F原子与硅烷反应的可见化学发光研究

在交叉分子束装置上,进行了Ｆ原子与硅烷分子反应的可见化学发光实验研究,观察到了ＨＦ基电子态（３．０）、（４,０）、（５,１）、（６,２）振动跃迁和ＳｉＦ（Ａ－Ｘ（,ＳｉＨ（Ａ－Ｘ（的发射光谱。对ＳｉＦ（Ａ－Ｘ）的光谱进行了计算机模拟,得到了它的相对振动布居。     

GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性．其中，ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化．用改进了的随机元等位移（MREI）模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系，并与测量结果作了比较，理论和实验符合很好．     

Ar（^3P2,0）／CO2与CS2反应的发光研究

利用流动余辉技术，首次研究了Ar（3P2，0）／CO2与CS2的传能反应，证实了CS（A，a）是通过化学反应产生的，并计算了CS（A）的形成速率常数为1．41s×10－12cm3molecule－1s－1．同时对反应中在340～640nm范围内的连续光谱的归属问题进行了讨论，并计算了其形成速率常数为2．91×10－10cm3molecule-1s-1.     

硅烷分子的化学反应发光光谱研究

硅炼分子是激光合成纳米氯化硅的重要原料。搞清楚硅烷分子化学反应中的发光行为是很有必要的。我们用交叉分子装置，研究了硅烧分子与氟原子反应的化学发光光谱，在可见光范围内，记录了SiH（A－X），SiF（A－X）HF泛频谱等清晰的光谱。光谱随实验条件而变化。真空室气压为2．     

亚稳态He（2^3S）原子与N2H4分子传能产物的发光研究

本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态H2(2^3S）原子与N2H4分子碰撞传能,观察到了激发态产物NH（A^3п→X^3∑^ ）、NH（c^1п→a^1△）、NH2（A^~A1→X^2△B1)的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析NH（A^3п,v′＝0）的转动分辨谱的结果表明,v′＝0能级上的转动布居是“双模”分布,激光态产物NH（A）、NH2（A）的形成机理可能是：He(2^3S) NH2H4 N2H4→NH2H4^*→NH(A) NH2(A) H。     

钾蒸汽中由能量积聚效应产生的分子扩散带受激辐射

本文报道了在K2－K混合系统中由单光子共振激发原子于4P能级，通过4P原子的能量积聚效应及原子──分子的碰撞能量转移过程使分子在高位三重态获得布居，从而产生的扩散带受激辐射．至今已经发现了多种产生分子扩散带的机制．在钠分于中，由单光子或双光子激发销原子于3P能级或4D（或4F）能级，以及在宽波段范围内由可调谐激光双光子激发钠分子获得了紫区430．0nm附近的扩散带受激辐射以及360.0nm附近的扩散带受激辐射；对于锂分子，以双光子共振激发锂原子4S能级，产生蓝区扩散带受激辐射，以紫外单光子激发锂分子态或光-光双共振激发…     

脉冲激光诱导液—固界面反应制备石墨相C3N4

透射电子显微镜（TEM）、高分辨电子显微镜（HREM）和X射线光电子谱分析表明,通过脉冲激光诱导液氨－石墨靶界面反应首次合成了石墨相C3N4。观察到了石墨相C3N4的TEM形貌;对石墨相C3N4晶面间距的实验和理论计算值进行了比较,两者非常吻合。     

离子注入对分子束外延Hg0.68Cd0.32Te远红外振动模的影响

我们对用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长出的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了Ｎ离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱．喇曼散射谱可以观察到类ＨｇＴｅ的ＬＯ模的散射和ＴＯ模的散射,原生样品及离子注入样品在９３ｃｍ－１附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到７８ｃｍ－１（Ｘ）、８６ｃｍ－１（Ｉ１）、９３ｃｍ－１（ＬＡ）、１０４ｃｍ－１（Ｐｄ）以及１２１ｃｍ－１（ＴＯ２）、１４３ｃｍ－１（ＴＯ１）、１５６ｃｍ－１（ＬＯ１）等吸收峰,讨论了离子注入及注入后退火对Ｘ、Ｉ１、ＬＡ、Ｐｄ等吸收峰的影响．     

亚稳态He(2~3S)原子与C_2H_3CN分子传能产物的发光研究

本文在流动余辉装置上，研究了亚稳态He（2~3S）原子与C2H3CN分子碰撞传能，观察到了激发态产物CN（A，B）、CH（A）、H*的发射光谱。对产物CN（B）光谱分析表明，CN（B，v＝0，14）两振动能级出现了反常布居，其机理是这两个能级分别与CN（A，v=10O,30）的振动能级简并微扰所致．相对振动布居分析表明，除CN（B，v=14）外，产物CN（A，B）的振动布居随v增大而单调下降，是统计分布。产物CH（A，v=0）的初生转动温度Tr＝2600K。各激发态产物的形成机理是：     

用分子束装置研究氟原子与氟甲烷反应的化学发光

利用分子束无器壁效应的特性,研究了F+CH_3F反应的可见范围(450～900mn)的化学发光。观察到HCF~*的七个振动带和HF振动跃迁的3-0、4-0、5-1、6-2四个振动带。HF振动布居为统计性无反转。分析表明两种光谱都是由于第二步反应F+CH_2F     

Operating Parameter Comparison of Pulsed Optically Pumped NH3 and CH3OH F-P Cavity Far-Infrared Laser

Based on the density matrix theory of quantum system, the optimum operating parameters of pulsed optically pumped NH3 and CH3OH F-P cavity far-infrared laser (NH3/CH3OH-OPFIRL) were studied and compared theoretically. The differences of the operating parameters between the NH3-OPFIRL and CH3OH-OPFIRL were found and discussed. Experimentally, the curves of output power verses gas pressure in NH3 and CH3OH F-P cavity lasers pumped by TEA-CO2 laser were measured, and the optimum operating gas pressure were obtained. The experimental results were in agreement with theoretical calculations.     

390.60nm激光作用下Si(CH3)4的多光子解离与硅原子的(1+1)电离

在390.60nm的紫外激光作用下，利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱，在较低能量的激光作用下主要检测到了Si(CH3)^ 、Si^ 、C2^ 等离子的信号，有时甚至只检测到了Si^ 离子的信号：在较高能量的激光作用下主要检测到Si(CH3)^ n(n=1,2,3,4)、Si^ 、C2^ 甚至还有SiC3^ ,SiC2^ 等离子的信号。据此并结合以前得到的结论，讨论了四甲基硅分子可能的MPI过程。得出了Si^ 主要来自于Si(CH3)4的多光子解离－Si原子的（1＋1）电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3)的（3＋1）电离、Si(CH3)^ 4来自于Si(CH3)4的（3＋1）电离的结论。     

复合物p—C6H4F2...NH3（ND3）外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ３）的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为８６．４ｃｍ＾－１;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态Ｓ１和基态Ｓ０的键能信息。Ａｂｉｎｉｔｉｏ计算表明,ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ）复合物的几何结构是：ＮＨ３分子中的Ｎ原子位于垂直ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２     

可见光化学激光研究Ⅰ.电子跃迁氟化碘化学激光探索

研究了三种可以获得电子激发态IF的超音速流动反应体系:(F+F_2+IF)、NH_3体系,(F+F_2)、(NH_3+CF_3I)体系及(F+F_2)、NH_3、RI体系.记录到了IF B→X荧光光谱.提出了上述三种反应体系产生IF(B)的机制.讨论了研制IF化学激光器的前景.     

太赫兹时间分辨系统研究有机卤化物钙钛矿薄膜的超快太赫兹调制

研究了利用太赫兹时间分辨系统研究有机卤化物钙钛矿薄膜(CH_3NH_3PbI_3 and CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x)的皮秒尺度的超快太赫兹调制特性.在光激发作用下出现了太赫兹透射波的瞬时下降.相比于CH_3NH_3PbI_3薄膜,在光激发作用下CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜展现了更高的调制深度(10%).通过测算材料的电导率及载流子浓度,其调制机理为瞬态光激发载流子浓度上升.实验结果表明,CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜可作为一种高效超快太赫兹调制器件.     

亚稳态原子Ne(~3P_(0,2))与卤代甲烷分子的传能反应

本文用流动余辉技术研究了亚稳态原子Ne(~3P_(0,2))与CH_3F、CHF_2Cl、CH_2I_2等分子的传能反应,获得了自由基碎片CH(A,B,C)、CH_2(b~1B_1)和CF_2(A~1B_1)的化学发光光谱,并初步探讨了反应机理。     

飞行时间质谱法研究Si（CH3）4分子的多光子解离和电离过程

采用超声分子束技术,以飞行时间（TOF）质谱仪,于410－371nm内,在不同能量的激光作用下,着重检测了气相Si(CH3)4分子在15个波长点处的多光子电离（MPI）TOF质谱分布。根据实验结果,讨论了Si(CH3)4可能的MPI机理,得到了Si^ 主要来自于母体分子及中性碎片的多光子解离－硅原子的共振电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3）主要来自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3）的自电离、而Si(CH3)4^ 则来自于母体分子的（3＋1）电离的结论。     

CH3NH3PbI3钙钛矿太阳电池晶粒尺寸及光电性能调控

钙钛矿薄膜的晶粒尺寸对器件性能影响很大。采用湿润性不同的空穴传输层以及不同浓度的CH3NH3I（MAI）溶液,使用热退火和溶剂气氛退火的方法制备出CH3NH3PbI3薄膜及相应电池。测量了不同制备条件的钙钛矿薄膜的X射线衍射、扫描电子显微镜、光致发光谱,以及器件的电流密度-电压曲线。结果表明,溶剂气氛退火可以有效地增大薄膜的晶粒尺寸,提高器件的电流密度;较高浓度的MAI能将PbI2完全转化为CH3NH3PbI3,增大晶粒尺寸;不湿润的功函数更高的空穴传输层有利于电池效率的提高。制备了最高效率为13.3%的CH3NH3PbI3钙钛矿电池,为制备更大晶粒的钙钛矿薄膜与更高效率的钙钛矿太阳电池奠定了基础。     

质子酸掺杂聚苯胺的制备及其常温气敏性能

以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法,在酸性介质中合成了聚苯胺。并用FT-IR光谱和UV-Vis光谱对聚苯胺掺杂前后的结构变化进行了分析,研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明,经质子酸掺杂后的聚苯胺,在室温下对NH3具有较好的灵敏度,其中结果最好的1mol/LH2SO4掺杂的聚苯胺对500×10–6NH3的灵敏度达到了10.86。