一种简单实用的IGBT驱动电路设计

对大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论,介绍了一种简单实用的IGBT驱动电路,并通过仿真波形说明其驱动效果。     

解析IGBT管特点、工作原理与保护电路(一)

1.IGBT管的特点绝缘栅双极型晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor,缩写IGBT)是一种集BJT的大电流密度和MOSFET电压激励场控型器件的优点于一体的高压高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT管,它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管     

IGBT焊接电源及微机控制技术的应用与发展

介绍了自20世纪如年代以来微机控制技术在绝缘门双极晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)逆变式焊接电源中的应用情况，论述了不同时期对IGBT逆变式焊接电源所实施的控制方法，井对IGBT逆变式焊接电源的发展提出几点建议。     

电磁炉用IGBT管结构与检测

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT管,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体     

简说贴片IGBT管

IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型贴片晶体管,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。适用于直流电压为1500V的高压变流系统,如交流电机、变频     

基于PSPICE仿真的IGBT功耗计算

结合无刷直流电机控制器的设计,提出了基于PSPICE仿真的绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)功率损耗的估算方法。建立了IGBT电路仿真模型．给出了IGBT功率损耗与开关频率和栅极电阻阻值之间关系的仿真结果。最后,给出了功率损耗的计算方法．对不同开关频率和不同栅极电阻时的功率损耗进行了定量计算。结果表明,增大开关频率和栅极电阻会使IGBT的功率损耗增加。     

IGBT管简介

IGBT是Iusulated Gate Bipolar Transistor的缩写，意为绝缘栅型双极晶体管。IGBT管脚字母标注不一，有的标注为G、c、e，有的标注为G、D、s……，初次接触的读者会问：IGBT是什么结构？其引脚功能的标注中哪一种较准确？该管子的图形符号又如何标注呢？下面一一解答。     

基于IGBT串联运行的动态均压研究

绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)串联运行易于实现IGBT的扩容,但同时也带来了不均压的问题。设计了以L,R为感性负载的实验电路,采用仿真软件PSpiee仿真分析出IGBT串联运行时动态不均压原因是吸收电路参数不一致、门极驱动信号延时不同、门极驱动电路参数不一致引起的。并提出了IGBT串联运行动态均压措施(选同型号IGBT、吸收电路参数与结构一致、门极驱动信号同步、门极电路参数一致)。     

基于EXB 841的IGBT驱动电路设计及优化

介绍了绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件驱动电路设计的一般要求．对EXB841芯片的工作过程作了深入的分析,研究了EXB841对IGBT的开通和关断以及过流保护的原理．指出了用EXB841直接驱动IGBT时存在的问题和不足,主要是过流保护的阀值太高、关断不可靠及在软关断时没有对外部输入信号进行封锁。同时,提出了针对这些不足在设计驱动电路时应当采取的几种有效方法最后,运用EXB841及其他器件设计和优化了一个IGBT的驱动电路．该驱动电路通过电力电子仿真软件PSPICE(Simulation Program with IC Emphasis)仿真和试验证明能够有效地对IGBT器件进行驱动和过电流保护。     

IGBT的Protel 99se简化模型及仿真

本文提出一种简便的模拟绝缘栅双极性晶体管(1G—BT—Insulated Gate Bipolar Transistor))的方法，利用外部特性参数提取、换算模型参数，通过建立Protel 99SE中的数据库项，能够对任意新型号的IGBT进行仿真。文中给出一个实际器件的模拟结论，验证了方法的可行性。     

IGBT的并联

1引言在需要对大电流或大输出功率进行控制的电路中,常常采用并联。晶体管模块发明至今的近20年里,赛米控(Semikron International)一直专注于研究面向大功率应用的并行电路方案。目前有两种不同层次的方案,分别是模块内的芯片级并联和变频器一相中的模块级并联。     

IGBT model validation

Efforts to model the switching behavior of IGBTs have been greatly expanded. In many cases, circuit modeling has become an economic necessity because the cost of the components of a medium- to high-power circuit, and the load itself, is so high that all means available muse be used to lower the risk of system failure during both the prototyping phase of product development and production. As the physics that govern transistor behavior are quite complex, attempts at accurately predicting the details of transistor switching performance tax models to their extreme. Test procedures are needed to check the validity of predictions made by various models, and these procedures need to be applicable to commonly used circuits. It is particularly important that these test procedures are built around a test-bed that is well understood and well characterized so that the device model is given the correct information for the simulations. The details of a suitable test bed circuit that can be used for model-verification-related measurements on half bridge configured IGBTs are given. The NIST/IEEE Working Group on Model Validation has been established to address the need for testing the validity of various models as they relate to predicting the behavior of devices under realistic conditions. The work described in this article is performed, in part, to support the needs of the IGBT task of the Working Group     

IGBT大功率E类逆变器

研究了以IGBT作为开关管的E类逆变器。利用E类逆变器的软开关特性，使IGBT在更高的频率下稳定工作；利用IGBT的高压大电流特性，使E类逆变器获得较大功率的正弦波输出。中分析了这种电路的工作原理和特性，给出了实验结果。     

IGBT的并联运行分析

通过比较PT型和NPT型IGBT器件饱和导通特性，分析电流的均流问题及结温的影响，给出了IGBT并联时选择器件的原则。     

IGBT的发展

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是20世纪80年代中期问世的一种新型电力电子器件,它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和GTR的低通态压降,高电流密度等优良特性,因而得到迅速发展。本文对IGBT的优缺点、工作原理做了简要的介绍,并与GTR、MOSFET的一些性能做了比较,在此基础上,进一步介绍了在开发中IGBT产品研制的进展和采用的新技术等相关内容。     

IGBT模块的测试

详细介绍了IGBT模块测试参数的定义、分类,以及各项参数的测试原理、典型电路、测试条件选择和注意事项,对部分参数的特点进行了简单分析。最后,列举了市场上现有的部分IGBT模块的对比测试结果,简要分析了不同品牌IGBT模块的特性差异,尤其是栅极电阻、通态压降和开关损耗等方面的差异,为用好IGBT器件提供参考,并为进一步扩大IGBT器件的应用领域提供选型依据。     

IGBT的有关保护问题

全面论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题,并从实际应用中总结出各种保护方法,这些方法实用性强,保护效果好.     

IGBT栅极驱动电阻的选择

栅极电阻对IGBT的动态特性有很大的影响。对栅极驱动电阻的选择进行了探讨,分析了栅极电阻选择不当可能引起的几种问题,并给出了选择办法。     

从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步（一）

对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅一源极阈值电压的离散性在缩小,栅一源极闽值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通／关断的一致性在提高。     

IGBT驱动器提供可靠保护

本文分析了电力电子系统中驱动器的电子电路对IGBT的保护功能,介绍了赛米控使用IntelliOff(智能关断)的优异保护方案。