浅析银铜双金属一步法制备的黑硅多晶硅太阳电池的性能

为了研究银铜双金属一步法黑硅技术,对采用该方法处理后的黑硅多晶硅硅片进行测试,并以产线工艺为基础制备黑硅多晶硅太阳电池;使用测试仪等研究了黑硅多晶硅硅片的显微组织、界面结构、宏观形貌,以及黑硅多晶硅太阳电池的量子响应、电性能参数与光衰性能。结果表明,黑硅多晶硅太阳电池的电性能有显著提升,尤其是短路电流提升了221 mA,这主要是由于黑硅多晶硅太阳电池的短波段量子响应有显著改善;同时,黑硅多晶硅太阳电池的光衰特性优于常规多晶硅太阳电池。     

纳米线织构的多晶硅太阳电池研究

采用无电化学刻蚀技术,通过优化Ag NO_3浓度、刻蚀温度和刻蚀时间,研究在125 mm×125 mm多晶硅片表面制备均匀分布硅纳米线阵列的方法,获得了硅纳米线织构的多晶硅在宽光谱范围内(300~1000 nm)平均反射率约为8%。成功制备了表面具有硅纳米线织构的多晶硅太阳电池,并通过两种改进方法提高太阳电池效率:1)优化硅纳米线阵列的长度(约1.5μm),并利用PECVD方法在硅纳米线阵列表面生长70 nm Si_3N_4薄膜进行表面钝化,纳米线织构的多晶硅太阳电池效率从8.95%提高到了11.41%。2)使用HNO_3和HF混合溶液去除硅衬底背表面的硅纳米线阵列,使铝背电极与多晶硅紧密接触,太阳电池效率进一步提高到13.99%。研究表明:所采用的改进方法能有效提高纳米线织构多晶硅太阳电池的效率。     

太阳电池及其应用技术讲座(三)各种太阳电池

硅太阳电池是目前使用最广泛的太阳电池.按硅材料的晶体结构区分,有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池3种.单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池亦称晶体硅太阳电池,占全世界太阳电池市场的大部分.     

淬火技术对酸洗法提纯多晶硅的催化作用

采用淬火技术和酸洗络合技术提纯多晶硅。采用ICP测试多晶硅纯度,采用XRD、红外光谱、拉曼光谱、扫描显微镜、扫描电镜和能谱技术分析淬火对多晶硅提纯的催化机理,结果表明:1)淬火能减弱多晶硅杂质元素与硅之间的键能和键力,使多晶硅晶体出现缺陷和缩小硅体晶面间距;2)多晶硅杂质相主要由非晶金属氧化物或金属硅化物构成;3)采用酸洗络合技术和二次凝固技术可使多晶硅中B的移除率达到90%,同时其他金属杂质的移除率均在55%以上,提纯硅的纯度基本满足太阳电池的需求。     

硅太阳电池材料的研究进展

目前各种太阳电池材料中，硅是最主要的材料。文章简要介绍单晶硅、多晶硅、带状硅、非晶硅以及多晶硅薄膜材料的研究状况，并对有关问题和太阳电池材料的发展趋势进行了讨论。     

颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制

以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带（SSP），对颗粒硅带表面形态进行了分析。以SSP为衬底，采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法生长多晶硅薄膜，并以此制作出效率为2．93％的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池，这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果，同时讨论了该类电源的结构、工艺特点和改进措施。     

硅基太阳电池表面织构的研究进展

介绍了单晶硅、多晶硅和硅薄膜太阳电池绒面的不同制备方法,对这些方法所制备的绒面作了比较.最后展望了绒面技术对硅基太阳电池发展的推动作用.     

多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展

从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底，采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜，随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6．05％。     

晶体硅太阳电池钝化工艺的研究

采用热氧化法在多晶硅及单硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜，结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺，使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。     

颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺

主要阐述了以低纯度颗粒硅带(SSP—Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CSiTF)太阳电池的制备，给出制得的太阳电池I—V曲线和光谱响应曲线并由此讨论影响电池性能的可能因素，着重分析了颗粒硅带衬底的作用。目前，在没有任何电池工艺优化的条件下，在低纯度硅带上制得多晶硅薄膜电池的转换效率通常在5％～7％范围(电池面积1cm^2)。