中国西南地区煤中12种有害微量元素的分布

运用电离耦合等离子体质谱（ICP-Ms）、冷原子吸收光谱（CV-AAs）、离子选择性电极法（ISE）和仪器中子活化分析（INAA），对云南、贵州、四川和重庆127件煤层刻槽样品和石煤样品中主要有害微量元素（包括Be，F，C1，Cr，Th，U，As，Se，Cd，Hg，Tl和Pb）的含量进行了测定．结果表明，中国西南地区煤中明显富集的有害微量元素有云南的As、四川的Cd、三省一市的Cr和Se、四川和重庆的Hg．西南地区三省一市早二叠世煤中富集的有害微量元素有F，Th，U和se，晚二叠世煤中富集的元素有Th，Se和Hg，晚三叠世煤中富集Cl，Th和Hg，第三纪褐煤中富集As．     

发展中国煤炭工业应该注意的几个问题

本文从我国煤炭工业发展的战略角度出发，依据有关统计资料，分析了我团煤炭工业发展所面临的困难和机遇，指出２０００年煤炭供求情况将趋于紧张的势头，要求煤炭工业必须加快发展的步伐，而在发展中须注意这样几个问题：选择巨型煤炭基地，重点开发，综合经营；煤发生一建议必须依靠先进的科技和现代化管理经验，提高效率和速度，降低成本，改进安全条件；根据中国国情，应加速洁净煤技术的研究和发展，积极发展管道输煤技术，以减少环境污染，提高煤炭利用率和经济效益     

英国近代贵族决斗析要

英国近代的贵族决斗主要是“荣誉决斗”，它是由中古时期的司法决斗演变而来，受到了文艺复兴人本主义的影响，但其谋杀性质和凶残程度有增无减，并且具有贵族特色，曾屡屡受到君主和民众的鄙视和批评。近代前期，这一残酷的决斗却未被禁止，并逐步扩展到社会中下层，探寻其原因不止一端。19世纪中叶，由于决斗死亡率增高导致参加者望而生畏。其他如近代社会公德意识的普及，君主的反对和立法机构的制止，社会政治和宗教环境的日趋宽容化，上流社会绅士风度的强化和社会舆论对暴力行为的遣责等，终于使英国贵族决斗绝迹。     

工程咨询行业在城市社会管理中的作用

以人为本是党的“十七大”以来，我国经济社会发展的主题，更是建设中国特设社会主义社会的根本出发点和落脚点。当前，我国正在经历一个经济高速发展期和社会重大变革期，如何进一步加强和创新社会管理，是摆在我们面前的一个严峻课题。加强社会管理，创新社会服务，根本任务应包括两方面内容，一是建立健全适合我国现阶段发展的社会管理体制和机制，即软件建设，二是加强社会服务相关设施建设，不断提高服务能力和水平，满足人们更高的社会需求，即硬件建设。     

以优质高效咨询服务为促进经济平稳较快发展做贡献

在世界金融危机日趋严峻、中国经济遭受冲击日益显现的背景下，党中央、国务院审时度势，把握时机，果断对中国宏观经济政策进行重大调整，决定实施积极的财政政策和适度宽松的货币政策，出台一系列更加有力的扩大国内需求措施，启动内需，促进经济平稳较快发展。工程咨询业广大干部和职工要深刻领会中央精神，落实中央部署，以优质高效咨询服务确保投资建设的质量和效益，在落实中央出台的政策措施中，充分发挥工程咨询的推动和引领作用。     

走自主创新之路 谋循环经济发展

阳春三月，深圳两会议政为自主创新建言，为发展循环经济献策，碰撞的火花引人思考：绿色责任不仅是美化和建设生态环境城市，更要从实施绿色建筑标准做起，如评价方案和设计方案，要倡导建绿色屋顶建筑，采用自然通风和太阳能综合利用等，少建玻璃大厦和能耗大户；建示范厂推动海水淡化工程等，这样可节能50％，节水1／5．要利用深圳天然优势，发展可再生能源工业．如太阳能、风能和生物质能发电等．     

建设创新型协会

第一，更新观念，准确定性。根据广东省委、省政府颁布的《关于发挥行业协会商会作用的决定》，要求行业协会按照适应社会主义市场经济发展、与国际惯例接轨的目标，依法办会、民间办会，实现行业协会的民间化和自治性。因此，协会要努力学习和借鉴国内外非盈利社团组织的先进经验和做法，确立“根植会员，服务社会，永续经营，共同成长”的现代办会理念，把以会员为核心的社会服务作为协会工作的出发点和落脚点，把协会的建设作为一项长久宏大的事业来经营，把塑造工程咨询业改革开放排头兵这一品牌形象放在首位，避免和克服短期行为，使协会与会员以及整个行业和社会的发展同步。     

安徽省着力推进中小企业服务体系建设

建立健全中小企业服务体系，不断加强和改善对中小企业的社会服务，是促进中小企业发展的重要措施。近年来，在工业和信息化部和省直有关部门大力支持下，安徽省经济和信息化委员会围绕中小企业服务体系建设，开展了一系列探索和实践，取得了积极的成效。     

磨矿动力学用于最佳球径及球配比的工业试验

根据磨矿动力学原理，用磨矿动力学方程和总体平衡模型的参数Ｋ和Ｓ为指导，选择钢球直径和确定钢球配比．通过实验室分批磨矿试验，建立了计算球径的数学模型和各类球的配比．用此法制定的最初装球，经工业试验证明，更符合生产实际，是提高磨矿机产量和效率的有效方法，具有理论价值和实际意义．     

管理方案不等同于运行控制

2005年第11期《中国质量认证》刊发的《环境管理体系的目标、指标和方案》一文认为，“组织制定的目标和指标，有保持型和改进型，有口头的和书面的，方案是实现改进型目标和指标且具有时限性的控制方法，运行控制是实现保持型目标和指标，可以长期实施的控制方法。”并且“如果对重要环境因素未进行控制或由于运行控制不能实现目标和指标的要求，     

808nm激光诱导电化学刻蚀研究

为探讨半导体激光电化学刻蚀的工艺特性,采用808nm半导体激光作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料。在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了激光电化学刻蚀硅的工艺特点。实验表明,808nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,但不适合刻蚀半导体材料。     

808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究

为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除＂燕尾＂结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。     

电化学脉冲腐蚀制备多孔硅微腔技术

基于电化学脉冲腐蚀方法,用正交实验法给出了制备多孔硅微腔较为理想的制备参数：脉冲周期为5ms,占空比为5／10和上下各6个周期Bragg镜面层,得到了半峰宽为6nm的窄峰发射的多孔硅微腔．并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行了解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向腐蚀（电流腐蚀）,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向腐蚀（浸泡腐蚀）．     

亚表面杂质对熔石英激光损伤的影响

采用HF酸对熔石英材料刻蚀不同的时间,利用同步辐射X射线荧光成像方法(SXRF)研究熔石英材料亚表面区域的杂质种类和相对含量,利用AFM和白光干涉仪研究刻蚀区域表面形貌和表面粗糙度,并采用R:1方式测试激光损伤阈值。实验结果表明,熔石英亚表面的杂质主要包括Fe、Cu、Ce,其相对含量随刻蚀时间的增加而降低。在刻蚀时间小于30 min时,损伤阈值明显提升;继续增加刻蚀时间,阈值降低。当刻蚀时间较短时,Cu、Ce等杂质含量对损伤阈值影响较大。刻蚀时间过长时,元件表面粗糙度成为影响损伤阈值的主要因素。     

硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨

本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验.对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析.通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵.其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术.     

Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用

对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。     

非超净条件下玻璃微流控芯片加工工艺

为了解决玻璃微流控芯片加工工艺对专业实验室的依赖问题，提出了一种非超净环境下玻璃材料微加工工艺.该工艺包含湿法刻蚀和高温键合两项关键技术，针对刻蚀工艺中高刻蚀速率与高刻蚀表面质量兼具的工艺目标，研究了多种刻蚀剂成分及配比等条件对刻蚀效果的影响，并描述了具体工艺流程与工艺参数.在高温键合工艺试验中针对表面亲和处理、抽真空预键合以及键合温度时序控制等方面进行研究，重点讨论了非超净环境下高效预键合方法.结果表明，所研究的湿法刻蚀和高温键合两项工艺具有简单、高效、设备依赖性低等特点，突破了超净环境对玻璃微加工技术的限制.     

低碳钢蚀刻工艺技术的研究

针对金属化学蚀刻的工艺技术进行了研究,选择氯化铁为金属蚀刻剂,通过初步试验和正交筛选,确定了蚀刻低碳钢的相对最佳工艺条件：蚀刻液浓度为22.0%,蚀刻温度为45℃,pH为1.0,转速为50r/min（蚀刻液相对流速为3.6m/min）.经化学蚀刻后的金属工件具有蚀刻厚度均一,蚀刻面光洁度良好,切面质地一致,精密度高等特点.     

硅的反应离子刻蚀工艺参数研究

对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.     

硅各向异性腐蚀的计算机模拟

介绍了硅各向异性腐蚀的特点和采用的模型，分析影响硅各向异性腐蚀速率的因素，然后借助计算机MEMSCAD软件ACES和IMEE对硅在KOH溶液情况下各向异性腐蚀情况进行了模拟，其模拟结果对硅各向异性腐蚀速率的研究有一定的参考价值．