用PECVD法在金属衬底上沉积氮化硅薄膜

采用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法在４０Ｃｒ钢（含Ｃｒ０．８％～１．１％）或铜等金属基片上沉积氨化硅薄膜。沉积温度为２５０℃时，制备的薄膜厚度为０．２～０．４μｍ，电阻率为８×１０￣（１６）Ω·ｃｍ，介质击穿场强达到１×１０￣７Ｖ／ｃｍ。用ＸＰＳ谱研究了薄膜的结构和成分，并分析了沉积时不同的工艺参数对薄膜绝缘耐压性能的影响。     

用金属有机化学气相沉积在Si上外延生长ZnS

一、引言ZnS 是一种极吸引人的制作光发射器件的材料,它可覆盖从可见到紫外区的波段。然而,就器件的应用而言,材料的高质量外延层是不可缺少的。关于用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长 ZnS 的研究,指出该技术的潜力是生长温度低于其它传统气相外延生长技术,而获得优质外延层。已经采用 GaAs 和 GaP 作 ZnS 外延生长的衬底。     

沉积在聚合物表面上的金属薄膜自发形成图案的实验研究

用离子溅射法在聚二甲基硅氧（polydimethylsiloxane,PDMS）表面沉积的金膜因金属与聚合物之间热膨胀系数的差异从而导致了具有正弦界面、微米尺度的波长和振幅的复杂而有序的褶皱图案。用光刘技术在硅片制备图形结构作为模板,通过复制模铸得到表面具有浮雕结构的聚二甲基硅氧烷基片。改变浮雕结构可以调控其上沉积的金膜的褶皱图案呈规则有序的排列。这种多尺度的复合结构将光刘技术、复制模铸和物理自组装等有效结合,可广泛应用于微纳制造领域。     

金属蒸汽在陶瓷绝缘体上的沉积及真空灭弧室寿命的预测

本文采用了蒙特-卡洛法预计金属蒸汽和液滴在真空灭弧室绝缘部件上的沉积,并将该预计结构与经过短路开断的真空灭弧室的SEM分析结果做了对比。文中给出的方法使得在设计阶段时电寿命的预测成为可能。     

激光在无电金属沉积中的应用

从激光诱导沉积机理、激光对基底表面性质及金属沉积物性能的影响介绍近年来激光在无电金属沉积中的应用,同时简要说明这一沉技术的实验装置与特点。     

不同衬底上氧化锌薄膜的金属有机化学气相沉积方法生长

氧化锌薄膜通过金属有机化学气相沉积方法生长在康宁玻璃与α-蓝宝石衬底上,研究了有关薄膜的生长质量与发光特性.通过X光衍射方法测试研究发现,不仅在以α-蓝宝石为衬底的样品中,同时,在以玻璃为衬底的样品中都发现了氧化锌(0 0 2)方向生长的尖峰,表明生长在两种衬底上的样品都是高度的C向生长.对两种样品的荧光谱研究发现,两者的紫外峰位于374 nm附近,在以α-蓝宝石为衬底的样品中,有深能级发射,但在以玻璃为衬底的样品中没有发现,表明在玻璃衬底上我们生长出了高质量的氧化锌薄膜.通过原子力显微镜,对生长在两种衬底上薄膜的表面形貌做了观察,其晶粒的大小与表面粗糙度有一定的差别,表明二者都是以柱状形式生长的.     

激光诱导等离子体在金刚石表面沉积金属薄膜

介绍了一种利用脉冲准分子激光轰击钛(或镍)靶诱导出等离子体从而在金刚石颗粒表面沉积Ti，Ni等金属保护层的新方法。使用抗压强度测定仪测定并比较了金刚石颗粒表面镀敷金属层前后的抗压强度值，使用金相显微镜观察了金刚石镀膜前后的表面微观状态，并利用x射线衍射仪(XRD)测定了沉积在金刚石颗粒表面金属层的组份。结果表明，利用脉冲准分子激光在金刚石颗粒表面镀Ti后其抗压强度显著增加，而且由于脉冲准分子激光轰击金属靶材后诱导的等离子体能量较高，即使在非高温工作情况下也可在金刚石表面生成TiC膜，这大大提高了金属膜层与金刚石颗粒之间的结合紧密度，这种TiC膜层的形成对于延长金刚石锯片的使用寿命具有重大意义。     

在光纤上沉积取向ZnO薄膜

本文介绍在直径为80μm的熔石英单模光纤的一侧直接溅射沉积取向ZnO薄膜的工艺。一个由这种薄膜复合而成的4GHz压电换能器验证了薄膜的取向性。频率扫描的换能器输入阻抗矢量给出了光纤中存在声波的证据。直接制作在光纤上的声换能器由于有效的声-光互作用而在光纤中心产生场聚焦,有可能制作许多新的光纤-光学信号处理器件。     

激光金属沉积堆高闭环控制研究

激光金属沉积(LMD)传统上多采用固定的工艺参数进行扫描堆积成形,每层的实际堆积高度一般是固定且不可控的。为提高成形稳定性和成形件的精度,补偿堆高误差,开发了一种可实时变化工艺参数的堆高闭环控制系统。通过反馈实际堆高与设定期望层高之间的误差,控制实际堆高达到设定值。设计P和PI两种控制器,分别以扫描速度和激光功率作为输入参量来控制实际堆高。结果表明,变扫描速度控制优于变激光功率控制,实际层高的最佳稳态波动范围可达±0.015mm;PI控制器可使总堆高达到期望值;当送粉速率发生突变时,P控制系统具有良好的鲁棒性;P控制器的阶跃响应曲线与成形件剖面纹理显示的堆高变化一致。该系统为堆高的可控和堆高误差补偿提供了新方法。     

金属磁带在广播录像机上的应用

目前,使用金属带的录像机已引入广播领域,以满足对广播图像和声音的高质量以及在使用特性上小型、轻量并能与摄像机一体化的要求。本文着重介绍了三种采用金属带的广播用录像机的设计目标、已达到的性能及使用特性。     

红外涂料在金属发热体上的应用

红外涂料在金属发热体上的应用朱水平，韩仁，张理齐（武汉武钢钢铁研究所４３００８０）本文介绍了红外涂料在武钢硅钢连续退火炉上的应用，并就其对电阻带、辐射管等发热体提高热发射率、节能、延长使用寿命的作用进行了详细的阐述。红外涂料在金属发热体上的应用@朱水...     

碳纳米管在金刚石薄膜化学沉积上的应用

碳纳米管的端头部位,具有一定的金刚石结构。用于金刚石薄膜气相化学沉积,作为籽晶,可使薄膜沉积的速度加快,结晶的定向性强,生长的温度低等优点。本文探讨了碳纳米管的结构,初步研究了其在金钢石薄膜气相化学沉积上的应用,得到了较好的〈１００〉方向结果的薄膜。     

电子束辐照下碳沉积的分形生长

电子束辐照下碳沉积的分形生长柳得橹张济忠（北京科技大学材料物理系，北京１０００８３）（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）分形生长理论自七十年代提出后已在许多学科中得到迅速发展，尤其是关于远离平衡态的非线性过程往往要借助于分形理论进行研究［１...     

激光金属沉积成形基板预热的研究

为了降低激光金属沉积成形过程中试样和基板间的温度梯度,减小和抑制成形过程的热应力,提高试样的成形质量,提出并设计了一种用于激光金属沉积成形的基板预热系统。该系统由基板预热器、智能比例微分积分控制器以及计算机串口温度采集反馈控制等3部分组成。利用自行研制的激光金属沉积成形设备和基板预热系统进行了成形实验。实验结果表明,基板预热可以改善试样的成形质量,降低成形过程的热应力。     

电子束致沉积手控生长碳纳米线

用电子束致沉积(EBID)来制备各种纳米尺寸的结构在纳米材料的制备和器件构建方面有着良好的应用前景。相对于聚焦离子束(FIB),它具有对样品损伤小和所得结构尺寸更小等优点。此前,电子束致沉积的工作大多数在扫描电镜中完成,而在透射电镜中沉积直到近两年才发展起来。本文尝试在普通热发射透射电镜中,手动控制生长碳纳米线、点等结构。对碳纳米线的生长过程进行了原位观测,并对电子束斑的大小、形状和辐照时间对沉积物形状的影响作了初步的研究。最后对电子束致沉积可控生长无定型碳纳米线可能的应用作了一些探索。     

用反应离子腐蚀法在硅上沉积碳氟膜的研究及去除表面残留物的新方法

使用CF_4/40％H_2对SiO_2进行的反应离子腐蚀(RIE)将对其下的硅衬底表面性质产生较大的影响。对此影响,我们采用X射线光致发射和He离子散射/沟道技术进行了研究。硅表面附近区域的两种主要变化是:(1)形成了一层含有约1～2×10~(16)错位硅原子/cm~2的不规则硅层,其不规则程度取决于硅衬底暴露于等离子体中的时间。(2)形成了一层约30(?)厚的含碳和氟的膜。辉光放电淀积的碳、氟膜,显示出复杂的碳lsX射线光致发射光谱,并显出至少五种碳结合态。这五种结合态按强度从大到小的顺序排列是:C—C或C—H、C—CF_x、CF、CF_3和CF_2。本文描述了一种硅衬底RIE后进行清洗的新方法。该方法可以在一个工艺步骤中去除掉大部分RIE诱生的表面残留物和去除掉硅晶格错位。其效果被离子散射和X射线光致发射测量所证实。     

沉积在硅纳米孔柱阵列上的金网络

采用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上沉积了金(Au),得到了Au的网络结构Au/Si-NPA。测试分析表明,将Au/Si-NPA进行600℃氧退火60min,退火前后的Au晶粒度分别为26.0nm和75.5nm。无论是在氧气还是在氮气气氛下对Au/Si-NPA进行600℃退火,Au都不会渗透到Si-NPA衬底内,而且也不会与硅反应形成化合物。说明Au可作为良好的互连材料应用到超大规模集成电路中。