DDR存储器和DDR DIMM

就 像我们越来越熟悉Ｒａｍｂｕｓ和 ＰＣ１３３一样,一个新的名词—一ＤＤＲ出现在我们面前。什么是ＤＤＲ？简单的回答就是“双数据速率同步ＤＲＡＭ。它以两倍的速度传输数据。”那么,它究竟是怎样一种技术呢？ ＤＤＲ的历史 １９９７年,我们在ＪＥＤＥＣ存储器会议上第一次看到了配备ＤＤＲ内存的ＰＣ。那时,ＤＤＲ内存只由Ｓａｍｓｕｎｇ制造和推广。主板上的芯片组是ＤＤＲ可选的ＶＩＡＭ３。其数据传输速率为１５０ＭＨｚ。不幸的是,此主板只工作了两个小时。 虽然第一块带有ＤＤＲ内存的主板工作得并不很好,但是它给了半导体…     

并符合DDR1/DDR2/DDR3标准要求

加利福尼亚州米尔皮塔斯（MILPITAS,CA）凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高效率双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3876,该器件为DDR1/DDR2/DDR3以及未来的标准存储器应用产生VDDQ电源电压、VTT总线终端电压和VTTR基准电压。第一个通道的输出产生VDDQ,并可在电流高达25 A时,在2.5~1 V的范围内设定VDDQ。     

DDR FCRAM改进DDR SDRAM设计性能

同步DRAM技术的改型产品-双数据数率快周期环随机存取存储器(DDRFCRAM)本主要集中用于网络市场领域。但由于其性能高,还适合用于诸如图形、游戏和高端机顶盒等应用领域。 DDR FCRAM架构创造性地把DRAM型器件的密度优势与高速SRAM相对应的随机周期时间性能结合在一起。作为一种由三家主要存储器     

DDR2

DDE2（Double Data Rate 2）SDEAM是由JEDE@进行开发的内存技术标准，它与上一代DDE内存技术标准的区别在于，虽然都采用了在时钟的上升／下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDE2内存却拥有两倍于上一代DD＆内存的预读取能力（即4b数据读预取）。换句话说，DDE2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读／写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。     

创见DDR 266

虽然 DDR333DDR400甚至DDR433已陆续露面,但由于市场和技术方面均不成熟,内存市场由DDR 266稳坐主角位置的局面还将持续一段不短的时间。     

宇瞻DDR 333

一直以来,RAMBUS内存的性能总是领先于DDR内存,以往的DDR266DDR333内存在带宽上总是与RAMBUS无法相提并论,但随着DDR400的出现,这种不平衡似乎有了较大的改观。     

低成本DDR3、DDR4高速存储器测试解决方案

HSM3G高速存储器测试解决方案进一步拓展了面向DDR3主流存储器IC和更高级存储器件测试的V93000HSM平台。 V93000 HSM3G独特的优势在于其未来的可升级性,速度和功能将来都可以升级,其可编程的、快速的每引脚APG能力得到了数据总线倒置（DBI）和循环冗余校验码（CRC）数据的支持,     

DDR内存知多少

如果您是电脑DIY玩家,一定会不时为自己的电脑进行升级,除中央处理器之外,内存也是常见的升级项目。当前,组装个人电脑采用内存已经逐渐从SDRAM演变到DDR内存,而DDR内存又可以再分为不同的标准和速度。一、何谓DDR内存DDR的全名为“Double Data Rate”,它是相对于“Single Data RAM(SDRAM)”而言的。DDR内存比SDRAM的传输速度快一倍,它能够在电脑开始和退出工作指令时传输数据资料。假设SDRAM一秒钟能够传输10MB资料,DDR内存一秒钟就可以传输20MB资料。随着处理器发展速度的越来越快,DDR内存的重     

DDR内存带宽充足了KingMax DDR 400内存

采用TinyBGA内存封装技术,内存颗粒与采用TOSP封装几乎相差了二分之一的体积,利用此封装技术,内存具有更好的电器性能,具有较好的稳定性和散热性,较低的成本,在以后的内存发展中可具有较高的竞争优势.     

DDR全面攻占市场Apollo Pro266 DDR主板介绍

目前已发布可支持DDR结构的芯片组分为两大类,一类是支持AMD Athlon、Duron系列微处理器,包括威盛Apollo KT266、ALi MAGiK 1与AMD 760.另一类是支持英特尔PⅢ系列微处理器,但芯片组只有一种,就是威盛Apollo Pro266.现在市面上可看到的DDR结构的主板,应该是使用AMD760、ALi MAGiK 1两种芯片组的产品,且为数不多,只有华硕、技嘉、微星、艾崴等几家厂商推出.但这次采用Apollo Pro266芯片组的主板,可以说是许多主板厂商大力推动的产品,有相当多的产品将在不久以后推出.在我们文章中虽然只报导了6款产品,但相信不久以后,读者就会看到更多的产品.     

宇瞻DDR 333

宇瞻注重专一性,不同平台有针对性的产品推出。这款内存是针对家用PC的。技术分析容量 256MB 采用三星的内存颗粒,双面共十六颗。产品定位在品质较高的档次上。工作电压2.5V,传输带宽高达2.7GB/S。模组PCB板采用六层板设计,电路设计合理,做工精致,走线合理,减少了信号干扰和发热,提高了与中央处理器数据传输的效率。     

第一代DDR的终结Kingston DDR400内存

一直以来,并行的DDR内存的性能与串行RAMBUS内存相比,总存在着一定的差距,以往的DDR266、DDR333内存在带宽上总是与RAMBUS     

KingMax DDR 400内存

采用TinyBGA内存封装技术,内存颗粒与采用TOSP封装几乎相差了二分之一的体积,利用此封装技术,内存具有更好的电器性能,具有较好的稳定性和散热性较低的成本,在以后的内存发展中可具有较高的竞争优势。     

DDR3内存模块温度传感器

IDT@公司推出针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘（SSD）和电脑主板的低功耗、高精度温度传感器产品系列。这些新器件进一步补充了IDT的PCI ExpressTM、信号集成、闪存控制器、电源管理和时钟产品,从而提供更加丰富的应用优化型企业计算解决方案。     

用于DDR电源及终端的高效率、双通道、±3A同步降压型稳压器符合DDR/DDR2/DDR3标准

凌力尔特公司推出一款高效率、双通道、单片式、同步降压型开关稳压器LTC3618,该器件能够为DDR/DDR2/DDR3及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生电源电压和总线终端电压。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的VDDQ电源,该电源能输送±3 A输出。一个内部电阻分压器负责将VTT DDR终端电源和VTTR基准电压设定为等于施加至VDDQIN输入端之电压的一半,并在VTT和VTTR上分别提供了±3 A(供应/吸收)和±10 mA的输出电流能力。VTT输出可在低至0.5 V的电压条件下运作,以支持所有DDR标准。     

Microchip推出用于DDR2及DDR3DIMM模块的SPDEEPROM

美国微芯科技公司日前推出全新系列串行存在检测EEPROM器件。它们既能支持现今高速个人计算机中最新的双倍数据速率（DDR2）DIMM模块，还可支持未来的DDR3DIMM模块。新器件编号分别为34AA02、34LC02以及34VL02（34XX02），     

Kingmax DDRⅡ蓄势待发

新芯片组要成为市场主流，至少需要半年左右，但英特尔的Grantsdale芯片组6月21曰刚刚正式推出，全球DRAM厂都已开始动作，希望能够争取到抢先进入市场的商机。