直流强磁场磁感应的测量方法

本文介绍了测量直流强磁埸的几种方法,测量发电机法、霍尔效应法、高斯效应法、法拉弟效应法、以固体中发生的磁性等离子区现象为基础的测试方法以及按磁共振法。介绍了这些方法的基本原理,仪器的桔构、应用范围、测量准确度和误差的来源。提出了扩大测量范围、减小测量误差的某些方法。着重介绍了核磁共振法,指出这些方法准确度很高,可以作为标准方法来校准其他的测试仪,迫切的问题是加工制造高稳定的均匀强磁埸源。目前这些方法的测量上限约为几万高斯(或奥斯特),更高的高感应强度的测试,需今后进一步研究。     

采用强磁除铁器去除热力系统流体中铁磁性杂质

强磁除铁器适用于去除热力系统流体中铁磁性杂质,特别适用于去除系统返回水、各种疏水、凝结水、低压给水系统中的铁磁性杂质。强磁除铁器有抽拉式和压力容器式。以600MW发电机组为例,抽拉式由12个单元组成,最大吸附磁性腐蚀产物(主要是氧化铁)量为240kg,除铁率大于     

荧光磁性纳米复合物及其制备主法和应用

本发明的荧光磁性纳米复合物及其制备方法和应用属纳米材料领域。以单个磁性纳米粒子为核，核外逐层包覆聚电解质多层膜、磁性纳米粒子和聚电解质多层膜、半导体荧光纳米晶和聚电解质多层膜；所述的聚电解质多层膜为聚阳离子电解质和聚阴离子电解质相间包覆的1～30层。经吸附聚电解质．吸附磁性纳米粒子-吸附半导体荧光纳米晶的过程制备。     

SiC基稀磁半导体材料的研究进展

稀磁半导体材料(DMS)是一种新型的磁性半导体材料,它同时利用了电子的电荷和自旋属性,兼有铁磁性能和半导体性能,在自旋电子器件领域有着重要的研究价值。主要介绍了DMS的发展过程,总结了最近几年SiC基稀磁半导体材料的研究进展,包括制备方法、性质研究和存在的主要问题,并展望了今后的研究方向。     

专利集锦

掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法公开号:CN1547222公开日:2004.11.17申请人:南京大学掺锰硅基磁性半导体薄膜材料,锰在硅中的含量为1~10mol%。其厚度为1~10000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤:采用硅薄膜材料真空锰溅射的方法,制成含锰量为1~10%、厚度为1~10μm的硅薄膜,然后在温度为900~1400℃的范围内、保护性气氛条件下将硅材料结晶化,时间为20min~2h,得到具有半导体性能要求的硅材料。掺锰硅材料表现出了铁磁性且具有高于400K的铁磁转变温度;同时,其电传输特性也呈半导体特性。本发明属于磁性液体的制备方法及设…     

资料索引

一、磁性半导体 1.磁性半导体日本公开特许:77,150,592 (将S掺入Zn铁氧体。磁化强度:45emu/g;电阻率RmΩ—cm;小电阻率温度系数;居里温度>500)。     

其它磁性传感器：磁性传感器的现状和未来（五）

介绍发几种其它类型的磁性传感器；利用热磁效应的磁性性传感器，铁氧体－半导体复合物温、湿、气敏传感器，利用磁性液体的倾斜开关和压力差、倾角、体积流量传感器。     

Co掺杂对CeO_2显微结构及磁性能的影响

近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注.用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响.结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co).     

强磁干扰环境下的电能表计量失准研究

本文研究了强磁干扰对电能表计量误差的相关影响,并提出了防治强磁干扰窃电的方法。     

磁选技术的现状与发展趋势

磁选是一种基于磁力作用而广泛应用的选矿工艺。本文论述了磁选技术的发展状况,重点介绍了几种类型磁选设备的发展特点,包括针对于弱磁性铁矿石的强磁预选技术、高梯度磁选设备的永磁化、筒式磁选机的大型化以及精矿提纯技术,分析了磁选技术和磁选设备的研究和发展趋势。     

平行线弱电强磁下零序方向元件的改进

平行线在弱电强磁的影响下,相邻线接地故障时可能会引起本线零序方向纵联保护的误动。文中分析了目前克服弱电强磁所采取的解决方案,指出消除零序方向元件比相电压中零序互感电压是防止零序方向保护误动的一种有效手段。根据上述原理,提出了2种新型零序方向保护方案。考虑零序电压与母线相电压受到相同的零序互感影响,引入非故障相电压差、零序电压与故障相电压之差2种电压作为比相参考电压,从而形成不受零序互感影响的零序方向保护判据。PSCAD/EMTDC的仿真分析表明,文中提出的新保护方案在平行线弱电强磁时能保证可靠不误动。     

高矯顽力合金磁滞回綫的测量

为了测量矯顽力大于4000奥斯特的合金磁性能,要求磁埸强度达到20000奥斯特。图1所示是由我们制造的用来代替-3型装置中强磁埸磁导计的极头,它能测量直径为5～15毫米,长为10～15毫米的铂钴合金样品磁性     

半导体物理课程教学改革探讨

针对半导体物理课程教学中存在的主要问题,探讨基于电子科学与技术专业的知识结构与教学体系。根据半导体物理课程的特点,优化整合教学内容,丰富教学手段,结合科技前沿与研究热点,激发学生学习的积极性,有效提高课堂教学效果。     

磁性薄膜及其应用的发展

简要回顾了磁性薄膜及其制备,评价技术研究开发的历史。重点介绍近几年开发的高密度磁和磁光记录用连续薄膜介质与新型磁头材料,巨大磁敏电阻人工格,高频微型软磁器件用磁膜,MMIC兼容的微波铁氧体膜及永磁膜,和稀释磁性半导体薄膜、人工格的制备工艺、主要性能及其应用。指出薄膜技术给现代科学技术发展带来现实而深远的影响。     

第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议报导

2004年5月27～31日由中国物理学会磁学分会和中国电子学会应用磁学分会主办,河北工业大学材料物理与化学学科承办的第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议在天津召开,与会代表136人.会议文集收录论文113篇,其中,A组:薄膜磁电阻材料与自旋电子学45篇,包括隧道磁电阻(TMR)13篇,巨磁电阻(GMR)9篇,磁性半导体6篇,庞磁电阻效应(CMR)和金属氧化物17篇;B组:33篇,包括磁记录材料层间交换耦合9篇,颗粒膜、复合膜及其磁性质11篇,磁致伸缩、金属软磁薄膜及NdFeB薄膜等功能材料13篇;C组:磁性纳米线及纳米颗粒17篇;D组:纳米晶及纳米复合材料18篇.     

磁性吸波材料的研究进展及展望

综述了磁性吸波材料的研究现状;总结了铁氧体磁性吸波材料、金属微粉磁性吸波材料、多晶金属纤维磁性吸波材料和纳米磁性吸波材料的最新研究进展;指出了目前研究存在的一些问题。通过对比发现,磁性吸波材料研究的主要趋势为尺度纳米化、结构复合化以及形貌纤维化。不同损耗机制的复合化将是目前磁性吸波材料的重要发展方向。     

专利集锦

一种碳包裹磁性金属纳米粉体材料的制备方法;永磁体;一种预烧软磁铁氧体粉料的方法;组分渐变铁磁性半导体制备方法;镍锌离导铁氧体及其制备方法;利用酸洗废液和废铁锈生产纳米级磁性粉末的方法。     

软磁铁氧体的一些进展

七○年在日本举行的国际鉄氧体会议,有日、美、英、荷、法、西德、苏等廾个国家的五百多名代表参加。除H.P.J.Wijn和武井武的两篇一般性发言外,共发表研究论文168篇。从鉄氧体磁性的物理研究到各种鉄氧体的制造工艺,性能改进及应用,以及象磁光器件,磁性半导体,磁泡工艺及应用等新兴的领域,内容较为丰富。其中与软磁鉄氧体的新工艺、新水平及牛产问题关系比较密切的有三十余篇文章,反映了国际软磁鉄氧体材料研究和发展的一些情况。我们遵照毛主席“洋为中用”的指示精神,就会上发表的有关文章,对软磁铁氧体的进展作一简要的综述。     

家用电器最忌什么

半导体收音机,最忌乱拨乱拧机内可调元件,如磁心,可变电阻、线圈等,一旦调乱,声音变小变杂;一旦调坏,更换元器件极易破坏原机指标。黑白电视机,最忌频繁开关电源,开一次电源,大电流就会冲击一次显像管灯丝,促使显像管进一步老化。彩色电视机,最忌强磁物体接近,彩色显像管一旦被强磁磁化,就会导致色彩紊乱。录音机,最忌按键过猛,不管录音机带仓是否关严,录音带盒是否到位,就使劲按功能健,结果往往会损坏录音机的一些部件。     

半导体制冷热力学循环机理研究

探究循环介质的最基本物理过程是改进半导体制冷系统及其提高热能转换效率的关键.针对该问题,以电子为热力学系统,深入研究了半导体制冷的整个热力学循环过程,指出焦耳效应和傅里叶效应是伴随产生的并不属于热电效应,而汤姆逊效应是应该考虑的因素.在此基础上,建立了半导体制冷系统的热力学模型,推导出了制冷系数的数学表达式,并进行了参数影响分析.该研究对半导体制冷装置的设计具有一定的指导意义.