一个存贮访问控制器的设计

由于大型高速并行计算机系统的发展,对主存贮器的速度和容量的要求也越高。原在中小型计算机中,简单的存贮器控制已不适应大型机系统中对主存控制的需要。随着计算机系统结构,以中央处理机为中心发展到以主存贮器为中心来组织计算机,并业已采用LSI电路和半导体存贮器作主存,以分布式计算机概念来组织计算机系统的发展,存贮控制器,将用来作为协调和控制分散开的处理机的重要互连接口部件。特别是随着单片LSI微处理机,多处理机系统结构的发展,使存控部件将成为一个互连子系统,来     

CDC CYBER 200系列203型计算机系统

<正> 一、概说 CDC公司CYBER 200系列203型计算机系统(中央计算机)是一种大型的高速计算机,其特点包括流处理,虚拟寻址和硬件的宏指余。中央计算机的新型标量处理机采用的是大规模集成电路(LSI),用以提高标量处理性能。中央计算机拥有独立的标量处理机和向量处理机,它们能对1位,8位字节,32位或64位浮点操作数和向量元素进行顺序操作和并行操作。中央存聍器采用高性能的半导体存聍器,其中每个32位的半字都具有单错校正和双错检验,从而获得高的存貯完善性。虚拟寻址法采用了高速变换技     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

Z-80控制的EPROM读写装置

<正> 前言 随着大规模和超大规模集成技术的发展,微处理机和半导体存贮器亦得到了飞速的发展。在半导体存贮器中,UV EPROM由于它的速度快、单片容量大、功耗小,成本低,以及使用方便,可靠性高等特点,无论是在大中型计算机中作为半固定存贮器,还是在微程序     

MOS存贮器的测试、筛选、组装、及其可靠性

MOS存贮器是大规模集成电路乃至超大规模集成电路的一个十分重要的领域,由于其工艺简单、集成度高、成品率高、具有较好的性能价格比,因此获得了迅速的发展,它在半导体存贮器领域中已占了主导地位。各种MOS存贮器的广泛应用,正在大大地改变着电子计算机及其他信息存贮、信息处理系统的面貌。 随着MOS存贮器的迅速发展,对其性能的测试、老化筛选、合理组装、正确使用,愈     

双极型半导体存贮电路

<正> 近十年来,半导体集成电路得到迅速发展,集成电路存贮器作为计算机的重要部分的存贮部件,尽管还处于幼年时期,但已占有显赫的地位。在电路研制和系统应用的研究方面都得到人们十分注意。从高速缓冲存贮器到大容量的主存贮器都在逐步采用。其主要特点是速度快,工艺简单,便于生产的自动化,有利于减轻工人的劳动强度。随着大规模集成电路的研制和工艺的逐步成熟,高速度、低功耗、高密度的半导体存贮器,     

位片微处理器的整机应用

<正> 前言 半导体大规模集成电路(LSI)在70年代得到飞速发展。在MOS电路方面,由于工艺结构简单、以及硅栅工艺、多层布线技术的成功应用,使MOS型存贮器、微处理机的集成度不断提高。到1980年,市场上已开始售出16位单片微处理机,64K RAM,64K EPROM。不过,尽管目前MOS型单片微处理机已普遍     

V-MOS工艺

一、引言半导体工艺实验室中开发的新工艺,大体上每隔二、三年达到成熟阶段,并将之转入 LSI(大规模集成电路)的生产制造中。LSI 技术从七十年代系初期的高阈值 P 沟边铝栅 MOS 工艺起,经 P 沟边单层硅栅、     

采用磁心的二进制乘法、除法綫路

图1是一个采用磁心作逻辑元件的乘法线路。被乘数存在存贮器的一排磁心里,这排磁心的输出经过一个门送到全加器。部分乘积的和存于存贮器的第二排磁心中,它的输出也送到全加器作为它的第二个输     

增强型硅肖特基势垒场效应晶体管

随着半导体设备更加大形化,因而对器件低功率化、高可靠性的要求就日益强烈。双极集成电路速度快,但消耗功率大,组装密度不高。MOS集成电路功率低,面积与硅片价格乘积小,所以适合于大规模集成。但要实现大容量集成电路存贮器,必须要消耗功率更低和速度更快。     

CMOS门阵列电路设计

一、门阵列(GATEARRAY)技术概况门阵列设计技术是面向用户逻辑电路要求进行设计的技术。在设计结束之后,通过半导体大规模集成电路(LSI)工艺手段,为用户制作出专用的集成电路。因此这种电路也称为客户电路(CUSTOM CIRCUIT),即为用户提供LSI设计和制作的技术(IN—HOUSE LSI DESIGN AND FABRI-CATION TECHNOLOGY)。     

CMOS集成电路及其应用

<正> 一、概述 1.CMOS电路——八十年代的集成电路在半导体集成电路发展过程中,MOS电路与双极型电路一直在激烈竞争而又相互促进。对于MOS电路来说,主要的薄弱环节在于速度,CMOS电路就是MOS与双极型竞争的一种必然产物。七十年代大规模集成电路发展过程中,NMOS工艺成了“优选工艺”。微处理器、随机存取存贮器和只读存贮器等等大都采用NMOS工艺。到了七十年代后期,在NMOS工艺的基础上,CMOS工艺逐步完善,因而在速度、集成度和微功耗方面不断地创造新的纪     

半导体存贮电路及工艺

前言 近年来,半导体触发器作为计算系统存贮器的重要部分已经达到实用阶段,由半导体实验室转向主存贮器市场,共竞争能力与日俱增,这类存贮器有可能与其它的新型存贮器并驾齐驱。半导体存贮器制造过程的特点是它能以相类似的顺序成批生产,使用现有的半导体工业生产方法完成这些顺序可达到精确的一致性,并且比LSI逻辑电路容易生产,因为后者趋向     

差错改正电路的设计

前言目前,作为计算机等信息处理装置的主存贮器,大都使用MOS半导体存贮器。在这些主存贮器中、往往使用差错改正代码(Error Correcting Codes;ECC)。在主存贮器中使用ECC的主要理由如下:1)把半导体存贮器用作主存贮器的最初阶段,效果是很差的。为了提高可靠性,采用了ECC。2)为减少用作主存贮器的每一存贮器集成电路封装的外引线数,采用了一位结     

大规模集成电路的测试——介绍一台40毫微秒的半导体存贮器测试仪

大规模集成的半导体存贮器,近年来已大量应用于电子计算机,正在逐步取代占据存贮器领域二十余年的磁芯存贮器。目前广泛用作计算机主存的NMOS RAM,单片容量为4K,16K的标准16条引腿的NMOS已成为市场广泛应用的产品,而单片容量为64K的NMOS也已问世,估计不久将大量投入应用。作为高速小存用的双极型RAM,其容量一般在     

H-MOS工艺

一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多晶硅工艺,并多结合局部氧化等平面隔离工艺及耗尽型负载 E/D 技术耒提高电路性能,从而形成了标     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

磁心穿线机及其穿线方法

本文概括地阐述了磁心穿綫机,着重阐述穿一条綫或穿几条綫磁心穿綫机。 在数字、数据处理技术中,主要还是使用磁心元件来存贮信息。这些磁性元件一般都是环形磁心,纵横排列成矩阵。为使存贮器工作就要给出所需的磁场,这就要在许多磁心中穿过载流导体。目前,电流重合法存贮器,每行穿一条y驱动綫,每列穿一条x驱动綫,再     

HDS-801系统中央处理机的可靠性设计

HDS-801系统是一台采用 74S系列中规模集成电路作为逻辑元件、半导体MOS大规模集成电路作为主存贮器的高性能中型通用电子计算机系统. 它的主要性能: ·32位字长; ·四种指令形式,共有190条指令; ·多通用累加器的运算处理结构; ·具有位运算操作,字节运算操作,定点运算操作浮点运算操作和双字长浮点运算操作;     

一个虚拟存贮器的设计

一、前言虚拟存贮器VS(Virtual Storage)是存贮器系统的一项很成功的技术,为越来越多的大型通用计算机系统所采用。这是增进系统可用性和可靠性的重要措施之一。具有VS的系统特点是:·对作业提供了大于主存贮器(MM)的存贮空间。·用户作业的存贮空间与实在的主存无关,这对发展软件和应用程序尤有好处。