γ-Fe_2O_3磁粉矫顽力(Hc)的计算(三)

<正> 在本刊85年第四期的“γ-Fe_2O_3磁粉矫顽力(Hc)的计算(二)”中,已提到关于球链扇张非一致转动模型计算矫顽力的问题,它得到了比一致转动模型低得多的计算结果,且与测量数值比较符合。另外,用微磁学理论求出的涡旋和折曲式模型所计算的Hc,也获得了比一致转动模型低的矫顽力(Hc)。下面给予简单介绍。由微磁学理论所求出的涡旋和折曲式模     

纳米尖晶石型Ni(1-x)ZnxFe204的水热合成及磁性分析

由水热法合成了纳米尖晶石型磁性复合氧化物Ni(1-x)ZnxFe2O4(0≤x≤1),并对所合成的系列样品的磁学特性进行了表征与分析.具体分析了水热合成温度对合成的NiFe2O4样品的比饱和磁化强度(σs)、矫顽力(Hc)的影响,以及Ni2+含量对合成的系列样品的比饱和磁化强度(σs)、矫顽力(Hc)的影响,并进一步探讨了样品的超顺磁性.     

溶胶-凝胶法制备Co掺杂ZnO薄膜及其室温铁磁性(英文)

以聚乙烯醇为溶剂,用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底表面制备了Zn1-xCoxO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜。研究表明:Zn1-xCoxO薄膜均为纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相,Co2+取代Zn2+位置进入ZnO的晶格,样品的光学带隙随Co含量的增加而减小。Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性,其饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)均随Co2+含量(x=0.08,0.10,0.12)的增加而逐渐增大,Ms分别为1.12×104,1.45×104A/m和1.66×104A/m,Hc分别约为2.31×105,3.30×105A/m和4.26×105A/m,并讨论了其铁磁性的来源。     

磁光记录材料

<正> 一、磁光存储器中的记录、再生和消去原理(一)记录和消去将激光聚焦成直径1μm的小光斑,照射到磁性薄膜上,受照部分温度上升,矫顽力(Hc)则减小。这时如图1(b)所示。因为外加偏磁场仅使受照部分的Hc变小,所以直径1μm的小区域的磁化方向就发生反转。这     

纳米尖晶石型Ni_((1-x))Zn_xFe_2O_4的水热合成及磁性分析

由水热法合成了纳米尖晶石型磁性复合氧化物Ni(1-x)ZnxFe2O4(0≤x≤1),并对所合成的系列样品的磁学特性进行了表征与分析。具体分析了水热合成温度对合成的NiFe2O4样品的比饱和磁化强度(σs)、矫顽力(Hc)的影响,以及Ni2+含量对合成的系列样品的比饱和磁化强度(σs)、矫顽力(Hc)的影响,并进一步探讨了样品的超顺磁性。     

磁记录介质的处理方法和设备

<正> 本专利论述了磁记录介质的生产过程,特别是磁带表层的处理。磁带进行视频信号的记录时,所记录的是高密度信息,这取决于剩余磁通量密度(Br)、矫顽力(Hc)(矩形比CRs=Br/Bm)和磁层表面的光洁度。     

SmCo/Cr磁性薄膜的工艺与性能

通过对磁控溅射条件的优化,制备出了较理想的 SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明, Sm含量在 31.6％ atm,Cr缓冲层为 66 nm, Sm(CoAlSi)5磁性层为 30 nm等条件下,制得的 Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力 (Hc)为 187.8 kA/m(2.36 kOe),矩形比 (S=Mr/Ms)≈ 0.94;在 500℃保温 25 min退火后,矫顽力 (Hc)达 1042.5 kA/m(13.1 kOe),矩形比 (S)≈ 0.92。     

热分解五羰基铁气相沉积法制备铁纤维

利用热分解五羰基铁气相沉积的方法成功地制备了微米级铁纤维。实验结果表明:此法制备的铁纤维为α铁相,铁纤维的直径可以通过调整热分解的温度来控制,直径的大小对饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)影响较大,但对剩余磁化强度(Mr)则几乎没有影响。     

斜入射蒸镀铁膜的磁性和结构

<正> 斜入射真空蒸镀的金属或合金磁性薄膜具有很高的矫顽力和矩形比,是适用于高密度的磁记录材料。图1是我们采用真空蒸发得到的铁膜的Hc与入射角θ的关系,当入射角为80度时,Hc约为800Oe,Br/Bs≥0.85。高角度入射的铁膜之所以具有高的矫顽力,通常认为是由于晶粒沿着入射束方向排列所导致的形状各     

γ-Fe_2O_3磁粉矫顽力Hc的计算(一)

<正> 在讨论了强磁性物质的几种能量,如外磁场能E_H、退磁场能E_d、磁晶各向异性能E_k、应力能E////σ的基础上,可以对γ-Fe_2O_3磁粉的矫顽力H_c进行计算。在计算时首先认为γ-Fe_2O_3磁粉彼此是“孤立”的,所谓“孤立”是指在计算时忽略磁粉之间的相互作用。如果考虑到磁粉之间的     

钡铁氧体磁粉的研制

用共沉——热处理法合成了具有垂直磁各向异性的六角片状钡铁氧体微粉,研究了原材料、工艺因素对微粉粒度、结构和磁性等的影响。以纯三氯化铁、氯化钡和碱为原料,铁钡比为11.6.在pH=13的母液中进行共沉反应,在900℃下热处理共沉淀物,可以得到矫顽力(Hc)为5500Oc、比饱和磁化强度(δ_s)为56.0emu/g的钡铁氧体磁粉。用钴、钛离子进行离子代换,可以得到矫顽力不同而比饱和磁化强度基本不变的样品,为其在涂布型垂直磁记录介质上的应用提供了一条可供选择的途径。     

射频溅射CoCr双层膜及软磁盘的研究

本研究利用射频溅射法制备了垂直磁记录用正CoCr单层膜及NiFe/CoCr双层膜。研究了溅射压力Prf、基板温度Tsb对CoCr合金层(002)面△θ50角,矫顽力Hc⊥、Hc∥有效各向异性场HK*及正方比S⊥、S∥的影响。可以控制溅射条件使单层CoCr膜(002)面△θ50在5°以内,双层膜CoCr层△θ50在10°以内,而在较宽的范围内调整Hc⊥、Hc∥值。选择一定溅射条件制备了NiFe/CoCr双层膜软盘,并利用市售普通纵向记录的51/4英寸软盘机驱动装置及其环形磁头对该盘进行了读写实验,表明可以实现垂直方式的写入和读出。     

钴基金属微粉的制备及其磁性能

采用水合肼作还原剂,从铁、钴、镍、铜盐的醇—水溶液中还原制备 Co1－ xFex、 Co1－ xNix合金微粉和 Cu/Co铜包钴微粉。采用 X射线粉末衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)、穆斯堡尔谱 (MS)和振动样品磁强计 (VSM),对合成样品进行表征。 Co1－ xFex合金微粉为体心立方 (bcc)结构的固溶体,其颗粒形貌为由约 50 nm的四角片状微晶堆砌而成的约 300 nm的类球形团聚体。组成为 Co0.4Fe0.6的合金微粉,其比饱和磁化强度σ s=179.41 A· m2· kg－ 1,矫顽力 Hc=34.32 kA· m－ 1,而 Co0.6Ni0.4的合金微粉,其矫顽力较高, Hc=43.40 kA· m－ 1。     

民用数字VTR蒸镀带最佳电磁转换特性的设计

制备了磁特性和间距不同的试样，研究了电磁转换特性和误码率的关系以及蒸镇带最适于数字记录的必备特性。结果得知，要使蒸镀带获得最佳误码率特性，需在矫顽力（Hc）、磁层厚度不变的条件下，增大剩余磁通密度（Br）。这在数字记录中也是非常重要的。     

化学镀Co-B合金(Ⅱ)

纳米晶合金具有独特的物理性能.通过化学镀方法获得纳米晶Co-B合金,分别研究了沉积层厚度和热处理温度对其矫顽力和比饱和磁化强度的影响.结果表明,开始阶段,随着镀层厚度的增加,矫顽力逐渐减小,而当镀层厚度大于0.6 μm时,矫顽力随镀层厚度的增加而逐步升高;比饱和磁化强度则始终随镀层厚度增加呈上升趋势.开始阶段,随着热处理温度的上升,矫顽力上升,当热处理温度高于450℃时,矫顽力开始减小;热处理温度对比饱和磁化强度影响较为复杂.     

Sm(Co_(bal)Ni_(0.18)Fe_(0.1)Zr_(0.04))_x的永磁薄膜性能的研究

稀土永磁合金薄膜在微机电系统(MEMS)、磁记录介质、自旋电子元件和医疗科学领域有着重要的应用。Sm Co基永磁薄膜,其内禀居里温度高于其他永磁薄膜,高温条件下有更高的稳定性,因而在MEMS中具有潜在的应用前景。采用复合靶和纯钐靶共溅射制备出Sm Co基永磁薄膜样品,研究了薄膜合金中Sm含量以及退火温度等对Sm(CobalNi0.18Fe0.1Zr0.04)x相结构、微观形貌以及磁性能的影响,得出以下结论:退火温度对薄膜织构也有明显影响。随着退火温度提高,薄膜织构增强,矫顽力提高。随着Sm含量的提高,薄膜中Sm Co相析出增多,组织更加均匀,矫顽力明显提高。     

磁性物质中的几种能量用其对磁矩取向的影响

<正> 磁性物质中的能量,关系着磁矩的取向和磁结构状态。进一步分析可知,磁矩的取向和磁结构状态,是决定磁粉和磁带矫顽力Hc的主要因素。磁性物质中存在着电子自旋之间的交     

镀镍纳米石墨微片/丙烯酸酯磁性压敏胶的制备与性能

以天然膨胀石墨(EG)为基本原料,采用超声分散法制得NanoG(纳米石墨微片);然后采用化学镀法制得磁性填料Ni-NanoG(镀镍纳米石墨微片);最后采用溶液共混法制得丙烯酸酯磁性PSA(压敏胶)——Ni-NanoG/PSA。研究结果表明:NanoG表面覆盖了一层均匀紧凑的金属Ni,Ni-NanoG中O-H与丙烯酸酯PSA中O-H之间已形成了氢键,故Ni-NanoG已均匀分散在丙烯酸酯PSA中;当w(Ni-NanoG)=20%时,Ni-NanoG/PSA的磁性能和粘接性能俱佳,其饱和磁化强度(Ms)为11.96 emu/g,矫顽力(Hc)为1.38 Oe,180°剥离强度为0.62 kN/m和剪切强度为0.81 MPa。     

自燃烧法制备CoFe_2O_4纳米颗粒及其磁性研究

用柠檬酸自燃烧法制备出CoFe_2O_4纳米粉末,对燃烧产物在不同温度下热处理,用扫描电镜(SEM),x射线光电子能谱(XPS),红外吸收谱(IR)对燃烧产物进行形貌,成分以及化学键分析,用x射线衍射(XRD)对燃烧产物及热处理产物进行晶体结构分析,结果显示燃烧产物为CoFe_2O_4纯相,尺寸在40～80nm之间,且有较高的分散性和低的团聚。用振动样品测磁计(VSM)在室温下测量了燃烧产物及热处理产物的磁滞回线,发现测得的比饱和磁化强度(Ms),矫顽力(Hc)以及剩磁比(Mr/Ms)均强烈依赖于热处理温度,Ms随热处理温度升高而增大,而样品的Hc与Mr/Ms均当热处理温度为400℃时达到最大,并且Hc达到了3180Oe。     

薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响

用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO／NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明：NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小。对于NiO（70nm）／NiFe（t1nm）／Cu（2．2nm）／NiFe（t2nm）自旋阀多层膜材料,研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明：被钉扎层NiFe的厚度为3nm时,自由层NiFe的厚度为5nm时,MR值分别最大,约为1．6％。