铜基引线框架材料研究进展

引线框架是集成电路中极为关键的部件之一,其主要功能是支撑芯片、散失工作热量和连接外部电路等。铜合金以其优良的性能成为重要的引线框架材料。本文综述了铜基引线框架的国内外研究现状,并重点介绍了在Cu-Ni-Si合金中加入微量合金元素P、Cr、Ag的微合金化研究成果。     

铜基集成电路引线框架材料的发展概况

阐述了集成电路的发展及其对引线框架材料的要求。综述了国内外目前使用铜基集成电路引线框架材料的现状及所开发的高强度高导电铜基引线框架材料的特性，并指出了今后的发展方向。     

集成电路用铜基引线框架材料的发展与展望

综述了集成电路对铜基引线框架材料的性能要求,指出好的导电导热和强度性能是引线框架材料最主要的性能要求;讨论了铜基引线框架材料的国内外研究现状,指出我国的引线框架材料无论是质量还是数量都与其他工业发达国家有很大的差距,并指出微合金化铜基材料具有成为高强高导引线框架材料的潜力.     

铜基封装材料的研究进展

具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料.综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题.指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向.     

集成电路用引线框架材料的研究现状与趋势

作为集成电框架材料的一些研究进展,包括引线框架的功能、制备工艺、成分设计及其对材料的性能要求等,重点介绍了铜基引线框架材料的特性和研发动态,最后,提出了今后引线框架材料的研究方向.     

铜基引线框架材料的研究与发展

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一,其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展,集成电路I/O数目增多、引脚间距减小,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能,铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。     

电子封装材料的研究进展

在当今信息时代，随着便携式计算机、移动通信以及军事电子技术的迅速发展，对集成电路（IC）的需求量急剧攀升，微电子封装技术也迎来了它的高速发展期。微电子封装技术经历了双列直插式封装（DIP）、周边有引线的表面安装式封装和面阵式封装三个发展阶段。在新世纪中，以IC产业为代表的微电子工业的发展，为电子封装行业创造了无限的发展机遇。     

电子封装材料的研究现状

电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了严格的要求,综述了各种新型封装材料的发展现状;并以金属基复合材料为重点,分别从增强体,基体材料,制备工艺及微结构几个方面讨论了它们对材料热性能的影响,据此进一步提出了改善封装材料热性能的途径及未来的发展方向。     

高SiCp或高Si含量电子封装材料研究进展

高体积分数的SiCp/Al复合材料和高Si含量Al-Si合金具有高导热、膨胀系数可调、低密度等特性,成为理想的电子封装材料.结合笔者的研究成果,详细介绍了目前国内外该材料的制备工艺及应用情况,指出了各工艺方法在规模化商业生产中存在的不足,展望了未来研究及发展的方向.     

电子封装基片材料研究进展

阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了电子封装用陶瓷,环氧玻璃,金钢石,金属及金属基合材料的性能特点,论述了电子封装基本的研究现状,并指出了发展方向。     

FeNi42引线框架材料的研究进展

FeNi42合金常被用于制作高可靠性陶瓷封装集成电路的引线框架.随着集成电路向高集成度、多功能化和小型化方向发展,其引线数增多、引线间距减小,因此对引线框架材料的强度和冲裁加工性能提出了更高的要求.主要概述了在提高引线框架用FeNi42合金薄带强度和冲裁加工性能方面的研究进展,指出合金中非金属夹杂物的数量、尺寸和分布对带材性能有重要的影响,同时分析了国产该材料存在的主要问题.     

填料在环氧树脂基封装材料中的研究近况

简述了国内外环氧树脂封装料中所用TiO2、MgO、Al(OH)3、CaCO3、BN、BeO等填料的特点,包括填料的形状、颗粒大小、密度以及特殊性能.根据封装材料不同发展阶段的要求,重点叙述了SiO2、Al2O3、AlN等3种粉体作为填料及其所制备的封装材料各自的优势.结合国内外研究现状,指出了环氧树脂电子封装材料用填料应朝着纳米化、功能化、低膨胀系数、绿色化、低成本化的方向发展.     

铜合金引线框架材料的发展*

介绍了国内外铜合金框架材料研究,生产现状,叙述了开发高强,高导铜合金的基本原理及制备方法,半对国内外高强,高导铜合金的研究和开发应用情况进行了综合,同时评述了铜合金引线框架材料的发展动向。     

电子封装用W／Cu复合材料的特性、制备及研究进展

微电子工业的迅速发展对封装材料的综合性能提出了更为严格的要求。针对封装材料的发展趋势，阐述了以W／Cu作为封装材料所应具备的性能要求及其制备技术，并对其发展方向进行了展望。     

电子封装用金属基复合材料的制备

分析了电子封装用金属基复合材料的性能特点及其对制备工艺的要求,在此基础上论述了该种材料的各种制备工艺的特点及发展现状。     

高强度导电铜基材料的研究现状与发展前景

简述了高强度导电铜基材料的设计思路,分析了时效强化、颗粒强化以及形变复合等3类铜基材料的制备方法和特点,综述了高强度导电铜基材料的研究现状,并展望了其进一步发展的趋势.     

电子封装用高硅铝合金热膨胀性能的研究

采用雾化喷粉与真空包套热挤压工艺制备了高硅铝合金电子封装材料,测定了合金在100～400℃间的热膨胀系数值,并运用理论模型对该温度区间的热膨胀系数进行了计算,分析了高硅铝合金材料热膨胀性能的影响因素.结果表明:Si相作为增强体能显著改善Al-Si合金的微观组织与热膨胀性能,430℃热挤压下的高硅铝合金材料在100～400℃之间的热膨胀系数平均值与Turner模型很接近.     

包装行业与电子商务的关系

结合包装业实际.分析了包装行业发展电子商务的意义,提出了发展包装电子商务的一些基本设想.