纳米ZnO气敏传感器研究进展

半导体金属氧化物气敏传感器被广泛应用于有毒性气体、可燃性气体等的检测.ZnO是一种重要的半导体气敏材料,特别是纳米ZnO,由于其粒子尺寸小,比表面积大,成为被广泛研究的气敏响应材料之一.简要介绍了纳米ZnO气敏传感器的气敏机理、主要特性,综述了通过新型纳米形貌、结构制备以及元素掺杂改性提升纳米ZnO气敏性能等方面的研究进展,并进一步指出了纳米ZnO气敏传感器研究中存在的问题和未来的研究方向.     

微乳液法制备气敏材料的技术及应用

基于微乳液纳米反应器制备气敏材料是制备纳米材料的新方法.介绍了微乳液作为纳米反应器制备气敏材料的方法及原理,重点综述了微乳液法在制备纳米气敏材料方面的研究状况,总结了微乳液法制备纳米颗粒粒径大小的影响因素,并提出了微乳液法制备纳米气敏材料今后的发展方向.     

超微NiO粉体的制备及其应用

超微NiO被广泛应用于催化剂、电容器、电池电极材料、气敏材料等方面.根据国内外研究报道,主要介绍了用液相法(包括沉淀法、水解法、水热法、微乳液法、溶胶-凝胶法等)合成超微NiO粉体及其应用现状,指出了目前研究工作中还需解决的问题.     

基于磁控溅射的金属氧化物气敏薄膜的研究进展

气体传感器的应用越来越广泛,对气敏材料的研究也越来越深入。磁控溅射法是生产气敏薄膜的一种主要方法,本文重点介绍了用磁控溅射法制备的几种金属氧化物薄膜(SnO2、WO3、ZnO、TiO2、In2O3和NiO等)的气敏性能及其研究进展,对其它薄膜做了简要概述,并提出了目前在气敏薄膜研究中存在的问题。     

CuO在气敏传感器中的应用研究进展

综述了近年来CuO在气敏传感器中的应用研究进展,主要包括纳米结构CuO作为主体传感材料以及掺杂剂时的应用。着重介绍了一维CuO纳米线、纳米棒、纳米管的制备方法及其对常见多种可燃或有毒气体的气敏响应情况。指出了纳米结构CuO是今后CuO在气敏传感器中的重点发展方向,最后提出了CuO气敏材料应用时存在的一些问题以及今后的研究工作重点。     

ZnO纳米棒的制备及其气敏性研究现状

ZnO是一种多功能金属氧化物半导体材料,由于ZnO纳米棒尺寸小,比表面积大,使得ZnO纳米棒制作成气体传感器,可以提高气敏传感器的灵敏度和响应速度,降低工作温度.综述了近年来ZnO纳米棒的制备方法,展望了其在气敏性方面的应用前景.     

气敏材料及其传感器选择性研究进展

选择性是评价气敏传感器使用价值的重要性能指标.综述了近年来国内外气敏材料及其传感器选择性方面的研究进展,从气敏机理详细分析了影响传感器选择性的因素,重点介绍了提高气敏选择性的新技术、新方法,如掺杂、气体过滤膜、纳米技术、制备复合型气敏元件等,详细探讨了其工作机理,并简要介绍了气敏选择性未来的研究趋势.     

不同形貌MoS2的制备及对NH3气敏性能的研究

氨气污染是空气污染的重要因素之一, 且氨气容易诱发急性水肿和呼吸衰竭等疾病, 严重危害人体健康。开发高性能氨气传感器已经成为氨气实时监测和安全预警的重要手段。本工作采用水热法制备了纳米花状、纳米球状和纳米片状三种不同形貌的二硫化钼, 以此构建了三种MoS₂氨气传感器, 并利用自主搭建的气敏检测平台进行气敏性能研究。气敏实验结果表明: 在三种不同形貌的MoS₂氨气传感器中, 纳米花状MoS₂传感器对于氨气具有更好的响应性能, 对于10×10^-6 NH₃的响应值为7.41%, 而相同氨气浓度条件下的纳米片状和纳米球状MoS₂传感器的响应值分别为2.01%和5.11%。此外, 纳米花状MoS₂传感器还表现出优异的可重复性、稳定性和选择性。纳米花状MoS₂传感器具有优越的响应性能, 主要因为其具有较大的比表面积, 可为NH₃的吸附提供更多的活性位点。本研究为采用MoS₂作为基底材料制备高性能的NH₃传感器提供了新思路。     

Fe掺杂NiO纳米花状微球的制备及其气敏性能研究

采用水热法成功制备了Fe掺杂NiO纳米花状微球,研究了Fe掺杂量对微球结构、形貌和气敏性能的影响。气敏实验结果表明:Fe掺杂NiO纳米微球基气敏元件对丙酮的气敏性能较纯相NiO显著提高;当Fe掺杂量为0.03g时,气敏器件在工作温度为280℃,丙酮质量浓度为3.7×10~(-4) mg/L条件下,气体灵敏度为41.8,是相同条件下未掺杂NiO基气敏元件的12倍,该气敏元件在检测低浓度丙酮气体时也表现出优异的性能。     

纳米二氧化锡的制备研究

SnO2作为一种重要的N型半导体材料,在气敏元件、太阳能电池、催化剂载体等方面的具有很高的潜在价值。本文就纳米SnO2多种制备方法进行了综述,并就纳米SnO2锑掺杂方面的应用前景进行了展望。