线圈品质因数及其测量

电机中所用线圈品质因数Q值的测量,直接关系到线圈所采用的线径、匝数及电机产品的最佳磁路结构,直接关系到电机的温升和功耗。本文介绍美国宇航、电机、电磁器件专家普莉普、吉林森(Philip Gilinson Jr)三次来华所推荐的,并在我国航天、航海等许多领域推广应用的,而且行之有效的测量线圈品质因数的方法及其有关理论。     

线圈品质因数及其测量

若想降低电机和各类电磁器件功耗;若想知道如何正确选择线圈的线径、匝数、磁性材料、工作气隙等参数及磁路结构,就得了解线圈装在磁路上的品质因数Q及其测量。本文介绍美国宇航、电机电磁器件专家菲利普·吉林森(Philip Gilinson Jr.)三次来华与我们进行学术交流时,所推荐的并在我国航天、航空、航海等许多尖端科研中推广应用的,而被实践证明行之有效的测量Q值方法及其有关理论。     

基于NI数据采集卡的微悬臂梁品质因数调谐

品质因数Q是影响微悬臂梁灵敏度的一个重要物理参量,是衡量微悬臂梁振动特性的重要指标,它与微悬臂梁振动所受到的环境阻尼成反比。微悬臂梁应用于液体等大阻尼环境中时,由于阻尼作用,品质因数降低,灵敏度及分辨力会降低。因此品质因数的调制对于提高仪器检测灵敏度和分辨力具有重要意义。本文提出一种基于NI数据采集卡的微悬臂梁品质因数的数字调控方法,根据振动反馈信号来实时调控振动激励信号的振幅,以调控品质因数Q的值。实验表明,这种品质因数Q控制方法能够有效地增大品质因数Q的值。     

品质因数Q值对电容器投切冲击涌流的影响

研究了品质因数Q值对电容器投入配网时的冲击涌流的影响,对单相晶闸管投入电容器电路进行了分析,通过建立数学模型并仿真可知,冲击涌流与线路参数电阻R、电感L和电容C的值有关,线路参数综合作用的结果是品质因数Q值越大,冲击电流也越大。在实际应用中,应该调节线路参数使品质因数尽可能小来提升设备的性能。     

新型干式空心电抗器的品质因数计算方法

传统的干式空心电抗器在使用时需要用电阻来调节阻抗值。一种新型干式空心电抗器通过电抗器线圈与阻尼环之间的电磁感应来调谐电抗器的阻抗,达到所需的品质因数值。针对此种新型空心电抗器,提出了一种场路结合的品质因数计算方法。与实测结果进行比较,计算结果证实了方法的准确性。     

采样电阻R_0对线圈品质因数测量值影响的消除

王家兴同志在《低压电器》1986No.5上介绍了美国宇航、电机电磁器件专家菲利普·吉林森所推荐的“线圈品质因数测试方法”。他指出“为了采取I_m信号,则在回路中串联一个极小的电阻R_0,其值必须小于………”。我认为对R_0大小的限制实无必要。这是因为利用采样电阻R_0只是为了检测电路是否达到了谐振状态,R_0的大小对电路在达到谐振状态时电容C的取值并无影     

用于高压无线供电设备的线圈研究

用于无线电能传输(WPT)的线圈品质因数Q是决定传输距离与传输稳定性的关键因素。为减小线圈阻值并提高Q值,利用HFSS软件与VNWA逻辑分析仪,分析并验证线圈在高频情况下的电路参数,设计出多层导体并联的线圈结构,使线圈电阻减小,电感增大,进而使线圈Q值增大到一定范围内。经过分析,此结构达到了设计要求,可应用于WPT领域中。     

现场串联谐振耐压试验回路品质因数的几个重要特性

对串联谐振耐压试验回路的品质因数Q进行了分析。结合模拟试验 ,找出了影响Q值大小的原因 ,并对串联谐振回路中的等效损耗电阻R做了详细的研究 ,提出了新的看法。     

谐振电路的品质因数及其计算

讨论了品质因数定义的多种表述方法,使用品质因数的一般定义对各种电路进行计算公式的推导时,过程比较繁琐,尤其当电路结构稍一复杂时,其品质因数计算公式的推导难度大大增加,因此对一般电路品质因数计算公式的推导提出了1种简便实用的方法。     

铁氧体线圈在强场下的测量与分析

一、问题的提出镍锌铁氧体材料多在高频强场下使用,磁芯线圈的主要质量指标品质因数Q_0可直接山高频Q表测得。在普通高频Q表中,通过被测线圈的电流强度很微小,即线圈是在弱场下测量的。用於中波发射天线加感的铁氧体线圈,正常工作时所承受的磁场强度有数个奥斯特,即工作在强场下。铁氧体线圈的性能参数不但与频率有关,还与工作场强     

RF and microwave high‐Q floating active inductor design and implementation

In this paper, a high‐Q floating active inductor (FAI), suitable for RF and microwave applications, is presented. The proposed FAI is based on two cascaded pairs of highly linear capacitance gyrators, which provide a symmetric and reciprocal structure. The proposed FAI shows fully symmetrical two‐port characteristics, high quality factor and high linearity. As a feasibility demonstration, a prototype of the designed FAI has been fabricated, together with an LC series band‐pass filter. At the operating frequency, the real part of the impedance of the equivalent FAI is very low (Req = 0.0039 Ω), providing a very high quality factor. The filter has a central frequency of 430 MHz and a ?3 dB bandwidth of about 9 MHz. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd.     

The Q of the Two-Branch RLC Circuit

The Q (quality factor) of the widely used two-branch resonant circuit is derived and comparisons are made with the term Qo = ?oL/R that is often used as the Q of the circuit.     

新型两电平单相功率因数校正器的研究

在传统单相功率因数校正器（PFC）中,当IGBT导通时,升压电感输出端对地之间电压接近零,单相电源交流通过电感短路,电感电流上升而储能。当IGBT关断时,电感续流,向电解电容释放能量。通过控制IGBT的占空比规律,获得网侧单位功率因数和稳定直流输出电压。因此提出一种当IGBT导通时,升压电感输出端对地之间电压为负电压的两电平PFC方案,进而提出一种两级交错PFC、一种单相有源电力滤波器和一种升降压AC-DC变换器方案。由于采用负电压短路,可以减少交越失真,获得更好的功率因数校正效果。在简要理论分析的基础上,利用MATLAB/IMULINK进行了仿真分析,所得结果验证了所提方案的正确性。     

LRC串联谐振电路中Q与R关系的实验研究

在电感L、电容C和电阻R组成LRC串联谐振电路中,通过改变电阻R的数值,分别测定了LRC串联谐振电路中不同电阻R对应的品质因数Q值,得到了LRC串联谐振电路的品质因数Q与电阻R的关系,这一实验结果在电路设计中具有一定的参考和应用价值。     

RFID读写器中高集成度的CMOS功率放大器的设计和分析

介绍了设计的一个采用0．18μm的CMOS工艺的Class—E类的功率放大器。它可以提供最高为20dB的输出功率,以及输出功率在14．5dB的时候可以达到1dB的输出增益,最大的功率附加效率可以达到32．1％。文中还分析了这款功率放大器的频谱特性和RF协议。     

高功率因数可逆变流器中交流电感的参数设计

高功率因数变流器可对输入电流进行实时控制,使系统具有高功率因数,低谐波含量,改变装置中的有功和无功电流,因此可显著提高输电系统传输功率的能力.本文主要阐述该变流器的交流电感在系统中的核心作用,从系统稳定性、电感与功率因数的关系,以及负载动态变化时电感的选择对系统的影响3个力面进行了分析,并提出了电感的设计思想,给出了分析结论.根据所设计的电感参数搭建了实验样机,利用DSP TMS320F2812对样机进行控制,实验结果验证了电感设计的正确性.     

Low-loss inductors built on PECVD intrinsic amorphous silicon for RF integrated circuits

The quality factor (Q) of inductors on silicon (Si) is limited by the series resistance of the metal at low frequency and by the substrate resistivity at high frequency. Oxide is generally used to isolate the useful signal of the inductor from the lossy substrate. However, stoichiometric silica (SiO2) is processed at a high temperature, which eliminates the possibility of post-CMOS integration. By contrast, plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) amorphous Si can be deposited at a low temperature and is easily integrated with most Si-based processes. Intrinsic amorphous hydrogenated silicon (i-a-Si:H) also displays low conductivity. In this work, i-a-Si:H deposited at a low temperature (250?) is used in a novel approach as the isolation material for planar inductors on Si for RF integrated circuits. An improvementof more than 50% in Q is measured when 1.5 μm i-a-Si:H film is deposited on the Si substrate prior to fabrication of the inductor. This result demonstrates the influence of i-a-Si:H film on the RF performance of an inductor. Intrinsic a-Si:H is shown to be a promising material for the isolation of RF devices on low-resistivity Si.     

任意PF下单相PWM整流器电感参数的选择

选取PWM整流器滤波电感参数的传统方法缺乏理论依据.通过分析电感电流的详细变化过程,建立了电感电流在任意功率因数(PF)下过零时刻开关周期和峰值时刻开关周期的时域表达式,并且从快速跟踪指令电流和抑制谐波电流两方面确定了电感值的取值范围.通过实验证实了该方法的可行性和很好的实用价值.     

微功耗功率因数校正器

微功耗功率因数校正器采用电压补偿的方法,实现了对电网电压的功率因数校正,达到网侧功率因数为1、总谐波畸变THD为零。其最大优点是,不采用PWM脉宽调制,不产生EMI干扰,只须将输入功率中的极小部份进行功率变换,就可以获得全部输出功率,即输入功率中极大部份不必进行实际的功率变换,也不必磁芯变压器或电感传递,真接到达输出端,成为输出功率。因此功耗极小而寿命极长,安全可靠,节能环保,效率接近100%,成本低,制作安装容易。     

NiO活性对高频低磁导率NiCuZn铁氧体Q值的影响

以不同工艺生产的NiO为原材料,制备了高频低磁导率NiCuZn铁氧体.用扫描电镜(SEM)分析原材料NiO的微观形态的差异,用X射线衍射(XRD)研究预烧后固相反应的进行状况,考察了不同NiO材料对低温烧结材料高频Q值的影响.研究发现,低温烧结条件下,高活性的NiO原材料能有效提高低磁导率NiCuZn铁氧体的高频Q值.