测量聚合物薄膜电光系数的一种简单方法——干涉法

报道了一种测量聚合物薄膜电光系数的简单方法。这种方法是用石英晶体的逆压电效应补偿聚合物薄膜电光效应引起的光程变化,测量聚合物薄膜电光系数相对于石英晶体压电常数d     

IPC-E掺杂聚合物polysulfone薄膜电光系数的测量

制备了以生色团IPC-E为客体的掺杂型有机聚合物polysulfone薄膜样品,对其进行了接触极化。电光聚合物极化后的电光系数是聚合物波导的重要参数。利用基于简单反射法的聚合物薄膜电光系数测量系统对极化样品进行了测量,得到极化聚合物薄膜的电光系数为37pm/V左右,随后又对误差产生的原因进行了详细的分析。这为进一步研究有机聚合物光波导器件创造了条件。     

一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法——比较法

在正交偏光干涉实验装置中,用DKDP晶体的电光效应补偿其它晶体电光效应所引起的光程变化,测量晶体电光系数相对于DKDP晶体γ63的数值,提出了一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法。     

测量NLO聚合物薄膜材料电光系数的方法

本文综述了测量非线性光学（ＮＬＯ）聚合物薄膜材料电光系数的３种常用的方法及原理,并分别给出了典型的实验装置结构图。最后对３种方法的特点作了比较。     

比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

基于M-Z光纤干涉仪测量极化聚合物的电光系数

提出了采用Mach Zehnder(M Z)光纤干涉仪的电光聚合物电光系数测量方法,对其测量原理进行了分析,研究了光纤干涉仪的臂长差、样品的插入损耗对系统可见度的影响,讨论了通过合理设置耦合器的耦合系数提高系统测量性能的方法。系统具有较好的稳定性和较高的灵敏度,既适合于聚合物薄膜也适合于聚合物波导的测量,系统干涉可见度为0.86,可分辨的最小相位变化约为6×10-6 rad。该系统可以同时测量2个独立的电光系数γ13和γ33,使用该系统测得一种有机/无机杂化材料ASD/SiO2 TiO2 极化后的电光系数为γ13=0.72±0.01 pm/V和γ33=2.8±0.01 pm/V。     

一种交联型光学聚合物的电光特性及其稳定性

对一种交联型非线性光学聚合物的电光特性及其稳定性进行了研究.通过交联反应将生色团分散红DR19连接到高聚物纤维素二醋酸酯(CDA)可合成得到该交联电光聚合物,交联反应温度为164 ℃.采用带栅极偏置的电晕极化系统对旋涂制备的聚合物薄膜样品进行极化处理,极化电压为8 kV.极化处理后的样品具有较好的电光特性,采用Mach-Zehnder干涉仪测量系统测得样品在1 550 nm处电光系数为4.80 pm/V.通过电光系数和介电驰豫测量研究了交联体系的稳定性,与掺杂型电光聚合物相比,该交联电光聚合物具有很好的长期稳定性,平均驰豫时间达到5.3 years,二阶非线性驰豫遵循KWW规律.介电分析结果显示驰豫时间的温度特性满足Arrhenius规律.     

掺杂型极化聚合物薄膜电光特性及弛豫过程研究

报道了利用椭偏反射法对掺杂型极化聚合物α′-氰基 - 4′-硝基 - 4 - N,N-二甲基胺基CNDS/PMMA薄膜电光系数的测量 ,并实时测量了镀 Al电极的 CNDS/PMMA薄膜电光信号的弛豫过程 ,深入分析了引起此过程初期异常弛豫的原因 .     

光谱法求解极化聚合物薄膜的电光系数

提出了利用透过光谱法和吸收光谱法相结合测定聚合物电光系数的一种新方法,并求得了合成的聚氨酯聚合物薄膜在632．8 nm处的电光系数为r33=34.4pm/V,r13=5.4pm/V     

具有双电光分子的聚合物型太赫兹波探测器件

与传统的无机晶体材料相比,电光聚合物材料具有更高的电光系数,并且没有声子吸收问题,由此构成的太赫 兹波探测器件具有更高的效率和带宽。但是侧基型和主客体型的电光聚合物具有电光系数偏低和相分离问题,这些缺点 限制了这类材料的应用。具有双电光分子的聚合物材料可以克服上述问题,利用这种材料构成共面插指结构的太赫兹波 探测器件效率可提高80%,带宽可扩展到9THz,并且器件具有良好的稳定性。     

具有双电光分子的聚合物型太赫兹波探测器件

与传统的无机晶体材料相比,电光聚合物材料具有更高的电光系数,并且没有声子吸收问题,由此构成的太赫兹波探测器件具有更高的效率和带宽。但是侧基型和主客体型的电光聚合物具有电光系数偏低和相分离问题,这些缺点限制了这类材料的应用。具有双电光分子的聚合物材料可以克服上述问题,利用这种材料构成共面插指结构的太赫兹波探测器件效率可提高80%,带宽可扩展到9THz,并且器件具有良好的稳定性。     

椭偏法测量极化聚合物的电光系数

研究了利用椭偏技术进行极化聚合物电光系数测量的方法。基于简化模型推导了γ３３的计算公式，讨论了这种方法的有效性。     

光谱法求解析化聚合物薄膜的电子系数

提出了利用透过光谱法和吸收光地相结合测定聚合物电光系数的一种新方法,并求得了合成的聚氨酸薄膜在６３２．８ｎｍ处的电光系数为γ３３＝３４ｐｍ／Ｖ,γ１３＝５．４ｐｍ／Ｖ。     

利用调制式椭偏仪测量薄膜电光系数

利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数．首先用反射椭偏测量的方法得到薄膜的折射率(n)和厚度(d),然后利用透射椭偏在线测量的功能,在样品上加电场(E),得到薄膜的折射率的改变8n．最后用测量得到的厚度,折射率以及折射率的改变来计算薄膜的电光系数．该仪器的灵敏度很高,很适合较薄的膜层材料电光性质的测量．     

基于电光聚合物缺陷光子晶体的脉冲电场测量技术

针对幅值强、频带宽、持续时间短等脉冲电场测量需求,本文提出一种基于电光聚合物缺陷光子晶体的全介质脉冲电场传感器.在周期性分布的光子晶体中引入电光聚合物作为缺陷层,外界电场的作用下,电光聚合物的折射率发生改变,这将会引起光子晶体的谐振频率偏移,监测谐振频率的变化即可实现被测电场测量.本文通过理论分析与数值模拟光入射角度不同且入射波的偏振状态不同时,光子晶体的结构参数对光子晶体传输光谱特征的影响规律,验证了该传感器的电场敏感特性.仿真结果表明,通过合理设计传感器的结构参数,结合波长-光强解调系统,基于电光聚合物缺陷光子晶体的电场传感器的电场分辨力可以达到约30V/m,最高可测量场强则可达到兆V/m量级.     

光电子技术

〕,NZ 02010177极化高聚物薄膜复电光系数的测量方法研究/程晓曼(天津理工学院)11光电子·激光.一2001。12(4)一361一364基于M klch一Zel’l1del干涉仪,采用电场调制法测量极化高聚物薄膜复数电光系数和膜厚变化方法.用该方法同时测定了具有对称三明治结构、极化的掺染料红l号(DR])有机玻璃(P MMA)膜在波长632.811111处复数电光系数的实部和虚部,给出了考虑到膜厚变化(因调制电场力作用引起)时电光调制信号表达式,观察到其实、虚部对电光效应的不同贡献.结果表明,样品厚度对高聚物薄膜复数电光系数的测量在样品的固有共振频率处有较大影…     

PVK掺杂偶氮苯衍生物薄膜的电光效应及光折变效应

对几种推拉型偶氮苯衍生物的电光特性进行了实验研究。通过反射型电光调制测量了聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）一偶氮苯衍生物薄膜的电光系数。对于掺杂浓度为１５％（重量比）的硝基偶氯苯ＰＶＫ薄膜，得到高达１３．４ｐｍ／Ｖ的电光系数．并在ＰＶＫ／Ｃ６０／硝基偶氯苯掺杂体系中观察到明显的光折变特性。     

磁光盘存贮信息的检测

本文介绍了一种检测磁光盘存贮信息的静态测试装置。本装置具有读、写、擦位于同一光路的特点,其直流读出功率的输出可以从对电光晶体预置偏压或检偏器和电光晶体之间预置偏振轴得到;并试用了磁光石榴石单晶薄膜调制器来测量1微米左右磁域的克尔效应,以提高观察和测量的灵敏度。     

极化高聚物薄膜复电光系数的测量方法研究

本文基于Mach-Zehnder干涉仪,采用电场调制法测量极化高聚物薄膜复数电光系数和膜厚变化方法,用该方法同时测定了上有对称三明治结构,极化的掺染料红1号（DR1）有机玻璃（PMMA）膜在波长632．8nm处复数电光系数的实部和虚部,给出了考虑到膜厚变化（因调制电场力作用引起）时电光调制信号表达式,观察到其实,虚部对电光效应的不同贡献,结果表明,样品厚度对高聚物薄膜复数电光系数的测量在样品的固有共振频率处有较大影响,该共振频率大小与玻璃衬底厚度有关,并可用受迫振动模型来解释。     

测定晶体电光系数相对符号的一种简单方法——干涉法

我们用一台干涉仪,以机械方法使光程发生变化,然后和晶体电光效应引起的光程变化相比较,提供了对种确定晶体电光系数相对符号的简单方法。