中国无机氟化工五十年发展进程

回顾了中国无机氟化工近50 a的发展历程,包括氟资源储量、生产工艺技术水平,以及产品品种、产量和质量。介绍了目前中国生产无机氟化工产品现状,主要包括无水氟化氢、氟化铝、氟化钠等产品,以及六氟磷酸锂、四氟硼酸锂、高纯氟气、六氟化硫、三氟化氮、四氟化碳、六氟化钨、五氟化碘、五氟化磷、三氟化硼、四氟化硫等产品,阐述了这些产品的产量、生产工艺技术水平、供需情况。指出目前中国无机氟化工存在的问题和今后的发展方向。     

四氟化碳生产技术与市场

介绍了四氟化碳的性能、用途和生产技术路线。评述了其国内外的市场变化、主要生产厂家规模及分布,从四氟化碳发展历程到今后趋势,说明四氟化碳在氟化工中的地位、我国发展四氟化碳的优势与不足。对打算进入此产品项目的企业,从技术开发、项目投资、产品生产销售等方面提出了建议。     

四氟化碳中痕量气体杂质的气相色谱分析

采用配有放电离子化检测器的气相色谱仪分析高纯四氟化碳中痕量气体杂质。研究了分析四氟化碳中氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳和六氟化硫等气体杂质的操作参数,确定了高纯四氟化碳中痕量气体杂质的分析方法。     

四氟化碳的合成与开发

详细介绍了四氟化碳的性质、制备、精制、用途及经济等方面的状况,同时评述了四氟化碳的发展前景。     

六氟化硫的制法

六氟化硫(SF_6)是无味、无臭、无害的气体,由于它具有特殊的电性能,在电子装置中得到了应用。其制法大体有:在发生氟气的电解浴中加入硫磺,硫化氢或二硫化碳等硫化物和发生的氟气直接反应的方法或在加热下使四氟     

高纯度四氟化碳

用作蚀刻剂、致冷剂、气体隔离剂等的四氟化碳(CF_4),常用四氯化碳和氟化氢制造,反应难完全,又混有氯化物,不易精制。也有用碳化硅和氟制造的,但成本较高。改用粉碎的石油焦和充足的氟加些五氟化碘或三氟化碘直接反应,可得高纯度的四氟化碳。     

四氟化硫的制备和提纯方法

评述了四氟化硫的制备和提纯方法。四氟化硫的制备方法按氟来源可分为五种制备方法：氟气氟化法、氟化氢氟代法、有机碱氢氟酸盐氟代法、金属氟化盐氟代法和非金属氟化物氟化法。四氟化硫的提纯方法可分为汞结合法、吸收法和高温老化法。     

四氟化硅的工艺研发及进展状况

四氟化硅是电子工业中的一种重要原料,随着多晶硅等行业迅猛发展需求量逐渐增大。详细介绍了四氟化硅的应用及市场情况,并对氟气合成法、氟硅酸盐热解法、硫酸法、氢氟酸直接反应法这4种主要生产方法进行详细论述,讨论了各工艺方法的生产原理、工艺简述、研究状况并对工艺的优缺点进行了评价。就目前市场形势分析,国内四氟化硅需开发高端产品,以适应市场需求和参与国际竞争。     

吸光光度法测定空气中的微量氯气

提出了一种测量空气中微量氯气的方法。用亚硫酸钠溶液吸收空气中的氯气,将氯气转化为氯离子,然后利用硫氰酸汞法进行吸光光度测定。最大吸收波长为460nm。氯离子浓度在0～1．6mg·L-1范围内与吸光度值（△A）呈线性关系。本方法用于直接测定空气样品中的氟气,获得了满意的结果,方便、快捷。     

喷射吸收塔在磷肥生产中的应用

高州县化肥厂普钙生产自61年投产以来,一直采用一次配酸、立式搅拌、皮带化成、拨水轮吸收室吸收氟气的工艺.由于硫酸分解磷矿过程中有大量的含氟气体逸出,主要是四氟化硅(SiF4)、氟化氢(HF).根     

离子色谱法测定废旧锂电池湿法浸出液中氟和氯

建立了离子色谱法同时测定废旧锂电池湿法浸出液中氟和氯含量的方法。以高沸点硫酸为蒸馏介质,在160~180 ℃下以水蒸气蒸馏法分离富集浸出液中氟化物和氯化物并被氢氧化钠吸收液吸收,可消除浸出液中有机物及大量共存金属离子对测定的干扰。吸收液经0.22 μm微孔滤膜过滤,并用4.5 mmol/L 碳酸钠-1.0 mmol/L 碳酸氢钠混合溶液淋洗,高容量AS23型阴离子分析柱分离,电导检测器对其检测。实验表明,氟和氯离子质量浓度在0.1~10.0 mg/L与其对应的峰面积呈良好的线性关系,线性相关系数分别为0.999 8和0.999 6。方法用于废旧锂电池湿法浸出液中氟和氯的测定,加标回收率分别为95.47%和96.29%,相对标准偏差（RSD, n=10）分别为2.9%和3.7%,结果满意。     

Thermal degradation of perfluoropolyphenylenes

The thermal degradation of meta- and para-linked perfluoropolyphenylenes in vacuo and in oxygen has been studied. Rates of breakdown were determined thermogravimetrically and products of breakdown in vacuum analyzed by using a mass spectrometer. The thermal stability in vacuo was comparable with that of polyphenylene, and that in oxygen was rather inferior to that of polytetrafluoroethylene. The higher molecular weight polymers gave as the main volatile degradation products silicon tetrafluoride and carbon dioxide, together with a carbonized residue containing virtually no fluorine.     

Photoluminescence and Absorption of a Zirconium Fluoride Glass and ZrF4

The glass containing reduced zirconium exhibits a photoemission band at 480 nm and an excitation band from 230 to 370 nm. Reduced zirconium tetrafluoride has broad absorption at 400 nm. Reduction of zirconium tetrafluoride occurs through fluorine or oxygen impurity elimination. When fluorine ion deficiency occurs, emission and excitation bands appear at 440 and 350 nm, respectively. When oxygen deficiency occurs, emission and excitation bands appear at 480 and 300 nm, respectively.     

Silicon contamination of substrates in fluorocarbon plasmas produced in glass reactors

Extensive research has been carried out in recent years using fluorocarbon plasmas for modification and depositions on polymer substrates. In some cases anomalous results have been obtained that are not explainable based on conventional fluorine chemistry. In this investigation pure polypropylene films were exposed to carbon tetrafluoride plasmas in a Pyrex glass reactor. At short reaction times (less than 1 min) significant amount of silicon was detected by ESCA on the surface of the films. Analysis of liquid nitrogen trapped fluorocarbon plasma gases and molecular fragments indicated high concentrations of silicon and carbon containing species, the former indicative of ablation and etching reactions of the glass reactor walls. The production of a relatively high quantity of fluorosilicon derivatives was explained by the greater affinity of silicon for fluorine than for carbon, with the tendency to readily form SiF₄. These fluorosilicon radical and ionic species generated under cold plasma conditions can easily react with polymeric substrates causing unexpected surface modifications. In addition Si–F bonds could be readily hydrolyzed to SiOH islands on the surface of the substrate to impart anomalous characteristics. © 1994 John Wiley & Sons, Inc.     

硅烷基团再分配技术及其进展

围绕硅烷中不同烃基之间，烃基与卤素，烃基与氢，氢与氯，氟与氯，烷氧基与烃基、氢、氯、氟等的交换，介绍了基团再分配技术的基本原理、方法、应用及进展。     

四氟化碳的合成与开发(续)

(接第3期第17页 )2.2.1 吸附法意大利一家公司的专利介绍一种用特制的合金脱除全氟烷中水分和氧的方法[36]。该合金组成质量分数为Zr47%~70%,V24%~45%,Fe5%~10%,将其加工成直径<125靘的粒子,在真空或惰性气体保护下于300℃处理全氟烷,可有效去除水分和氧。杜邦公司的专利介绍一种使含空气和CO的全氟烷与MnO2和CuO混合粒子接触,在高温下使CO氧化为CO2;再用蛭石承载的碱石灰或NaOH粒子吸收CO2,最后用4A分子筛干燥提纯全氟烷的工艺[37]。催化剂粒子通常为8~24目,质量分数为MnO267%~86%、CuO14%~33%,反应温度200℃。该方法可连续进行…