非晶硅太阳电池生产工艺流程

非晶硅太阳电池是在衬底材料上依次沉积透明导电层、非晶硅层、蒸镀金属膜,最后加上保护涂层制成的. 哈尔滨—克罗拉太阳能电力公司生产的非晶硅太阳电池,其结构如图1所示,生产工艺流程为:玻璃     

新型非晶硅太阳电池

论述了新型非晶硅太阳电池的发展，介绍了See-Through Amorton半透明太阳电池、a-Sic激活层半透明太阳电池，弱光太阳电池，不透明柔性衬底太阳电池，透明柔性衬底太阳电池及导电聚合物柔性衬底太阳电池的特性，并且介绍了国内新型非晶硅太阳电池的研究成果及应用。     

非晶硅太阳电池的原理

非晶硅太阳电池是２０世纪７０年代中期发展起来的一种新型薄膜太阳电池，与其他太阳电池相比，非晶硅电池具有以下突出特点：（１）制作工艺简单，在制备非晶硅薄膜的同时就能制作pin结构。（２）可连续、大面积、自动化批量生产。（３）非晶硅太阳电池的衬底材料可以是玻璃、不锈钢等，因而成本小。（４）可以设计成各种形式，利用集成型结构，可获得更高的输出电压和光电转换效率。（５）薄膜材料是用硅烷（SiH４）等的辉光放电分解得到的，原材料价格低。１非晶硅太阳电池的结构、原理及制备方法非晶硅太阳电池是以玻璃、不锈钢及特种…     

效率10.1％的非晶硅太阳电池

日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO),最近研制出三层结构、面积为10×10cm~2、转换效率为10.1％的非晶硅太阳电池。以往这么大面积的叠层非晶硅电池的效率一般为9.5％。为使非晶硅太阳电池能在电力方面得以应用,需要提高效率,降低成本,提高可靠性。为了达到提高效率的目的,NEDO研究并开发了三层结构的太阳电     

日本开始生产薄膜非晶硅太阳能电池

日本钟渊化学工业公司于１９９９年秋季开始，正式生产薄膜非晶硅太阳能电池，供应住宅用太阳光发电系统市场。 此薄膜非晶硅太阳能电池结构简单，由玻璃／ＳｎＯ２基板与其上形成的ＰＩＮ单层构成，生产成本低于多层结构的非晶硅太阳能电池。单层结构与多层结构相比，有稳定的光电转换效率较低的缺点。但该公司确立了减薄层厚度、提高效率的稳定性，在 ９０ｃｍ×４５ｃｍ基板上形成均一薄膜非晶硅太阳电池的技术，并确立了能减少大面积光能损耗的激光集成技术，能制成稳定效率达８％的模件。 通常，结晶硅太阳能电池厚为２００～３００μ…     

非晶硅太阳电池的发展和前景

非晶硅太阳电池的发展和前景胡宏勋１９７４年，世界上第一个非晶硅太阳电池诞生；１０年后，１９８４年，人们生产出面积为１平方英尺（９２９ｃｍ２）的商品化非晶硅太阳电池组件。至今，又过去了１０年，人们在非晶硅材料的性能、电池的效率、组件的封装以及大规模低成...     

非晶硅薄膜太阳电池的研究进展及发展方向

介绍了非晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展,微纳光学结构和金属表面等离子体特性引入到非晶硅薄膜太阳电池可大大降低薄膜厚度和提高光电转换效率。叠层串联的非晶硅太阳电池及非晶硅和多晶硅、单晶硅组成的异质结结构可增加宽带太阳光谱吸收范围,提高光电转换效率,是非晶硅薄膜电池的发展方向。     

具有双层背电极的非晶硅太阳电池热稳定性研究

提出一种采用铬的硅化物／铝的双层背电极的新型非晶硅ＰＩＮ太阳电池结构。研究了铬的硅化物的特性和具有双层背电极非晶硅ＰＩＮ太阳电池的热稳定性。金属硅化物能有效地阻档两侧铝原子和硅原子的相互热扩散，从而可大大改善非晶硅太阳电池的热稳定性。     

柔性衬底非晶硅太阳电池

太阳能光伏发电是新能源和可再生能源中最具有发展前途的方式。太阳电池从材料及制作工艺分为单晶硅、多晶硅和非晶硅3种。非晶硅太阳电池由于经济上的优势使之在整个太阳电池领域中的地位正在迅速升高,成为一些发达国家能源计划的重点。柔性衬底非晶硅太阳电池作为非晶硅太阳电池的一个新品种,近年来开始受到人们的重视,世界上许多公司竞相研究开发,取得了很大进展。1柔性衬底太阳电池的特点非晶硅太阳电池按衬底分为硬衬底和柔性衬底两大类。所谓柔性衬底太阳电池是指在柔性材料(如不锈钢、聚合物)上制作的非晶硅太阳电池。柔性太阳电池与…     

薄膜太阳电池的开发动向

薄膜太阳电池的开发动向陈幼松薄膜太阳电池系指半导体层只有几微米至几十微米的太阳电池。由于半导体层薄，所以需要玻璃或高分子薄膜等作为基板；由于半导体层薄，所以有希望降低制造成本。薄膜太阳电池有非晶硅系、化合物系、结晶硅系三类。开发目标太阳能发电的最终目...     

PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应──太阳电池光致性能衰退的计算机模拟

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电有的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场＂死层＂），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池中电场分布的改变（空间电场效应）是引起电池性能衰退的物理机制。但在薄ｉ层的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池中空间电荷对电池内电场调制的体效应已很微弱，这是该电池结构可获得高稳定性能的原因。     

非晶硅太阳电池的衰减

自1976年研制成功第一个非晶硅太阳电池以来,经过15年的发展,全世界非晶硅太阳电池年产量已达15MW,约占整个光伏产品的1/3,成为太阳电池的主导产品。人们发现,非晶硅太阳电池在运行中随着时间的增长,輸山功率有一定程度的衰减。这一问题是非晶硅太阳电池推广应用的主要障碍,各国科学家为了解决这个难题进行了大量研究.所谓性能衰减,实际上包括两个方面内容:一是光致效应(S-W效应)引起     

转换效率9.6／%的大面积非晶硅太阳电池

日本三洋电机公司功能材料研究所的大西及桑野,最近研制出转换效率为9.6％的10cm正方形集成结构非晶硅太阳电池。这是目前世界上大面积非晶硅太阳电池达到的最高转换效率(他们曾在1cm正方形非晶硅太阳电池上达到11.7％的效率)。该电池结构示于图1,电池特性列于表1。为了提高电池效率,他们首先分析了电池能量的     

非晶硅太阳电池

太阳电池能把光能直接转变成电能,而电能又易于输送和利用,所以各国对太阳电池的研制极为重视。七十年代中期,非晶硅太阳电池问世,它具有工艺简单、原料省、耗能少、成本低以及能制成大面积等优点,为大规模应用太阳电池展现了美好的前景,很有希望成为新一代太阳电池产品。非晶硅在结构、光学性质及电学性质方面与单晶硅不同。非晶硅中硅原子的排列不象单晶硅中那样有规律,但却象单晶硅中的原子伸有四只“手”(键)。然而,非晶硅中原     

薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)技术制备非晶硅顶电池，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF—PECVD)技术制备微晶硅底电池，初步优化研究了薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流匹配，以及氧化锌／金属复合背反射电极对电池的作用。研制出了面积为1．0cm^2效率达9．83％的薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池。     

其他种类的太阳电池

上面系统地介绍了太阳电池的原理、制造方法和各种应用技术,实际上都是以单晶硅太阳电池为基础的。从世界上第一个有实用价值的硅太阳电池问世以来,光伏技术已有很大的进展。现在绝大多数长寿命的地球卫星都是采用单晶硅太阳电池供电的。地面应用的硅太阳电池要求价廉,所以不少部门用多晶硅材料制成太阳电池。从70年代开始,非晶硅太阳电池发展很快。它利用在反应室内的硅烷气体中进行辉光放电而形成非晶硅薄膜;并在放电过程中,混入磷烷或烷等气体,以形成N层和P层。整个太阳电池是由大面     

替代型非晶硅薄膜标准太阳电池的研制

通过在单晶硅标准太阳电池上安装合适的滤光片作为替代型非晶硅薄膜标准太阳电池,减小非晶硅薄膜标准太阳电池与非晶硅薄膜太阳电池的光谱响应失配引起的测量误差。实验证明,替代型非晶硅薄膜标准太阳电池的相对光谱响应曲线与非晶硅薄膜太阳电池基本一致。     

本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响

以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象，该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底，其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧，p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度对膜层钝化性能和光透过率的影响，然后进一步研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜不同厚度匹配设计对HIT太阳电池电性能的影响，并选出了最优厚度匹配方案。研究结果表明：1) n面本征氢化非晶硅薄膜的厚度越薄，n面非晶硅膜层的光透过率越高，但钝化效果会变差；当厚度达到5 nm时，硅片的少子寿命趋于稳定。2)在n面本征氢化非晶硅薄膜厚度一定的情况下，随着p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度变厚，硅片的少子寿命先快速增加，当厚度达到9 nm时，硅片的少子寿命趋于稳定；当厚度大于9 nm时，制备的HIT太阳电池的短路电流和填充因子均下降，表明其串联电阻增大，导致光电转换效率降低。3)当n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度分别为5、9 nm时，n面的钝化效果和光透过率匹配较好，p面的钝化效果和电阻率匹配最优，即为最优厚度匹配方案；此方案制备得到的HIT太阳电池的光电转换效率达到...     

光电转换效率高的非晶硅太阳电池

美国联合太阳系统公司最近开发了光电转换效率极高的非晶硅薄膜太阳电池。这种电池是将硅薄膜三层重叠结构。非晶硅电池与使用结晶硅相比,在价格方面有利,但性能较差。如果性能提高,这也可促进在电力供给方面的普及。目标在2年后产品化。目前开发的电池光电转换效率,初期为146％,在遇到光性能下降的稳定期为13％,到目前为止的最高值已超过1个百分点以上,接近于正在产品化的单晶硅效率（15～18％）。电地结构是在不锈钢基板上重叠上二层硅、诸薄膜和一层硅薄膜。该公司继续进行这种类型太阳电池的研究,目前的研究内容是对各层进行改…     

三菱电机薄膜硅型太阳电池

日前，三菱电机试制的5mm×5mm薄膜型太阳电池在实验室的转换效率为14．8％。三菱电机此次试制的薄膜硅型太阳电池配备了三层吸收波长各不相同的发电层，各层组合使用了非晶硅类及微结晶硅类材料，可吸收不同波长的太阳光，从而提高了转换效率。