第四届全国光电器件学术讨论会概况

由中国光学学会和中国电子学会联合召开的第四届全国光电器件学术讨论会,于1989年7月24日至28日在辽宁省兴城举行.来自全国各科研、生产和高等院校等50个单位的114名代表参加了会议.大会共收到论文摘要106篇,在会上宣读论文65篇,书面交流论文11篇.这是自1983年召开的首届全国光电器件学术交流会以来,每隔两年召开一次的综合性学术年会,规模是最大的一次,因而受到全国光电器件专业各界的重视和注目,这也是近两年我国     

第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs HEMT     

第六届中国国际光电博览会（CIOE）将于今年9月在深圳举行

经中国科学技术部、中国商务部批准,第六届中国国际光电博览会(CIOE)将于2004年9月6日至9月9日在深圳高交会展展览中心举行。此次光电博览会由中国光学学会、国际展览会议工作委员会、中国科协新技术开发中心和中国电子商会联合主办,深圳市贺戎展览实业有限公司承办。     

第五届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术会议

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工厂等单位的代表154人。会议编辑出版的论文集共刊出155篇论文。大会报告了六篇论文,它们是:中国科学院半导体研究所研究员、所长王启民的《半导体光电子器件与OEIC的发展》;中国科学院上海冶金所研究员彭瑞伍的《Ⅲ-V族锑化物材料的进展》;中国科学院半导体所研究员梁骏吾的《Ⅲ—V族化合物中杂质与缺陷的相互作用》;中国科学院长春物理所高级工程师吕安德的《原子层外延及其进展》;河北半导体研究所高级工程师、副总工程师梁春广的《InAIAs/InGaAs/InP MESFET研究》;南京电子器件研究所高级工程师黄廷荣的《化合物半导体光逻辑器件研究现状及研究战略》。