基于SOI CMOS工艺的LVDS驱动器设计

基于绝缘体硅(SOI)0.35μm工艺实现了一款满足IEEE 1596.3和ANSI/TIA/EIA-644工业标准的低压差分信号(LVDS)驱动器芯片。全芯片分为预驱动模块、输出驱动模块、共模反馈模块、使能模块和偏置模块。提出了一种具有低输入电容输出驱动模块电路结构,经仿真验证可有效降低LVDS预驱动模块30%的功耗,同时降低29%的信号延时。芯片利用共模反馈机制控制输出信号的共模电平范围,通过环路补偿保证共模反馈电路的环路稳定性。芯片使用3.3 V供电电压,经Spice仿真并流片测试,输出信号共模电平1.23 V,差分输出电压347 mV,在400 Mbit/s数据传输速率下单路动态功耗为22 mW。     

MiniSKiiP~ IPM面向中等功率应用的先进模块架构

电力电子技术可以帮助提高能源效率和节约大量能源,尤其是在中等功率应用市场中。得益于其高集成度和简单的组装,本文所介绍的600V智能IGBT功率模块能够促进电力电子的应用。该模块的特点在于其基于双极性电平转换器的先进概念。因此,所集成SOI驱动器不受参考电压变化的影响,输出功率高达15kW,从而提高了在应用中的可靠性。     

MiniSKii PIPM面向中等功率应用的先进模块架构

电力电子技术可以帮助提高能源效率和节约大量能源,尤其是在中等功率应用市场中。得益于其高集成度和简单的组装,本文所介绍的600V智能IGBT功率模块能够促进电力电子的应用。该模块的特点在于其基于双极性电平转换器的先进概念。因此,所集成SOI驱动器不受参考电压变化的影响,输出功率高达15kW,从而提高了在应用中的可靠性。     

一种通过1200伏高压集成电路（1200V HVIC）驱动的1200伏传递模塑的整流-逆变-闸流模块（CIB）

传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块（IPM）已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进，例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管（CSTBT）实用化，这些改进为低成本，高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIP IPMs的功率已经能达到3．7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展，将其用于额定电流从10A到25A的1200V CIB模块，该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIP CIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3．7KW的完整逆变器包括三输入整流器，闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC，所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装，可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。     

SEMITOP替代分立功率器件的良好选择

1引言 SEMITOP家族包含有SEMITOP 1,SEMITOP 2,SEMITOP3和最新的SEMITOP4。每类产品均有2个耐压等级：600V和1200V,使用的是NPT或Trench IGBT芯片。新推出的SEMITOP 4驱动电机时功率可达22kW,将最新的IGBT芯片封装在一个紧凑的包装里。它是目前的SEMITOP1、2、3模块的延续产品。     

3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制

基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管(SBD),所用4H-SiC外延材料厚度为35 μm、n型掺杂浓度为2× 1015cm-3.二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ· cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V.基于这种3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管,SiC肖特基二极管为模块的续流二极管.模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807 μC,反向恢复时间为41 ns.与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗.     

SKHI 22A／BH4型混合双IGBT驱动器

SKHI 22A、SKHI 22B、SKHI 21A是新一代驱动器，由可以直接安装在PCB上的混合电子元件组成。在这种驱动器中，集成了驱动、电源、误差监控和电位分离所必需的全部器件。为了使这种驱动器适用于功率模块，只需要少量的附加布线。IGBT的正向电压用集成化短路保护电路检测，当超过一定阈值电压时，保护电路就会使功率模块关断。短路或电源电压太低时，集成化误差存储器就会工作，产生一个误差信号。该驱动器与 15V的受控电源连接。输入信号电平分别是0V／15V(SKHI 22A／21A)和0V／5V(SKHI 22B)。     

用于变频空调器的智能功率模块（IPM）

本文介绍一种被称为IPM(Intelligent Power Module)的新型智能功率模块。它采用了IC驱动和保护技术、低饱和压降IGBT芯片技术以及新的封装技术,其功率范围能满足0.75kW～5.0kW电机对驱动功率的要求,特别适合于变频空调器用逆变器系统。 新的IPM系列可使其应用装置具有更小的体积和更     

高功率IGBT模块驱动器实现智能化管理

正随着用于电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用的高压IGBT市场需求不断增长,高压和超高压IGBT栅极驱动器应运而生。日前,英国Amantys公司宣布推出一款针对高功率模块的IGBT栅极驱动器,其工作电压为4500V,额定电流从400A至1200A,它专为支持包括ABB、     

基于IPM模块的舵机控制电路设计

为了实现水下自主式机器人的控制,设计了一种基于IPM模块的舵机控制电路。该电路将舵机控制信号与舵机位置反馈信号比较获得的直流偏置电压信号作为脉宽调制芯片UC1637的输入信号。UC1637根据输入直流偏置电压信号的变化输出不同占空比的PWM信号驱动IPM模块内部不同IGBT的通断,从而实现舵机的控制。该电路将IPM模块和脉宽调制芯片UC1637用于舵机控制,使该电路具有成本低廉和容易实现的优点。实验结果表明,该控制电路运行稳定,控制精度高,有很强的应用推广价值。     

凌特推出同步升压型DC／DC转换器LTC3422

国际整流器公司（IR）日前推出用于荧光灯的IRS2153D电子镇流器集成电路。这款新型的600V自激式半桥IC内置自举二极管，可以简化电路设计。它基于IR2153x产品系列而设计，将“555”型振荡器与一个600V半桥栅极驱动器集成成一起，以驱动两个输出场效直管或IGBT。     

混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A—IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路

本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。     

电源管理

SD42524：大功率LED驱动芯片杭州士兰微电子公司推出了一款高性能、高可靠性、大功率的绿色照明驱动解决方案核心芯片----6～36V输入、1A大功率LED驱动芯片SD42524。该芯片采用了士兰微电子专为绿色节能产品所开发的高性能BCD工艺技术,单芯片集成LDMOS功率开关管,内置PWM调光模块和多重保护功能,为降压、恒流型LED驱动电路,     

IR扩充iMOTION集成功率模块产品线积极推动节能家电应用

全球电源管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)最新推出一系列600V、16A和20A的集成功率模块(IPM),进一步扩大了模拟功率平台方案的阵营,使之成为IR iMOTION集成设计平台的一部分。新的IPM有助于简化紧凑型、高性能变速运动控制功率平台的设计,应用领域包括空调和商用冷却系统等。这些新型的IPM是专为节能家电中的85V～253V交流变速电机驱动器而设计的,将IR专有的高压集成电路(HVIC)与三相逆变功率平台集成在一起。其中,额定电流16A的器件适合750W～1.2kW的功率平台,20A器件则适合750W～2.2kW的功率…     

Plug N Drive^TM系列应用概况（一）——应用于电机驱动的集成功率模块

对用于不同家电上的三相电机驱动，这些模块提供了一个成熟的、完整的解决方案，如功率在250W-2kW的洗衣机、节能冰箱和空调压缩机的驱动。它们使用了NPT IGBTs以及配套的超快软恢复二极管来减小EMI。除了IGBT功率开关外，模块还包含了一个6输出的驱动器芯片，与IGBT匹配，在最小的噪声和最大的可靠性下来进的灵活性。     

IPM智能功率模块的设计与分析

引言 IPM智能功率模块是先进的混合集成功率器件,由高速、低功耗的IGBT芯片和优化的门极驱动以及保护电路构成.由于采用了能连续监测功率器件电流的、有电流传感功能的IGBT芯片,从而可实现高效的过流保护和短路保护.由于IPM智能功率模块集成了过热和欠压锁定保护电路,因而系统的可靠性得到了进一步提高.     

智能功率模块用于汽车高压辅助电机负载应用

集成的智能功率模块(IPM)将在汽车功能电子化中发挥关键作用,促成新一代紧凑的、高能效和高可靠性的电机驱动器,实现在内燃机中省去耗能的机械式驱动负荷.IPM的主要促成元素有场截止沟槽IGBT、STEALTH二极管、HVIC、LVIC和DBC技术等.     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域，这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的IGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

GH-039带有过电流保护功能的高速大容量IGBT厚膜驱动器集成电路

介绍了带有过电流保护功能的高速大容量IGBT厚膜驱动器GH－039,分析了它的引脚排列和各引脚的名称,功能和用法,给出了它们的主要设计特点和参数限制,剖析了其的内部结构和工作原理,进而探讨了其应用技术。它单电源工作,内置高速光电耦合器实现输入、输出隔离;它高密度集成,具有对被驱动IGBT进行过电流或短路保护的功能,可用来直接驱动300A、600V的功率IGBT模块。     

1200 V/600 A SiC功率模块的设计与实现

设计并实现了一款1 200 V/600 A半桥结构的大功率SiC模块.模块内部通过SiCMOSFET多芯片并联构成.针对传统模块中由于功率回路与驱动回路的耦合而导致的并联芯片不均流问题,将芯片的辅助驱动电极从芯片表面引出,避免了两者的耦合问题.同时借助仿真软件,证明了并联芯片的不均流问题得以改善.将本设计模块与国外同规格的SiC模块进行了电学参数的测试对比,同时与同规格的Si基IGBT模块进行对比.结果 表明本设计模块与国外模块相比,静态性能略差,动态性能更优;且SiC模块的损耗比同规格的Si基模块的降低了约51％.对SiC功率模块进行了相关可靠性试验,结果显示样品均未发生失效.