热等静压技术在透明陶瓷研究中的应用进展

透明陶瓷具有与单晶材料相媲美的光学、力学和热学等性能，被广泛应用在透明装甲、红外窗口、高功率激光器、白光照明、医学诊疗等民用和军事领域。影响透明陶瓷光学透过率的主要因素是气孔，而热等静压（HIP）后处理是消除气孔，获得高质量透明陶瓷的有效办法之一。本文综述了近期利用热等静压技术研究透明陶瓷取得的成果和提出的一些机理，进而对热等静压技术开发透明陶瓷进行了讨论和展望。     

热等静压处理对IN792材料组织和持久性能的影响

本文研究了热等静压处理对IN792材料组织和持久性能的影响.结果表明,IN792材料经1180℃/150 MPa热等静压处理后显微疏松完全闭合.与直接热处理样品相比,热等静压处理后样品中的共晶含量减少;枝晶干处y’相的体积分数和尺寸增大,分别由34％,0.4 μm增大至42％,0.56μ.760℃/655 MPa和870℃/365 MPa条件下持久性能测试表明,热等静压处理均显著提高了材料的持久寿命.     

熔融石英陶瓷制备工艺的比较研究

分别介绍了注凝成型和等静压成型熔融石英陶瓷的技术,对两种成型工艺制品的生产周期、烧成制度、制品性能和灯检效果等作了比较.结果表明:等静压成型制品生产周期比注凝成型大大缩短,制品结构均匀,无阴影,性能优异.     

化学气相沉积制备块体ZnS缺陷综述

介绍了CVDZnS的应用背景及国内生产研发现状,并主要论述了CVDZnS中存在的各类缺陷。虽然相关学者已对六方相,Zn-H络合物,异常大晶粒,微裂纹等缺陷进行过相关研究,并提出了各缺陷可能的产生机理及抑制方法,但国内学术领域对CVDZnS部分缺陷问题仍停留在经验上的认识,存在诸多争议。本文除对以上缺陷进行总结补充外,还对关注相对较少的新型缺陷进行阐述与分析,共对六大类缺陷的影响及其产生机理进行界定,旨在为实际生产过程中改进生产工艺参数,探究各类缺陷抑制方法提供理论参考。涉及的材料表征手段包括XRD、SEM以及金相显微镜等。     

关于人造含硼金刚石晶体结构及抗氧化性的研究

人造金刚石的抗氧化性是国际上评价其性能优劣的重要指标.文章以粉末铁基触媒中掺入不同含量的供硼剂为硼源,用静压法得到含硼量不同的人造金刚石.利用光学显微镜、X射线衍射仪和差热分析仪对含硼金刚石的晶形、晶体结构和抗氧化性能进行了研究,并与同样工艺条件下得到的普通金刚石进行对比,结果证明此种合成方法能够得到抗氧化性能优异的金刚石.     

氮化硅陶瓷的热等静压处理与抗热震性能研究

以氮化硅喷雾造粒粉为原料,通过高温常压烧结及热等静压处理烧坯两种制备方法获得的氮化硅陶瓷材料,进行了陶瓷显微组织结构、热导率与抗热震性能研究.结果表明热等静压处理能够消除烧结体的残余孔隙,有利于提高陶瓷的强度、热导率和抗热震性能.     

采用热等静压技术提高铸件质量和性能

本文介绍了应用热等静压技术，处理ＣＯ＿２透平机叶轮获得成功，进而提高了叶轮的使用寿命和降低了制造费用。用热等静压技术处理高转速钛转子叶轮铸件，是近年来在铸造生产中所发展的一项新工艺。采用热等静压技术可以清除铸件内部气孔而使铸件密实。其结果是大幅度地提高了铸造钛叶轮的机械性能，改变的性能可接近同类合金的锻造性能。     

常压烧结法制备ZAO靶材及其性质研究

铝掺杂氧化锌(ZAO)透明导电膜兼具电阻率低和透光性好的特点,在光学与光电子领域具有广阔的应用前景.本文以微米级的高纯超细ZnO和Al2O3粉体为原料,通过控制适当的素坯成型压力,烧结前增加冷等静压环节,优化烧结工艺,制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材.在16 MPa的成型压力,120 MPa冷等静压,1350℃×1h的烧结工艺下,制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材,其致密度达98.0％,电阻率为1.8 × 10-2 Ω·cm,接近于热等静压所制备出的ZAO靶材.利用自制靶材,通过射频磁控溅射法,进一步制备出了ZAO薄膜,透光率达到88.6％,最低电阻率达到2.1×10-3 Ω·cm.     

等静压各向同性石墨应用与研究

等静压各向同性石墨是一种具有优良特性的新型材料。本文从等静压石墨的发展历史入手,论述其生产特点,产品材料特性,应用方向及发展前景,并介绍了日本等静压产品的性能。指出我国产品规模与性能都与国外有差距,为了提高竞争性,须加大研发力度,打破技术壁垒。     

浅析有机粘结剂对等静压喷雾粉料的影响

主要从等静压喷雾粉料的性质和成型性能要求等几个方面分析有机粘结剂对等静压喷雾造粒粉料的影响 ,为完善国产化等静压粉料添加剂提供参考。