（Sr,Pb）TiO3陶瓷的半导特性与微观结构的研究

研究了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的不同半导特性和微观结构的相互关系。研究表明，微观结构均匀，则半导性能不良，而微观结构不均匀，半导性能良好。通过ＸＲＤ、ＥＤＳ、ＥＰＡＭ等手段对两类试样进行相结构、晶体结构、化学成分等分析。结果表明，两者的相结构和晶体结构相同，大小晶粒的化学成分略有差别，但化学成分的差别不是导致材料半导性能变化的主要原因。作者认为，烧结过程中部分晶粒的异常生长形成大晶粒，大大减少了材料单位体积内的晶粒和晶界数量，降低了晶界电阻，也就大大降低了材料电阻，提高了材料的半导性。     

低温烧结高居里点PTC陶瓷的研究

综述了近年来高居里点ＰＴＣ陶瓷研究和ＰＴＣ低温烧结研究的进展。着重讨论了（Ｂａ,Ｐｂ）ＴｉＯ３ 系高居里点ＰＴＣ陶瓷中Ｐｂ 的影响以及改善其性能的研究,并对ＰＴＣ低温烧结作用机制及其途径进行了论述。     

ZnO－TiO_2－NiO系PTC热敏传感器的研究

本文研究了修入ＺｈＯ、ＮｉＯ、ＴｉＯ２材料、烧结温度及烧结时间对ＺｎＯ－ＴｉＯ２－ＮｉＯ系ＰＴＣＲ材料的微结构及性能的影响．     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备全组分高温ＰＴＣ陶瓷材料，与常规固相反应法相比，对于相同配方和烧结工艺，可明显降低高温ＰＴＣ陶瓷材料的电阻率，同时具有良好的ＰＴＣ效应     

新型BST基高压电容器陶瓷

以Ba0.9Sr0.1TiO3为基,通过Nb5+、Mg2+掺杂改善陶瓷的耐压特性。结果表明:Nb5+、Mg2+复合取代Ti4+使Ba0.9Sr0.1TiO3的居里温度向低温方向移动,宽化了介电峰,提高了陶瓷的击穿场强(Eb)。Ba0.9Sr0.1(Nb2/3Mg1/3)0.04Ti0.96O3在1320℃烧结时,获得了εr为1053,Eb为13MV/m,tanδ为0.01,ρv大于1010?·cm的高压电容器陶瓷。     

助烧剂对复合PTC材料微观结构和电性能的影响

将金属Ni加入到(Ba,Sr)TiO3陶瓷基质中来制备低阻复合PTC材料.复合材料在石墨粉形成的弱还原气氛下烧成后,Ni主要以单质态存在.研究了添加Al2O3-SiO2-TiO2 (AST)与PbO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃料对复合材料微观结构和电性能的影响.与AST一样,玻璃料可作为复合材料的烧结助剂,更突出的是玻璃料能实现金属Ni在陶瓷基质中的均匀分布.从烧结助剂引起的陶瓷基质和金属分布两方面的变化来讨论复合材料的电性能.采用玻璃料作为烧结助剂,复合材料获得了较低的室温电阻率和较高的升阻比.     

喷雾造粒粉体对BaTiO3系PTCR半导体陶瓷性能的研究

研究了通过喷雾造粒制得的BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响,与手工造粒粉体比较,由于喷雾造粒的粉体流动性好,表面活性大,粒度均匀,其成型性及烧结后瓷体PTCR效应、电学性能均有明显提高。     

(Ba,Sr)TiO3半导化陶瓷PTC效应的改善

烧结温度、受主掺杂以及液相添加剂都会改变(Ba,Sr)TiO3陶瓷的PTC效应.结合微观结构变化和理论研究进展,讨论了这3种因素对PTC效应的影响.结果表明,低的烧结温度不利于低的室温电阻率和高的升阻比.高的烧结温度有利于获得高升阻比.MnO2含量的增加和BN的添加,分别从提高有效受主态密度和改善微观结构两方面改善了PTC效应.x(MnO2)由0.04%增加到0.05%,同时x(BN)=2%,在保持室温电阻率几乎不变的情况下,升阻比提高了2.5个数量级,阻温系数从4.0 /10-2·℃-1增加到13.8 /10-2·℃-1.     

复合BN的PTC热敏陶瓷性能的研究

以（Ba,Sr)TiO3为主要原料，适当引入半导化施主元素Y2O3等，用BN进行复合制备样品。研究了BN对材料PTC热敏特性及微观形貌的影响，讨论了烧成温度对产物性能的影响，并对其半导机理进行了分析。     

低阻钛酸锶钡基PTC材料的制备与电性能

BaTiO3正温度系数(PTC)陶瓷因其具有较高的室温电阻率而使其在低压领域中的应用受到限制,因此,有必要降低其室温电阻率.低阻化的一个途径是将金属与BaTiO3基PTC陶瓷复合来制备复合PTC材料.采用传统陶瓷工艺制备Ni/(Ba,Sr)TiO3复合PTC材料.为避免金属Ni被氧化,复合材料在弱还原气氛下烧成.为排除烧结气氛的影响而讨论金属Ni的影响,(Ba,Sr)TiO3 PTC陶瓷也在同一弱还原气氛下烧成.PbO-B2O3-ZnO-SiO2系玻璃料的加入改善了复合材料的两相分布,优化了复合材料的性能.     

高T_C低电阻率PTCR陶瓷材料

研究了在制备高ＴＣ低电阻率ＰＴＣＲ陶瓷材料过程中，原材料、少量添加物以及主要生产工艺对电性能的影响规律。经反复试产表明，在隧道窑可以大规模生产出居里点ＴＣ＝１８０～２７０℃、室温电阻率ρ２５＜８０Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１４％℃－１、升阻比Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ为１０４的高性能ＰＴＣＲ陶瓷材料。此种材料制成高温发热元件能在６～２４Ｖ电压下使用，开拓了ＰＴＣＲ材料新的应用领域。     

Pechini法制备超细BST粉体及其陶瓷的研究

采用Pechini法制备了约100nm的（Ba0.79Sr0.21）TiO3超细粉体,并在其中掺杂超细Bi4Ti3O12粉体制备了BST混合粉体．并用其制备了平均粒径为0．5μm、ετ为1740和tanδ为0．0038的BST陶瓷．研究了热处理温度和分散剂的量对粉体性能的影响,烧结温度对BST陶瓷介电性能和显微结构的影响。得到了较优的工艺参数,即热处理温度800℃、分散剂的量2．25mL和烧结温度1150℃．     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用

研究了ＭｇＯ加入到含铅ＰＴＣＲ陶瓷中的作用。用碱土金属Ｍｇ２＋对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３掺杂，在１２４０～１３００℃空气中烧结，获得工艺性能良好，烧结温度较低，电性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷材料。试验结果表明：ＭｇＯ的加入降低了含铅ＰＴＣＲ陶瓷的烧结温度，抑制了ＰｂＯ的挥发。