老虑边缘效应直线感应电机矢量控制系统仿真

考虑直线感应电机的动态纵向边缘效应，建立直线感应电机数学模型。利用Simul建立了矢量控制模型，对考虑与不考虑动态纵向边缘效应的仿真结果作了对比，结果证明了考虑边缘效应的正确性与有效性。     

直线感应电机的转差频率控制仿真研究

本文介绍了直线感应电机的结构和工作原理，给出了把边端效应考虑在内的直线感应电机数学模型，对直线电机进行恒转差频率控制，仿真结果表明该控制系统的实现方法是可行的。     

基于FPGA的直接转矩模糊控制技术研究

直接转矩控制技术是一种具有高静、动态性能的交流调速方法。本文以FPGA芯片为控制核心设计了感应电机直接转矩控制系统,用VHDL语言编写了系统的模糊控制软件.对软件中3/2变换模块、磁链和转矩估算模块、M/T测速模块、PI模块、模糊控制与启动模块、PWM模块进行详细的研究。然后通过实验初步验证了本文设计的基于模糊控制技术的感应电机直接转矩控制系统具有优良的动态和稳态性。     

考虑铁损时的感应电机节能控制

文中提出了异步电机的一种节能控制方法,以交流感应电机为控制对象,考虑电机的铁芯损耗,重新建立数学模型,推导出系统最优效率的转差角频率,并控制系统运行于此状态;建立了基于最优转差角频率的异步电机控制系统的仿真模型,并与传统的转差频率控制系统进行对比研究。仿真结果表明,文中所提的节能控制方法比传统的转差频率控制方法在保证系统的转矩和转速不变的情况下,可提升效率8%左右。可见,文中所提的考虑铁损的异步电机最优转差频率控制方法是有效的。     

感应电机直接转矩控的转矩脉动最小化

本文提出了一种在感应电机直接转矩控制（DTC）中使用的占空比控制方法。和传统的直接转矩控制方法相比，使用占空比控制的直接转矩控制系统稳态转矩响应得到改善，转矩脉动也减少。在每一个开关周期，用转矩和磁通偏差作为模糊逻辑的输入，通过模糊逻辑算法来实现占空经的控制。SIMULIK的实验结果证实了该方法所宣称的改进效果。     

TCU与CCU通讯及控制策略研究

本文在研究动车组CRH5牵引变流系统和网络控制系统之间关系的基础上.针对牵引控制单元(TCU)和中央控制单元(CCU)之间的通信接口进行研究。同时以动车组CRH5中所使用的6FJA3257A型感应电机为仿真对象。构建了从通信到电机控制的仿真系统。应用Matlab/Simulink软件建立电机直接转矩控制模型,通过仿真结果可知电机的速度得到很好的控制。具有较好的动态特性。     

基于滑模控制的永磁同步电机直接转矩控制研究

针对永磁同步电机直接转矩控制(DTC)存在较大的电磁转矩脉动、磁链脉动、低速性能不理想等问题,文中引入滑模控制策略对永磁同步电机进行直接转矩控制。通过建立PMSM的矢量数学模型,设计基于滑模控制的直接转矩控制器,利用MATLAB/Simulink进行建模仿真分析。结果表明,与传统DTC相比,基于滑模控制策略的永磁同步电机直接转矩控制系统中电磁转矩脉动幅值更低,且具有更好的动态性能和抗扰动能力,可以更加有效地改善系统特性,满足实际电机控制的需要。     

感应电机矢量控制与直接转矩控制系统的低速性能对比

本文详细分析了感应电机矢量控制和直接转矩控制系统的基本原理。在此基础上,基于matlab6.5／simulink分别建立了基于转子磁场定向的矢量控制系统和基于U—I模型的直接转矩控制系统的仿真模型。仿真研究了定子电阻、转于电阻变化对这两种控制系统低速性能的影响。并进行了对比分析。仿真结果表明,直接转矩控制系统具有更快的转矩响应,转子电阻对矢量控制系统影响较大,而定子电阻对基于U—I模型的直接转矩控制系统的影响较大。     

基于模糊控制的感应电机直接转矩控制仿真研究

电机控制的关键是控制电机的转矩。继矢量控制后提出的直接转矩控制,直接着眼于对感应电动机瞬时力矩的控制,避免了矢量控制中转子磁链难于准确观测、系统特性受电动机参数的影响较大,使得实际的控制效果难于达到理论分析的结果。在通常的直接转矩控制系统中,磁链误差和转矩误差被直接用于开关状态选择,而引入模糊逻辑后,通过区分磁链误差和...     

基于模糊控制的感应电机直接转矩控制系统

根据直接转矩控制理论,在Matlab 6.5/Simulink下构造了一个感应电机直接转矩控制系统的仿真模型。为改善感应电机系统的动、静态品质,设计了模糊自适应PI速度调节器,根据速度偏差与偏差变化率,通过模糊推理在线调整PI参数,提高系统的调速性能。仿真结果表明,这种模糊控制器具有比常规PID控制器更好的控制效果。     

微机械臂激光驱动机理分析

对一种激光驱动的微臂机构的运动机理进行分析。该微机械臂的典型长度在亚毫米量级,宽度和厚度在数微米量级。微臂同一个半导体激光器单片集成或混合集成成为一个整体。当激光器输出光脉冲时,微臂将发生振动。文中采用一端固定、一端自由运动的长方形悬臂的力学模型,分析比较了激光的光压作用和激光的热效应两种机理。根据推导出的公式估算,得出了在现有条件下激光驱动的基本机理是光的热效应的结论。对这种微臂的运动特性作了初步的讨论。     

槽栅功率MOSFET单粒子微剂量效应电荷沉积模型

重离子会在槽栅功率MOSFET器件中引起电压电流特性漂移,即单粒子微剂量效应。为表征该效应,本文提出了一个电荷沉积模型。该模型可用来计算重离子轰击氧化层后引起的电荷沉积及电荷输运过程。应用本模型计算了单个Xe离子在二氧化硅/硅界面沉积的空穴正电荷。通过将该计算结果导入Sentaurus仿真软件中,模拟了单个Xe离子轰击槽栅MOSFET后引起的电压电流曲线漂移。模拟结果与相关实验结果一致。最后,应用本模型研究了不同参数对槽栅功率MOSFET单粒子微剂量效应的影响。     

532 nm激光在雨中传输衰减模型的改进及实验

目前国内外研究激光在雨中传输的衰减问题时主要有两种模型:散射模型和遮挡模型。但是遮挡模型在处理位于激光器视场近端的大尺寸雨滴时存在理论缺陷,而散射模型对于视场远端的雨滴多次散射问题的计算量过于庞大。提出了一种基于接收端雨滴投影圆面积判据的雨滴衰减模型改进算法,对接收透镜视角内出现单个雨滴全遮挡的情况进行了修正。并且采用MATLAB对模型进行了仿真分析,得到改进的衰减模型与散射模型和遮挡模型的衰减曲线对比图。最后,通过自然雨场实验验证改进理论算法的精确度,结果表明:传输距离在100 m且降雨量为1.2 mm/h时,改进的理论模型相比较原遮挡模型精度提高了54.6%,说明上述改进算法能够提高雨滴衰减模型的精确性。该项目的研究为蓝绿激光大气通信探测技术的发展提供了一定的理论支撑。     

红敏重铬酸盐明胶增感的疏堵模型

对亚甲基蓝敏化明胶(MBDCG)的感光化学过程进行了剖析,提出了MBDCG增感的疏堵模型;用疏堵模型对现有的增感方法进行了分析和归类.指出堵漏将是MBDCG增感的更有潜力的研究方向;提出明胶体系记录光信息的敏感中心的概念,并用疏堵模型对双敏感中心红敏明胶体系的增感原理进行分析、给出了增感效果的实验结果.     

一种5.8 GHz磁控管谐振系统的模拟分析

利用HFSS结合等效电路对一种18叶片5.8 GHz磁控管的谐振系统进行了冷态模拟与分析,利用Master/Slave边界条件对磁控管谐振腔模型进行了改进,对叶片端部尺寸对磁控管谐振系统的影响进行了分析,分析结果与实验结果相吻合。为磁控管谐振系统的设计提供了依据。     

Analysis of high electron mobility transistors based on a two-dimensional numerical model

A two-dimensional numerical model is employed to simulate the device performance of the high electron mobility transistor. A 1- µm gate device is analyzed using the equilibrium velocity-field characteristic of GaAs. The calculation reveals existence of electron accumulation in the GaAs layer under the drain side end of the gate electrode. A quasi-piecewise linear velocity-field characteristic is also employed to simulate the velocity overshoot effect. The cutoff frequency is found to be improved by about 50 percent owing to the velocity overshoot effect.     

Features of the current-voltage characteristics in thin conductive layers of organic light-emitting diodes

The current-voltage characteristic of a thin organic layer located between conductive electrodes is analytically modeled. To this end, a theoretical model is developed which considers not only the interaction of an injected carrier with its mirror charge “reflected” in the nearest electrode, but also the effect of multiple reflections and the injection current from the opposite electrode. The current-voltage characteristics at various temperatures and barrier heights are compared to the model previously developed by Arkhipov et al. The limits of applicability of this model are determined. At low temperatures and voltages, the effect of multiple reflections becomes significant, which cause an increase in the current. These results should be considered when testing individual thin layers constituting multilayer organic light-emitting diodes.     

On the effect of hot-carrier stressing on MOSFET terminalcapacitances

The hot-carrier effect on the MOSFET is studied by measuring the terminal capacitance of a MOSFET before and after bias voltage stressing. It is concluded that under DC bias stressing, hot electrons are trapped near the drain end of the device. Capacitance observations can be understood in terms of a model in which the trapped-electron distribution peaks very close to the drain-channel metallurgical junction     

基于压电陶瓷的等变厚度悬臂梁特性研究

以等、变厚度悬臂梁为研究对象,以单轴向玻璃纤维为基体材料结合压电陶瓷片设计出智能悬臂梁模型。利用数值模拟与实验相结合的方法分析了压电陶瓷片对悬臂梁模态频率、自由端最大位移及应变分布的影响。结果表明,未加电压情况下,增加压电陶瓷铺设数目能有效增大悬臂梁固有频率,减小自由端最大位移,但对应变分布无显著影响;施加电压时,可进一步减小悬臂梁自由端最大位移,亦可减小各监测点应变值。