银金属氧化物(AgMeO)触头材料研究的新发展

从触头材料的温升特性,极间电弧特性及其对电极热力效应等方面,详细评述了国内外对AgMeO触头材料的基础研究现状:在分析比较AgSnO_2、AgCdO、AgZnO触头材料的抗电弧侵蚀性和抗熔焊性的基础上,提出了AgMeO触头材料的选用原则;最后,探讨了AgMeO触头材料的发展动向。     

银金属氧化物(AgMeO)触头材料表面动力学特性的研究

基于触头表面层组织特性是电弧与触头材料交互作用中最为重要的影响因素,本文研究了电弧侵蚀过程中AgMeO触头材料表面所特有的润湿作用、分散体系与粘性、MeO组份的热稳定性等表面动力学特性。作为触头材料表面动力学特性对电弧能量作用的响应,本文还研究了AgMeO触头基体裂缝形成与发展机理、热影响区MeO组份的“趋肤”现象及AgMeO材料电弧侵蚀表面形貌特征。     

50／400Hz频率下银金属氧化物触头材料电弧侵蚀研究

利用电光分析天平、扫描电镜与能谱仪，测量并分析了CAgCdO与AgSnO2 In2O，触头材料在交流50／400Hz和小电流通断试验的重量、表面形貌及组分的变化，探讨了两种频率下AgMeO触头侵蚀机理。结论指出，在设计时可适当减少中频开关电器体积。     

50Hz和400Hz低压阻性小电流电弧对AgMeO触头电弧侵蚀的研究

利用电光分析天平、扫描电镜与能谱仪测量与分析了CAgCdO与AgSnO2In2O3触头材料在低压交流50Hz和400Hz、纯阻性、小电流通断试验的表面形貌与组份,探讨了50Hz和400Hz下AgMeO触头材料电弧侵蚀机理.     

银基触头材料电弧侵蚀特性及裂纹形成机理分析

利用数字显示时间继电器、交流接触器、断路器以及电阻性负载设计了一个简易的触头材料实验电路。用该实验电路对五种银基触头材料AgCdO(12)，Ag(Sn，m)O，AgZnO(10)，AgNi(10)，AgC(5)根据不同的开断电流、开断次数、闭合压力和配对方式进行了电弧侵蚀实验。根据实验结果得到了一些有实际意义的电弧侵蚀特性曲线。然后根据不同的开断电流及闭合压力对裂纹形貌进行了分析研究。最后，基于数学分析给出了用于判定出现滑移裂纹和热应力裂纹的理论判据。     

AgMeO触点材料电弧侵蚀的物理冶金过程分析

本文报ＡｇＭｅＯ触点材料电弧侵蚀机理，对电弧的热力作用下触点材料的各种响应从物理冶金本质角度进行全面研究，在此基础上对ＡｇＭｅＯ触点材料组元和组织的优化设计作了完整的分析，提出优化设计判据，最后提出能充分表征触点材料电气使用性能的材料物理性能参数。     

银氧化锡触头制备工艺对比及其电弧侵蚀特性综述

介绍了银氧化锡触头在不同制备工艺下的基本原理以及合成方法,从每种合成方法的基础上提出了改良制备工艺,并介绍了近些年使用的新型制备工艺,分析了每种制备工艺的优缺点.总结了银氧化锡的电弧侵蚀机理与模型、电弧侵蚀形状外貌特征以及抗电弧侵蚀特性.并对未来银基材料的发展方向以及研究新的复合材料提出了展望.     

真空开关触头电弧侵蚀率问题

本文论述真空开关触头的电弧侵蚀率。对于有人提出为何在不同条件下不同研究得得到的电弧侵蚀率数值竟相差一到几个数量级的问题进行了较为详细的分析，指出了选用电弧侵蚀率数据的正确思路和判断。     

电弧作用下 AgMeO 触头材料的物理冶金过程分析

本文分析了ＡｇＭｅＯ触头材料电弧侵蚀机理,对电弧的热力作用下触头材料的各种响应从物理冶金本质角度进行全面研究,在此基础上对ＡｇＭｅＯ触头材料组元和组织的优化设计作了完整的分析讨论,提出优化设计判据,最后提出能充分表征触头材料电气使用性能的材料物理性能参数。     

纳米CuCr50触头材料电弧侵蚀特性

近年来,纳米CuCr触头材料在截流水平、耐压能力等方面的表现优于微晶CuCr触头材料。笔者利用真空触点模拟装置和基于虚拟仪器的电器电寿命测试系统,研究了直流低电压、小电流下的纳米CuCr50触头材料的电弧侵蚀量与分断燃弧时间和触头表面形貌之间的关系,同时采用两种微晶CuCr50触头材料作为对比。利用电光分析天平纳米CuCr50触头材料的侵蚀量,利用电子扫描显微镜测量触头表面形貌。结果表明:纳米CuCr50触头材料的平均分断燃弧时间和侵蚀量均高于两种微晶CuCr50触头材料。纳米CuCr50触头表面Cr颗粒细化及均匀分布,有利于分散电弧。纳米CuCr50阴极触头表面电弧烧蚀比较均匀,而两种微晶CuCr50触头阴极表面电弧局部烧蚀严重,出现明显的凹坑侵蚀。     

稳态电弧作用下触头烧蚀特性的试验研究

稳态电弧作用下触头烧蚀特性的研究对于探究触头性能退化及失效机理具有重要意义。针对稳态电弧作用下的触头烧蚀特性展开了试验研究。采用触头开距可调的电弧试验系统进行了不同稳态电弧电流下的烧蚀试验,得到了触头烧蚀量和表面形貌的变化。结合试验结果分析了稳态电弧大小对于触头侵蚀和材料转移的影响。     

CuNi电触点材料的直流电弧侵蚀研究

研究了CuNi电触点材料在直流阻性负载条件下的电弧侵蚀特性、材料转移以及接触电阻。结果表明,CuNi电触点材料在电流I<14A时,材料由阴极向阳极转移;电流I≥14A时,材料由阳极向阴极转移。触点电弧侵蚀后的表面形貌发生明显变化,接触电阻值有不同程度的波动。     

两种铜基触头材料的电弧侵蚀性能研究

电接触材料在工作过程中会受到机械磨损、环境腐蚀及电弧侵蚀,其中,电弧侵蚀对电接触材料影响最大,它是影响接触材料的电寿命和可靠性的最重要因素。笔者对采用熔渗法制备的CuCr50与电弧法制备的CuCr45电接触材料分别进行DC 50 V,20、30、40、50 A的电接触试验,并通过扫描电镜观察材料在电弧侵蚀后的形貌,对这两种材料在直流、阻性负载条件下的电弧侵蚀特征进行对比研究。结果表明,CuCr45与CurCr50在DC 50 V,20、30、40、50 A条件下,材料都由阳极向阴极转移;之后归纳出电弧侵蚀后两种材料的表面形貌特征,最后分析了两种材料的燃弧能量与熔焊力。     

预合金粉末内氧化法生产高性能AgMeO触头材料

采用预合金粉末内氧化及后续热加工法(AF法)生产AgMeO触头材料,工艺过程简单,产品质量可靠,综合性能好,经济效益佳,是生产高性能AgMeO触头材料合理、高效的工艺方法之一。适合在我国电工材料行业大力推广。     

分断速度对触头电弧侵蚀影响的数值分析

将电弧发展进程与触头分断过程结合起来,建立了电弧侵蚀热传播过程的数学模型。对触头分断过程中的电弧侵蚀现象进行了数值计算,分析了分断速度对输入触头能量、熔池尺寸的影响。分析表明,控制分断速度在一定范围内可有效地减小电弧对触头的侵蚀。     

强电接点电侵蚀解析模型和应力分布模型

对油断路器电接点电侵蚀凹坑的形成以及电蚀坑表面层状态进行了分析。建立了电接点电侵蚀沿电极深度方向上的温度场分布解析模型和解析表达式。给出了电接点放电结束后冷却温度场变化的解析方法。并对凹坑表面层残余应力的形成机理进行了较为详细的分析。建立了电侵蚀凹坑表面层残余应力分布的物理模型,给出了电侵蚀凹坑表面层残余拉应力区长度的计算方法。     

La掺杂对AgSnO_2电接触合金阴极侵蚀区成分的影响

利用化学共沉淀、高能球磨技术及常压烧结等方法制备掺杂La元素的纳米复合AgSnO2电接触合金,对合金进行了模拟电弧侵蚀试验,通过冷场发射扫描电镜及其附带的X射线能谱仪分别对合金电弧侵蚀前后形貌和阴极侵蚀区的成分进行了观察和分析。结果发现,与无掺杂的纳米复合AgSnO2合金相比,La元素的加入,明显抑制了电弧侵蚀过程中Ag与SnO2富集区的产生。同时随掺杂元素含量的增加,银液的飞溅现象明显减少,电弧侵蚀从液态喷溅转变为以蒸发沉积为主,具有较好的耐电弧侵蚀特性。