Yb：NaY(WO4)2激光晶体生长工艺研究

掺镱钨酸钇钠[分子式:Yb:NaY(WO4)2，简称Yb:NYW]是一种性能优良的激光晶体.本文采用提拉法生长出四方晶系白钨矿结构的Yb:NYW晶体,尺寸为 20mm×20mm.对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系.实验研究发现,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关.并给出了制备无开裂优质Yb: NYW晶体的最佳生长工艺参数.     

多种尺寸和形貌Cu2 O的可控制备与表征

以硫酸铜-乳酸体系为电解液,采用电化学法制备Cu2 O,分别探讨了表面活性剂浓度、CuSO4浓度、溶液pH值、沉积电压、温度、添加剂等工艺参数对Cu2 O形貌结构和尺寸的影响,并通过X射线衍射分析仪和扫描电镜等对Cu2 O进行表征测试。试验结果表明：CTAB在一定范围内可以起到抑制晶体（200）面生长而促进（111）面择优生长的作用;随着CuSO4浓度的增大,Cu2 O晶型由锥型向方型过渡;随着溶液pH值（8、10、12）的增大,Cu2 O晶型由缺角立方晶型经过立方晶型向棱锥型转变;沉积电压的改变对Cu2 O的择优生长晶面有影响,在2.0 V时晶体尺寸最大;随着溶液温度的提高,晶体尺寸呈先增后减的趋势,当温度为60℃时,晶体粒径最大;加入浓度为2.000 mol／L的NaCl添加剂,Cu2 O呈现出二十四面体晶型结构。     

PVP辅助EG溶剂热法制备BiOI微米球技术

以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为表面活性剂,采用乙二醇（EG）溶剂热法在120℃合成了碘氧化铋（BiOI）纳米片组装的微结构。分析了样品的形貌、晶体结构、晶体生长方向和紫外-可见吸收光谱特征,探讨了溶剂组成对BiOI形貌的影响。研究结果表明,所制备的BiOI微米球尺寸均匀,形貌结构丰富,且具有良好的结晶性;PVP的加入可以使晶体的形貌和生长方向得到有效调控。同时,由于晶体的尺寸显著降低,导致紫外-可见吸收光谱的吸收边发生蓝移。     

LSS法制备β相NaYF4稀土纳米晶体

以乙醇为溶剂、稀土硝酸盐和NaF为反应物,采用LSS法制备NaYF4纳米晶体。通过改变反应物加入量、溶剂体积、反应温度及时间,制备出一系列尺寸可调、形貌不同（立方、棒状）的NaYF4纳米晶体。探讨了各种反应参数对NaYF4纳米晶体的晶相、形貌以及尺寸的影响,进一步研究β相NaYF4纳米晶体的生长机制,从而优选其制备条件。研究证明,实验所得的形貌规整、尺寸均一的β相NaYF4样品为六边形截面、长度约为1μm的纳米棒。提高反应物NaF添加量、升高反应温度以及延长反应时间将促进β相 NaYF4纳米晶体的生成;溶剂乙醇对产物晶相和形貌没有影响。制备形貌较规整、尺寸分布均一的纯β相NaYF4米晶体的最佳反应条件为：NaF加入量为2．0 mol/L、体积为4 mL ,溶剂乙醇加入量为20 mL ,反应温度为200℃,反应时间为24 h。     

提拉法生长大尺寸钨酸铅晶体

用中频感应加热提拉法成功地生长了无宏观缺陷的大尺寸钨酸铅晶体(PWO),其晶体尺寸为35mm×250mm;确定了晶体生长工艺,其参数为籽晶取向犤001犦、提拉速度1.0～1.2mm/h、生长界面温度梯度25～30℃/cm;对晶体的杂质和缺陷进行了分析,探讨了避免晶体开裂和抑制组分过冷的工艺条件.同时,测量了它的纵向透过率,晶体在360nm处的透过率>25%,在420nm处的透过率>55%.结果表明:感应加热提拉法生长的大尺寸钨酸铅晶体具有较好的光学均匀性.     

大直径CZ硅单晶生长时的缩颈要求

本文讨论了为保证大直径CZ硅单晶无位错生长缩颈时细颈的最小直径以及可能提拉晶体的最大重量,同时给出了简单预测籽晶细颈的公式。     

直拉硅单晶生长的现状与发展

综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展．对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等进行了论述．     

钼酸铅晶体势参数的拟合及本征缺陷的模拟计算

在已有PbWO4晶体势参数的基础上，根据势参数的可转移性，用GULP软件拟合出PbMoO4（PMO）晶体的势参数．利用这些参数计算了PMO的晶格生成能、本征缺陷生成能和缺陷簇的结合能．计算结果表明，Vo^2＋-VPb^2-空位对和F心是PMO晶体中的本征缺陷，并以[Vo^2＋-VPb^2-]空位对和[Vo^2＋ ＋2e]的形式实现电荷补偿．     

塑料-NaI（T1）复合探测器探测效率虚拟刻度方法研究

为了探讨塑料-NaI（T1）复合探测器对点状γ射线源的探测效率与晶体尺寸之间的关系,利用蒙特卡罗方法及相关软件,在VC＋＋开发平台下编制了可以自定义塑料-NaI（T1）复合晶体尺寸的软件,实现对不同能量的γ射线的探测效率的计算.根据计算得到的数据矩阵拟合出不同尺寸探测器对点源的效率函数,并确定出函数的参数.     

SAPMAC法生长大尺寸蓝宝石单晶工艺研究

采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)在真空条件下,选择<101-0>方向的籽晶成功生长了尺寸为220×200 mm的大尺寸蓝宝石晶体,生长时结晶区温度梯度为0.5~1.0℃/mm,生长速度为0.1~2 mm/h.对生成晶体的透射率进行了检测,测试结果表明在2 500~4 000 cm-1范围内,1mm厚度蓝宝石晶片的透过率达85%以上.