制备氢氧化镁, 经煅烧得高纯纳米氧化镁。单因子实验与正交实验表明, 在沉淀反应时间为25 min, 氢氧化镁煅烧时间3 h时, 制备高纯纳米氧化镁的最佳工艺条件为: 反应温度35 ℃, 原料摩尔比(NH₃·H₂O ∶MgCL₂·6H₂O)2.2∶1, Mg²⁺摩尔浓度1.3 mol/L, 分散剂用量为2 mL, 煅烧温度700 ℃。在此条件下, 反应最终产物氧化镁的纯度达到了99%以上。并采用X射线和透射电镜等对样品进行表征, 结果表明, 样品粒径分布窄、分散性良好, 平均粒径为35 nm, 满足高纯纳米氧化镁要求。该工艺流程简单, 产品质量稳定, 适宜于工业化生产。     

喷雾干燥制备纳米氧化钇研究

液相沉淀法制备纳米粉体过程中,喷雾干燥参数的选择直接影响粉末产物的形貌和粒径。针对碳酸钠和碳酸氢钠混合沉淀剂沉淀获得的前驱物,采用先进喷雾干燥工艺对其脱水造粒,旨在解决粉末团聚等问题。结果表明：在干燥温度150℃,蠕动泵速度40%的喷雾干燥条件下,可获得D₅₀=3.30μm、(D₉₀-D₁₀)/2D50=0.46,粒径分布窄的球形纳米碱式碳酸钇前驱团聚体;通过控制升温速度5.375℃/min,煅烧温度860℃,煅烧时间1h,团聚体可制备得到单一粒径30—60 nm、D₅₀=0.050μm,分散性良好的立方晶型纳米Y₂O₃。